Kristal Yönlendirme Ölçümü için Wafer Yönlendirme Sistemi

Kısa Açıklama:

Bir yonga oryantasyon cihazı, kristalografik oryantasyonları belirleyerek yarı iletken üretim ve malzeme bilimi süreçlerini optimize etmek için X-ışını kırınımı prensiplerini kullanan yüksek hassasiyetli bir cihazdır. Temel bileşenleri arasında bir X-ışını kaynağı (örneğin, Cu-Kα, 0,154 nm dalga boyu), hassas bir gonyometre (açısal çözünürlük ≤0,001°) ve dedektörler (CCD veya sintilasyon sayaçları) bulunur. Numuneleri döndürerek ve kırınım desenlerini analiz ederek, kristalografik indeksleri (örneğin, 100, 111) ve kafes aralığını ±30 ark saniyesi doğruluğunda hesaplar. Sistem, yonga kenarlarının, referans düzlemlerinin ve epitaksiyel katman hizalamasının hızlı ölçümleri için 2-8 inç yongalarla uyumlu otomatik operasyonları, vakum fiksasyonunu ve çok eksenli dönüşü destekler. Temel uygulamalar arasında, kesme odaklı silisyum karbür, safir yongalar ve türbin kanadı yüksek sıcaklık performans doğrulaması yer alır ve çipin elektriksel özelliklerini ve verimini doğrudan artırır.

Bize e-posta gönderin

Özellikler

Ekipman Tanıtımı

Wafer oryantasyon cihazları, öncelikli olarak yarı iletken imalatı, optik malzemeler, seramikler ve diğer kristal malzeme endüstrilerinde kullanılan, X-ışını kırınımı (XRD) prensiplerine dayalı hassas cihazlardır.

Bu cihazlar, kristal kafes yönünü belirler ve hassas kesme veya parlatma işlemlerine rehberlik eder. Temel özellikleri şunlardır:

Yüksek hassasiyetli ölçümler:0,001°'ye kadar açısal çözünürlüklerle kristalografik düzlemleri çözebilme yeteneğine sahiptir.
Büyük örnek uyumluluğu:Çapı 450 mm'ye kadar ve ağırlığı 30 kg'a kadar olan gofretleri destekler, silisyum karbür (SiC), safir ve silisyum (Si) gibi malzemeler için uygundur.
Modüler tasarım:Genişletilebilir işlevler arasında salınım eğrisi analizi, 3 boyutlu yüzey kusuru haritalaması ve çoklu örnek işleme için istifleme cihazları yer almaktadır.

Temel Teknik Parametreler

Parametre Kategorisi	Tipik Değerler/Yapılandırma
X-ışını Kaynağı	Cu-Kα (0,4×1 mm odak noktası), 30 kV hızlandırma voltajı, 0–5 mA ayarlanabilir tüp akımı
Açısal Aralık	θ: -10° ila +50°; 2θ: -10° ila +100°
Doğruluk	Eğim açısı çözünürlüğü: 0,001°, yüzey kusuru tespiti: ±30 ark saniyesi (sallanma eğrisi)
Tarama Hızı	Omega taraması tam kafes yönelimini 5 saniyede tamamlar; Teta taraması ~1 dakika sürer
Örnek Aşaması	V-oluk, pnömatik emiş, çok açılı dönüş, 2-8 inçlik gofretler ile uyumlu
Genişletilebilir Fonksiyonlar	Salınım eğrisi analizi, 3B haritalama, istifleme cihazı, optik kusur tespiti (çizikler, GB'ler)

Çalışma Prensibi

1. X-ışını Kırınımı Temeli

X ışınları, kristal kafesteki atom çekirdekleri ve elektronlarla etkileşime girerek kırınım desenleri oluşturur. Bragg Yasası (nλ = 2d sinθ), kırınım açıları (θ) ile kafes aralığı (d) arasındaki ilişkiyi düzenler.
Dedektörler bu desenleri yakalar ve kristalografik yapıyı yeniden oluşturmak için analiz edilir.

2. Omega Tarama Teknolojisi

Kristal, X ışınları tarafından aydınlatılırken sabit bir eksen etrafında sürekli döner.
Dedektörler, birden fazla kristalografik düzlemde kırınım sinyallerini toplayarak, 5 saniyede tam kafes yönelimi belirlemeyi mümkün kılıyor.

3. Salıncak Eğrisi Analizi

Tepe genişliğini (FWHM) ölçmek, kafes kusurlarını ve gerilimi değerlendirmek için değişen X-ışını geliş açılarına sahip sabit kristal açısı.

4. Otomatik Kontrol

PLC ve dokunmatik ekran arayüzleri, önceden ayarlanmış kesme açıları, gerçek zamanlı geri bildirim ve kapalı devre kontrol için kesme makineleriyle entegrasyona olanak tanır.

Avantajlar ve Özellikler

1. Hassasiyet ve Verimlilik

Açısal doğruluk ±0,001°, hata tespit çözünürlüğü <30 ark saniye.
Omega tarama hızı geleneksel Theta taramalarına göre 200 kat daha hızlıdır.

2. Modülerlik ve Ölçeklenebilirlik

Özel uygulamalar için genişletilebilir (örneğin, SiC gofretler, türbin kanatları).
Gerçek zamanlı üretim takibi için MES sistemleriyle entegre olur.

3. Uyumluluk ve Kararlılık

Düzensiz şekilli numunelere (örneğin çatlak safir külçeleri) uygundur.
Hava soğutmalı tasarımı bakım ihtiyacını azaltır.

4. Akıllı Operasyon

Tek tıkla kalibrasyon ve çoklu görev işleme.
İnsan hatasını en aza indirmek için referans kristallerle otomatik kalibrasyon.

Uygulamalar

1. Yarı İletken Üretimi

Wafer kesme yönü: Optimize edilmiş kesme verimliliği için Si, SiC, GaN wafer yönlerini belirler.
Kusur haritalaması: Talaş verimini artırmak için yüzey çiziklerini veya çıkıklarını belirler.

2. Optik Malzemeler

Lazer cihazları için doğrusal olmayan kristaller (örneğin LBO, BBO).
LED alt tabakalar için safir gofret referans yüzey işaretlemesi.

3. Seramikler ve Kompozitler

Yüksek sıcaklık uygulamaları için Si3N4 ve ZrO2'deki tane yönelimini analiz eder.

4. Araştırma ve Kalite Kontrol

Yeni malzeme geliştirme (örneğin, yüksek entropili alaşımlar) için üniversiteler/laboratuvarlar.
Parti tutarlılığını sağlamak için endüstriyel kalite kontrol.

XKH'nin Hizmetleri

XKH, kurulum, proses parametre optimizasyonu, salınım eğrisi analizi ve 3B yüzey kusur haritalaması dahil olmak üzere, yonga yönlendirme cihazları için kapsamlı yaşam döngüsü teknik desteği sunar. Yarı iletken ve optik malzeme üretim verimliliğini %30'un üzerinde artırmak için özel çözümler (örneğin, külçe istifleme teknolojisi) sağlanır. Özel bir ekip yerinde eğitim verirken, 7/24 uzaktan destek ve hızlı yedek parça değişimi ekipman güvenilirliğini sağlar.

Öncesi: Yüksek Sıcaklık Direncine Sahip Gofret Taşıyıcısı için SiC Seramik Tepsi

Sonraki: Mücevher Üretimi İçin Laboratuvarda Üretilen Sarı Safir Hammaddesi