SiC
-
4H-N 8 inç SiC substrat levha Silikon Karbür Kukla Araştırma sınıfı 500um kalınlık
-
4H-N/6H-N SiC Gofret Araştırma üretimi Sahte sınıf Dia150mm Silisyum karbür alt tabaka
-
8 inç 200mm Silisyum Karbür SiC Gofretler 4H-N tipi Üretim sınıfı 500um kalınlık
-
HPSI SiC levha çapı:3 inç kalınlık: 350um± 25 µm Güç Elektroniği için
-
3 inç Yüksek saflıkta Yarı Yalıtım (HPSI)SiC levha 350um Sahte sınıf Birinci sınıf
-
P-tipi SiC substrat SiC levha Dia2inch yeni ürün
-
2 inç 6H-N Silisyum Karbür Substrat Sic Gofret Çift Cilalı İletken Prime Sınıf Mos Sınıfı
-
Lazer tıbbi tedavi için GaAs yüksek güçlü epitaksiyel gofret substrat galyum arsenit gofret gücü lazer dalga boyu 905nm
-
2 inç Sic silisyum karbür alt tabaka 6H-N Tip 0,33 mm 0,43 mm çift taraflı parlatma Yüksek termal iletkenlik düşük güç tüketimi
-
8 inç SiC silisyum karbür levha 4H-N tipi 0.5mm üretim sınıfı araştırma sınıfı özel cilalı alt tabaka
-
SiC alt tabaka 3 inç 350um kalınlık HPSI tipi Prime Grade Yapay sınıf
-
Silisyum Karbür SiC Külçe 6 inç N tipi Kukla / birinci sınıf kalınlık özelleştirilebilir