8 inç 200 mm 4H-N SiC Gofret İletken kukla araştırma sınıfı
Eşsiz fiziksel ve elektronik özellikleri nedeniyle 200 mm SiC levha yarı iletken malzemesi, yüksek performanslı, yüksek sıcaklığa dayanıklı, radyasyona dayanıklı ve yüksek frekanslı elektronik cihazlar oluşturmak için kullanılır.Teknoloji ilerledikçe ve talep arttıkça 8 inç SiC substrat fiyatı giderek düşüyor.Son teknoloji gelişmeleri, 200 mm SiC plakaların üretim ölçeğinde üretilmesine yol açmaktadır.SiC levha yarı iletken malzemelerinin Si ve GaAs levhalarla karşılaştırıldığında ana avantajları: Çığ kırılması sırasında 4H-SiC'nin elektrik alan kuvveti, Si ve GaAs için karşılık gelen değerlerden çok daha yüksektir.Bu, durum içi direnç Ron'da önemli bir azalmaya yol açar.Yüksek akım yoğunluğu ve termal iletkenlik ile birlikte düşük durum direnci, güç cihazları için çok küçük kalıpların kullanılmasına olanak tanır.SiC'nin yüksek termal iletkenliği çipin termal direncini azaltır.SiC plakalara dayalı cihazların elektronik özellikleri zaman içinde ve sıcaklıkta oldukça stabildir, bu da ürünlerin yüksek güvenilirliğini sağlar.Silisyum karbür sert radyasyona karşı son derece dayanıklıdır ve bu da çipin elektronik özelliklerini bozmaz.Kristalin yüksek sınırlayıcı çalışma sıcaklığı (6000C'den fazla), zorlu çalışma koşulları ve özel uygulamalar için son derece güvenilir cihazlar oluşturmanıza olanak tanır.Şu anda, 200 mmSiC levhaları küçük partiler halinde istikrarlı ve sürekli olarak tedarik edebiliyoruz ve depoda bir miktar stok bulundurabiliyoruz.
Şartname
| Sayı | Öğe | Birim | Üretme | Araştırma | kukla |
| 1. Parametreler | |||||
| 1.1 | çoktipli | -- | 4H | 4H | 4H |
| 1.2 | yüzey yönelimi | ° | <11-20>4±0,5 | <11-20>4±0,5 | <11-20>4±0,5 |
| 2. Elektrik parametresi | |||||
| 2.1 | katkı maddesi | -- | n-tipi Azot | n-tipi Azot | n-tipi Azot |
| 2.2 | direnç | ohm ·cm | 0,015~0,025 | 0,01~0,03 | NA |
| 3. Mekanik parametre | |||||
| 3.1 | çap | mm | 200±0,2 | 200±0,2 | 200±0,2 |
| 3.2 | kalınlık | μm | 500±25 | 500±25 | 500±25 |
| 3.3 | Çentik yönü | ° | [1- 100]±5 | [1- 100]±5 | [1- 100]±5 |
| 3.4 | Çentik Derinliği | mm | 1~1,5 | 1~1,5 | 1~1,5 |
| 3.5 | YBD | μm | ≤5(10mm*10mm) | ≤5(10mm*10mm) | ≤10(10mm*10mm) |
| 3.6 | TTV | μm | ≤10 | ≤10 | ≤15 |
| 3.7 | Yay | μm | -25~25 | -45~45 | -65~65 |
| 3.8 | Çözgü | μm | ≤30 | ≤50 | ≤70 |
| 3.9 | AFM | nm | Ra≤0,2 | Ra≤0,2 | Ra≤0,2 |
| 4. Yapı | |||||
| 4.1 | mikropipe yoğunluğu | adet/cm2 | ≤2 | ≤10 | ≤50 |
| 4.2 | metal içeriği | atom/cm2 | ≤1E11 | ≤1E11 | NA |
| 4.3 | TSD | adet/cm2 | ≤500 | ≤1000 | NA |
| 4.4 | BPD | adet/cm2 | ≤2000 | ≤5000 | NA |
| 4.5 | TED | adet/cm2 | ≤7000 | ≤10000 | NA |
| 5. Olumlu kalite | |||||
| 5.1 | ön | -- | Si | Si | Si |
| 5.2 | yüzey | -- | Si-yüzlü CMP | Si-yüzlü CMP | Si-yüzlü CMP |
| 5.3 | parçacık | adet/gofret | ≤100(boyut≥0,3μm) | NA | NA |
| 5.4 | çizik | adet/gofret | ≤5,Toplam Uzunluk≤200mm | NA | NA |
| 5.5 | Kenar talaşlar/girintiler/çatlaklar/lekeler/kirlilik | -- | Hiçbiri | Hiçbiri | NA |
| 5.6 | Çok tipli alanlar | -- | Hiçbiri | Alan ≤%10 | Alan ≤30% |
| 5.7 | ön işaretleme | -- | Hiçbiri | Hiçbiri | Hiçbiri |
| 6. Arka kalite | |||||
| 6.1 | arka kaplama | -- | C yüzlü MP | C yüzlü MP | C yüzlü MP |
| 6.2 | çizik | mm | NA | NA | NA |
| 6.3 | Arka kusurlar kenarı çipler/girintiler | -- | Hiçbiri | Hiçbiri | NA |
| 6.4 | Sırt pürüzlülüğü | nm | Ra≤5 | Ra≤5 | Ra≤5 |
| 6.5 | Geri işaretleme | -- | Çentik | Çentik | Çentik |
| 7. Kenar | |||||
| 7.1 | kenar | -- | Pah | Pah | Pah |
| 8. Paket | |||||
| 8.1 | ambalajlama | -- | Vakumlu epi hazır ambalajlama | Vakumlu epi hazır ambalajlama | Vakumlu epi hazır ambalajlama |
| 8.2 | ambalajlama | -- | Çoklu gofret kaset paketleme | Çoklu gofret kaset paketleme | Çoklu gofret kaset paketleme |
Detaylı Diyagram
