LiTaO3 Wafer 2 inç-8 inç 10x10x0,5 mm 1sp 2sp 5G/6G İletişimi için
Teknik parametreler
| İsim | Optik sınıfı LiTaO3 | Ses tablası seviyesi LiTaO3 |
| Eksenel | Z kesimi + / - 0,2 ° | 36° Y kesim / 42° Y kesim / X kesim (+ / - 0,2 °) |
| Çap | 76,2 mm + / - 0,3 mm/ 100±0,2 mm | 76,2 mm +/- 0,3 mm 100 mm +/- 0,3 mm veya 150 ± 0,5 mm |
| Referans düzlemi | 22 mm +/- 2 mm | 22 mm +/- 2 mm 32 mm +/- 2 mm |
| Kalınlık | 500 µm +/- 5 mm 1000 µm +/- 5 mm | 500 µm +/- 20 mm 350 µm +/- 20 mm |
| TTV | ≤ 10 µm | ≤ 10 µm |
| Curie sıcaklığı | 605 °C + / - 0,7 °C (DTA yöntemi) | 605 °C + / -3 °C (DTA yöntemi) |
| Yüzey kalitesi | Çift taraflı parlatma | Çift taraflı parlatma |
| pahlanmış kenarlar | kenar yuvarlama | kenar yuvarlama |
Başlıca Özellikler
1. Elektriksel ve Optik Performans
• Elektro-Optik Katsayı: r33, LiNbO3'ten 1,5 kat daha yüksek olan 30 pm/V (X-kesim) değerine ulaşarak ultra geniş bantlı elektro-optik modülasyona (>40 GHz bant genişliği) olanak tanır.
• Geniş Spektral Tepki: 0,4–5,0 μm (8 mm kalınlık) iletim aralığına sahip olup, ultraviyole emilim kenarı 280 nm kadar düşüktür; UV lazerler ve kuantum nokta cihazları için idealdir.
• Düşük Piroelektrik Katsayısı: dP/dT = 3,5×10⁻⁴ C/(m²·K), yüksek sıcaklık kızılötesi sensörlerinde kararlılık sağlar.
2. Isıl ve Mekanik Özellikler
• Yüksek Isı İletkenliği: 4,6 W/m·K (X-kesim), kuvarsınkinin dört katı, -200–500°C termal döngüye dayanıklıdır.
• Düşük Termal Genleşme Katsayısı: CTE = 4,1×10⁻⁶/K (25–1000°C), termal stresi en aza indirmek için silikon ambalajlarla uyumludur.
3. Hata Kontrolü ve İşleme Hassasiyeti
• Mikro boru yoğunluğu: <0,1 cm⁻² (8 inçlik plakalar), dislokasyon yoğunluğu <500 cm⁻² (KOH aşındırma yöntemiyle doğrulandı).
• Yüzey Kalitesi: Ra <0,5 nm'ye kadar CMP ile parlatılmış olup, EUV litografi sınıfı düzlük gereksinimlerini karşılamaktadır.
Başlıca Uygulamalar
| Alan adı | Uygulama Senaryoları | Teknik Avantajlar |
| Optik İletişim | 100G/400G DWDM lazerler, silikon fotonik hibrit modüller | LiTaO3 levhasının geniş spektral iletimi ve düşük dalga kılavuzu kaybı (α <0,1 dB/cm), C bandı genişlemesine olanak tanır. |
| 5G/6G İletişimi | SAW filtreleri (1,8–3,5 GHz), BAW-SMR filtreleri | 42°Y kesimli wafer'lar %15'in üzerinde Kt² değeri elde ederek düşük ekleme kaybı (<1,5 dB) ve yüksek düşüş (>30 dB) sağlar. |
| Kuantum Teknolojileri | Tek foton dedektörleri, parametrik aşağı dönüşüm kaynakları | Yüksek doğrusal olmayan katsayı (χ(2)=40 pm/V) ve düşük karanlık sayım oranı (<100 sayım/s) kuantum sadakatini artırır. |
| Endüstriyel Algılama | Yüksek sıcaklık basınç sensörleri, akım transformatörleri | LiTaO3 levhasının piezoelektrik tepkisi (g33 >20 mV/m) ve yüksek sıcaklık toleransı (>400°C), zorlu ortamlara uygundur. |
XKH Hizmetleri
1. Özel Yonga Levha Üretimi
• Boyut ve Kesim: 2–8 inç çapında, X/Y/Z kesimli, 42° Y kesimli ve özel açılı kesimli (±0,01° toleranslı) wafer'lar.
• Katkılama Kontrolü: Elektro-optik katsayıları ve termal kararlılığı optimize etmek için Czochralski yöntemiyle Fe ve Mg katkılaması (konsantrasyon aralığı 10¹⁶–10¹⁹ cm⁻³).
2. Gelişmiş Proses Teknolojileri
• Periyodik Kutuplama (PPLT): LTOI plakaları için ±10 nm alan periyodu hassasiyeti ve yarı faz eşleşmeli (QPM) frekans dönüşümü sağlayan Akıllı Kesim teknolojisi.
• Heterojen Entegrasyon: Yüksek frekanslı SAW filtreleri için kalınlık kontrolü (300–600 nm) ve 8,78 W/m·K'ye kadar termal iletkenliğe sahip Si tabanlı LiTaO3 kompozit levhalar (POI).
3. Kalite Yönetim Sistemleri
• Uçtan Uca Test: Raman spektroskopisi (politip doğrulaması), XRD (kristallik), AFM (yüzey morfolojisi) ve optik homojenlik testi (Δn <5×10⁻⁵).
4. Küresel Tedarik Zinciri Desteği
• Üretim Kapasitesi: Aylık üretim >5.000 wafer (8 inç: %70), 48 saat içinde acil teslimat imkanı.
• Lojistik Ağı: Avrupa, Kuzey Amerika ve Asya-Pasifik'te hava/deniz yoluyla, sıcaklık kontrollü ambalajlama ile kapsamlı hizmet.
