Silisyum karbür elmas tel kesme makinesi 4/6/8/12 inç SiC külçe işleme
Çalışma prensibi:
1. Külçe sabitleme: SiC külçesi (4H/6H-SiC), konum doğruluğunu (±0,02 mm) sağlamak için fikstür vasıtasıyla kesme platformuna sabitlenir.
2. Elmas hat hareketi: Elmas hat (yüzeyine elektrolizle kaplanmış elmas parçacıkları), yüksek hızlı dolaşım için kılavuz tekerlek sistemi tarafından tahrik edilir (hat hızı 10~30 m/s).
3. Kesme beslemesi: Külçe, belirlenen yönde beslenir ve elmas çizgi, birden fazla paralel çizgi (100~500 çizgi) ile eş zamanlı olarak kesilerek birden fazla plaka oluşturulur.
4. Soğutma ve talaş uzaklaştırma: Isı hasarını azaltmak ve talaşları uzaklaştırmak için kesme alanına soğutucu (iyonize su + katkı maddeleri) püskürtün.
Başlıca parametreler:
1. Kesme hızı: 0,2~1,0 mm/dak (SiC kristalinin yönüne ve kalınlığına bağlı olarak).
2. Misina gerginliği: 20~50N (çok yüksekse misina kopabilir, çok düşükse kesim hassasiyetini etkiler).
3. Yonga levha kalınlığı: standart 350~500 μm, yonga levha kalınlığı 100 μm'ye kadar ulaşabilir.
Başlıca özellikler:
(1) Kesme doğruluğu
Kalınlık toleransı: ±5 μm (@350 μm wafer), geleneksel harçla kesime göre daha iyi (±20 μm).
Yüzey pürüzlülüğü: Ra<0,5μm (sonraki işlem miktarını azaltmak için ek taşlama gerekmez).
Çarpılma: <10μm (sonraki parlatma işleminin zorluğunu azaltır).
(2) İşleme verimliliği
Çoklu hat kesimi: Tek seferde 100 ila 500 parça kesim yapabilme özelliği sayesinde üretim kapasitesini 3 ila 5 kat artırır (tek hat kesimine kıyasla).
Hat ömrü: Elmas hat, külçe sertliğine ve işlem optimizasyonuna bağlı olarak 100~300 km SiC kesebilir.
(3) Düşük hasarlı işlem
Kenar kırılması: <15μm (geleneksel kesim >50μm), gofret verimini artırır.
Yüzey altı hasar tabakası: <5μm (cilalama ile malzeme çıkarılmasını azaltır).
(4) Çevre koruma ve ekonomi
Harç kirliliği yok: Harçla kesmeye kıyasla atık sıvı bertaraf maliyetlerinde azalma.
Malzeme kullanımı: Kesici kayıp <100μm/kesici, SiC hammaddesinden tasarruf sağlar.
Kesme etkisi:
1. Yonga levha kalitesi: Yüzeyde makroskopik çatlak yok, mikroskopik kusurlar az (kontrol edilebilir dislokasyon uzantısı). Doğrudan kaba parlatma aşamasına geçebilir, işlem akışını kısaltır.
2. Tutarlılık: Partideki gofret kalınlığı sapması <±%3'tür, otomatik üretime uygundur.
3.Uygulanabilirlik: 4H/6H-SiC külçe kesimini destekler, iletken/yarı yalıtkan tiplerle uyumludur.
Teknik özellikler:
| Özellikler | Detaylar |
| Boyutlar (Uzunluk × Genişlik × Yükseklik) | 2500x2300x2500 veya özelleştirin |
| İşleme malzemesi boyut aralığı | 4, 6, 8, 10, 12 inç silisyum karbür |
| Yüzey pürüzlülüğü | Ra≤0.3u |
| Ortalama kesme hızı | 0,3 mm/dakika |
| Ağırlık | 5,5 ton |
| Kesme işlemi ayar adımları | ≤30 adım |
| Ekipman gürültüsü | ≤80 dB |
| Çelik tel gerilimi | 0~110N (0,25 tel gerilimi 45N'dir) |
| Çelik tel hızı | 0~30 m/s |
| Toplam güç | 50 kW |
| Elmas tel çapı | ≥0,18 mm |
| Uç düzlüğü | ≤0,05 mm |
| Kesme ve kırma oranı | ≤%1 (insan kaynaklı nedenler, silikon malzeme, hat, bakım ve diğer nedenler hariç) |
XKH Hizmetleri:
XKH, müşterilerinin yüksek verim (>%95) ve düşük maliyetli SiC wafer seri üretimini gerçekleştirmelerine yardımcı olmak için, ekipman seçimi (tel çapı/tel hızı eşleştirme), proses geliştirme (kesme parametresi optimizasyonu), sarf malzemesi temini (elmas tel, kılavuz tekerlek) ve satış sonrası destek (ekipman bakımı, kesme kalitesi analizi) dahil olmak üzere silisyum karbür elmas tel kesme makinesinin tüm süreç hizmetini sunmaktadır. Ayrıca, 4-8 haftalık teslim süresiyle özelleştirilmiş yükseltmeler (örneğin ultra ince kesim, otomatik yükleme ve boşaltma) de sunmaktadır.
Ayrıntılı Diyagram





