Silisyum karbür elmas tel kesme makinesi 4/6/8/12 inç SiC külçe işleme
Çalışma prensibi:
1. Külçe sabitleme: SiC külçe (4H/6H-SiC), pozisyon doğruluğunun (±0,02 mm) sağlanması için fikstür aracılığıyla kesme platformuna sabitlenir.
2. Elmas çizgi hareketi: Elmas çizgi (yüzeydeki elektrolizle kaplanmış elmas parçacıkları) yüksek hızlı sirkülasyon için (çizgi hızı 10~30m/s) kılavuz tekerlek sistemi tarafından tahrik edilir.
3. Kesme beslemesi: külçe belirlenen yön boyunca beslenir ve elmas hattı, birden fazla paralel hat (100~500 hat) ile aynı anda kesilerek birden fazla gofret oluşturulur.
4. Soğutma ve talaş kaldırma: Isı hasarını azaltmak ve talaşları kaldırmak için kesme alanına soğutma sıvısı (deiyonize su + katkı maddeleri) püskürtün.
Anahtar parametreler:
1. Kesme hızı: 0,2~1,0mm/dak (SiC kristal yönüne ve kalınlığına bağlı olarak).
2. Misina gerginliği: 20~50N (çok yüksek, misinanın kopması kolaydır, çok düşük ise kesme hassasiyetini etkiler).
3.Wafer kalınlığı: standart 350~500μm, wafer 100μm'ye ulaşabilir.
Başlıca özellikleri:
(1) Kesme doğruluğu
Kalınlık toleransı: ±5μm (@350μm gofret), geleneksel harç kesiminden (±20μm) daha iyi.
Yüzey pürüzlülüğü: Ra<0,5μm (sonraki işlem miktarını azaltmak için ilave taşlama gerekmez).
Eğilme: <10μm (sonraki cilalamanın zorluğunu azaltır).
(2) İşleme verimliliği
Çok hatlı kesim: Tek hatlı kesime kıyasla, aynı anda 100~500 parça keserek üretim kapasitesini 3~5 kat artırır.
Hat ömrü: Elmas hat, külçe sertliğine ve proses optimizasyonuna bağlı olarak 100~300km SiC kesebilir.
(3) Düşük hasar işleme
Kenar kırılması: <15μm (geleneksel kesim >50μm), gofret verimini artırır.
Alt yüzey hasar tabakası: <5μm (parlatma giderimini azaltır).
(4) Çevre koruma ve ekonomi
Harç kirliliği yok: Harç kesme işlemine kıyasla atık sıvı bertaraf maliyetlerinin azalması.
Malzeme kullanımı: Kesme kaybı <100μm/kesici, SiC hammaddelerinden tasarruf sağlar.
Kesme etkisi:
1. Wafer kalitesi: yüzeyde makroskobik çatlak yok, birkaç mikroskobik kusur (kontrol edilebilir dislokasyon uzantısı). Doğrudan kaba parlatma bağlantısına girebilir, işlem akışını kısaltabilir.
2. Tutarlılık: Partideki gofretin kalınlık sapması <±%3'tür, otomatik üretime uygundur.
3.Uygulanabilirlik: 4H/6H-SiC külçe kesimini destekler, iletken/yarı yalıtımlı tiple uyumludur.
Teknik özellikler:
Şartname | Detaylar |
Boyutlar (U × G × Y) | 2500x2300x2500 veya özelleştirin |
İşleme malzemesi boyut aralığı | 4, 6, 8, 10, 12 inç silisyum karbür |
Yüzey pürüzlülüğü | Ra≤0.3u |
Ortalama kesme hızı | 0,3 mm/dak |
Ağırlık | 5.5t |
Kesme işlemi ayar adımları | ≤30 adım |
Ekipman gürültüsü | ≤80 dB |
Çelik tel gerginliği | 0~110N(0.25 tel gerginliği 45N'dir) |
Çelik tel hızı | 0~30m/sn |
Toplam güç | 50kw |
Elmas tel çapı | ≥0,18 mm |
Düzlüğe son | ≤0,05 mm |
Kesme ve kırma oranı | ≤1%(insan kaynaklı sebepler, silikon malzeme, hat, bakım ve diğer sebepler hariç) |
XKH Hizmetleri:
XKH, müşterilerin yüksek verim (>%95), düşük maliyetli SiC gofret seri üretimine ulaşmalarına yardımcı olmak için ekipman seçimi (tel çapı/tel hızı eşleştirme), süreç geliştirme (kesim parametresi optimizasyonu), sarf malzemeleri tedariki (elmas tel, kılavuz tekerlek) ve satış sonrası destek (ekipman bakımı, kesme kalitesi analizi) dahil olmak üzere silisyum karbür elmas tel kesme makinesinin tüm süreç hizmetini sağlar. Ayrıca 4-8 haftalık bir teslim süresiyle özelleştirilmiş yükseltmeler (ultra ince kesme, otomatik yükleme ve boşaltma gibi) sunar.
Ayrıntılı Diyagram


