4 inç Safir Gofret C-Düzlemi SSP/DSP 0,43 mm 0,65 mm
Uygulamalar
● III-V ve II-VI bileşikleri için büyüme substratı.
● Elektronik ve optoelektronik.
● IR uygulamaları.
● Safir Entegre Devrede (SOS) Silikon.
● Radyo Frekansı Entegre Devresi (RFIC).
LED üretiminde safir plakalar, elektrik akımı uygulandığında ışık yayan galyum nitrür (GaN) kristallerinin büyümesi için bir substrat olarak kullanılıyor.Safir, GaN büyümesi için ideal bir substrat malzemesidir çünkü kusurları en aza indiren ve kristal kalitesini artıran GaN'ye benzer bir kristal yapıya ve termal genleşme katsayısına sahiptir.
Optikte safir levhalar, yüksek şeffaflıkları ve sertlikleri nedeniyle yüksek basınç ve yüksek sıcaklık ortamlarının yanı sıra kızılötesi görüntüleme sistemlerinde de pencere ve mercek olarak kullanılır.
Şartname
| Öğe | 4 inç C-düzlemi(0001) 650μm Safir Gofretler | |
| Kristal Malzemeler | %99,999, Yüksek Saflıkta, Monokristal Al2O3 | |
| Seviye | Prime, Epi'ye Hazır | |
| Yüzey Yönü | C-düzlemi(0001) | |
| M eksenine doğru C düzlemi dış açısı 0,2 +/- 0,1° | ||
| Çap | 100,0 mm +/- 0,1 mm | |
| Kalınlık | 650 μm +/- 25 μm | |
| Birincil Düz Yönlendirme | A-düzlemi(11-20) +/- 0,2° | |
| Birincil Düz Uzunluk | 30,0 mm +/- 1,0 mm | |
| Tek Tarafı Cilalı | Ön Yüzey | Epi cilalı, Ra < 0,2 nm (AFM'ye göre) |
| (SSP) | Arka Yüzey | İnce öğütülmüş, Ra = 0,8 μm ila 1,2 μm |
| Çift Taraflı Cilalı | Ön Yüzey | Epi cilalı, Ra < 0,2 nm (AFM'ye göre) |
| (DSP) | Arka Yüzey | Epi cilalı, Ra < 0,2 nm (AFM'ye göre) |
| TTV | < 20 mikron | |
| YAY | < 20 mikron | |
| çözgü | < 20 mikron | |
| Temizleme / Paketleme | Class 100 temiz oda temizliği ve vakum paketleme, | |
| Tek kaset ambalajda veya tek parça ambalajda 25 adet. | ||
Paketleme ve Nakliye
Genel olarak konuşursak, paketi 25 adet kaset kutusuyla sağlıyoruz;Ayrıca müşterinin ihtiyacına göre 100 dereceli temizlik odası altında tek gofret kabı ile de paketleyebiliriz.
Detaylı Diyagram
