SiC levha 4H-N 6H-N HPSI 4H-yarı 6H-yarı 4H-P 6H-P 3C tipi 2 inç 3 inç 4 inç 6 inç 8 inç
Özellikler
4H-N ve 6H-N (N tipi SiC Wafer'lar)
Başvuru:Başlıca güç elektroniği, optoelektronik ve yüksek sıcaklık uygulamalarında kullanılır.
Çap Aralığı:50,8 mm'den 200 mm'ye.
Kalınlık:350 μm ± 25 μm, opsiyonel olarak 500 μm ± 25 μm kalınlıklarda.
Direnç:N tipi 4H/6H-P: ≤ 0,1 Ω·cm (Z sınıfı), ≤ 0,3 Ω·cm (P sınıfı); N tipi 3C-N: ≤ 0,8 mΩ·cm (Z sınıfı), ≤ 1 mΩ·cm (P sınıfı).
Pürüzlülük:Ra ≤ 0,2 nm (CMP veya MP).
Mikro Boru Yoğunluğu (MPD):< 1 adet/cm².
TTV: Tüm çaplar için ≤ 10 μm.
Çarpıtma: ≤ 30 μm (8 inçlik gofretler için ≤ 45 μm).
Kenar Hariç Tutma:Gofret tipine bağlı olarak 3 mm ile 6 mm arasında.
Ambalajlama:Çoklu gofret kaseti veya tek gofret kabı.
Diğer mevcut boyutlar 3 inç 4 inç 6 inç 8 inç
HPSI (Yüksek Saflıkta Yarı Yalıtımlı SiC Wafer'lar)
Başvuru:RF cihazları, fotonik uygulamalar ve sensörler gibi yüksek direnç ve kararlı performans gerektiren cihazlarda kullanılır.
Çap Aralığı:50,8 mm'den 200 mm'ye.
Kalınlık:350 μm ± 25 μm standart kalınlık, 500 μm'ye kadar daha kalın gofretler için seçenekler.
Pürüzlülük:Ra ≤ 0,2 nm.
Mikro Boru Yoğunluğu (MPD): ≤ 1 adet/cm².
Direnç:Yüksek direnç, genellikle yarı yalıtkan uygulamalarda kullanılır.
Çarpıtma: ≤ 30 μm (daha küçük boyutlar için), ≤ 45 μm daha büyük çaplar için.
TTV: ≤ 10 μm.
Diğer mevcut boyutlar 3 inç 4 inç 6 inç 8 inç
4H-P、6H-P&3C SiC gofret(P tipi SiC Wafer'lar)
Başvuru:Öncelikle güç ve yüksek frekanslı cihazlar için.
Çap Aralığı:50,8 mm'den 200 mm'ye.
Kalınlık:350 μm ± 25 μm veya özelleştirilmiş seçenekler.
Direnç:P tipi 4H/6H-P: ≤ 0,1 Ω·cm (Z sınıfı), ≤ 0,3 Ω·cm (P sınıfı).
Pürüzlülük:Ra ≤ 0,2 nm (CMP veya MP).
Mikro Boru Yoğunluğu (MPD):< 1 adet/cm².
TTV: ≤ 10 μm.
Kenar Hariç Tutma:3 mm ile 6 mm arası.
Çarpıtma: Daha küçük boyutlar için ≤ 30 μm, daha büyük boyutlar için ≤ 45 μm.
Diğer mevcut boyutlar 3 inç 4 inç 6 inç5×5 10×10
Kısmi Veri Parametreleri Tablosu
Mülk | 2 inç | 3 inç | 4 inç | 6 inç | 8 inç | |||
Tip | 4H-N/HPSI/ | 4H-N/HPSI/ | 4H-N/HPSI//4H/6H-P/3C; | 4H-N/HPSI//4H/6H-P/3C; | 4H-N/HPSI/4H-YARI | |||
Çap | 50,8 ± 0,3 mm | 76,2±0,3 mm | 100±0,3 mm | 150±0,3 mm | 200 ± 0,3 mm | |||
Kalınlık | 330 ± 25 um | 350 ±25 um | 350 ±25 um | 350 ±25 um | 350 ±25 um | |||
350±25um; | 500±25um | 500±25um | 500±25um | 500±25um | ||||
veya özelleştirilmiş | veya özelleştirilmiş | veya özelleştirilmiş | veya özelleştirilmiş | veya özelleştirilmiş | ||||
Pürüzlülük | Ra ≤ 0,2 nm | Ra ≤ 0,2 nm | Ra ≤ 0,2 nm | Ra ≤ 0,2 nm | Ra ≤ 0,2 nm | |||
Çarpıtma | ≤ 30um | ≤ 30um | ≤ 30um | ≤ 30um | ≤45um | |||
TTV | ≤ 10um | ≤ 10um | ≤ 10um | ≤ 10um | ≤ 10um | |||
Kazı/Kazma | CMP/MP | |||||||
MPD | <1ea/cm-2 | <1ea/cm-2 | <1ea/cm-2 | <1ea/cm-2 | <1ea/cm-2 | |||
Şekil | Yuvarlak, Düz 16mm;Uzunluk 22mm; Uzunluk 30/32.5mm; Uzunluk 47.5mm; ÇENTİK; ÇENTİK; | |||||||
Eğimli | 45°, YARI Özel; C Şekli | |||||||
Seviye | MOS&SBD için üretim sınıfı; Araştırma sınıfı; Sahte sınıf, Tohum gofret sınıfı | |||||||
Notlar | Çap, Kalınlık, Yönlendirme, yukarıdaki özellikler isteğiniz üzerine özelleştirilebilir |
Uygulamalar
·Güç Elektroniği
N tipi SiC yongalar, yüksek voltaj ve yüksek akımı idare edebilme kabiliyetleri nedeniyle güç elektroniği cihazlarında kritik öneme sahiptir. Yenilenebilir enerji, elektrikli araçlar ve endüstriyel otomasyon gibi sektörlerde güç dönüştürücülerinde, invertörlerde ve motor sürücülerinde yaygın olarak kullanılırlar.
· Optoelektronik
N tipi SiC malzemeler, özellikle optoelektronik uygulamalar için, ışık yayan diyotlar (LED'ler) ve lazer diyotlar gibi cihazlarda kullanılır. Yüksek ısı iletkenlikleri ve geniş bant aralıkları, onları yüksek performanslı optoelektronik cihazlar için ideal kılar.
·Yüksek Sıcaklık Uygulamaları
4H-N 6H-N SiC gofretler, yüksek sıcaklık ortamları için oldukça uygundur; örneğin, yüksek sıcaklıklarda ısı dağılımı ve kararlılığın kritik olduğu havacılık, otomotiv ve endüstriyel uygulamalarda kullanılan sensörler ve güç aygıtları gibi.
·RF Cihazları
4H-N 6H-N SiC yongaları, yüksek frekans aralıklarında çalışan radyo frekansı (RF) cihazlarında kullanılır. Yüksek güç verimliliği ve performans gerektiren haberleşme sistemleri, radar teknolojisi ve uydu iletişiminde kullanılırlar.
·Fotonik Uygulamalar
Fotonikte, SiC yongaları fotodedektör ve modülatör gibi cihazlarda kullanılır. Malzemenin benzersiz özellikleri, optik iletişim sistemleri ve görüntüleme cihazlarında ışık üretimi, modülasyonu ve algılamada etkili olmasını sağlar.
·Sensörler
SiC gofretler, özellikle diğer malzemelerin başarısız olabileceği zorlu ortamlarda olmak üzere çeşitli sensör uygulamalarında kullanılır. Bunlar arasında, otomotiv, petrol ve gaz ve çevre izleme gibi alanlarda önemli olan sıcaklık, basınç ve kimyasal sensörler bulunur.
·Elektrikli Araç Tahrik Sistemleri
SiC teknolojisi, tahrik sistemlerinin verimliliğini ve performansını artırarak elektrikli araçlarda önemli bir rol oynamaktadır. SiC güç yarı iletkenleri sayesinde elektrikli araçlar daha iyi pil ömrü, daha hızlı şarj süreleri ve daha yüksek enerji verimliliği elde edebilir.
·Gelişmiş Sensörler ve Fotonik Dönüştürücüler
Gelişmiş sensör teknolojilerinde, SiC yongaları robotik, tıbbi cihazlar ve çevresel izleme uygulamaları için yüksek hassasiyetli sensörler oluşturmak için kullanılır. Fotonik dönüştürücülerde ise, SiC'nin özelliklerinden yararlanılarak elektrik enerjisinin optik sinyallere verimli bir şekilde dönüştürülmesi sağlanır; bu da telekomünikasyon ve yüksek hızlı internet altyapısı için hayati önem taşır.
Soru & Cevap
Q:4H SiC’deki 4H nedir?
A:4H SiC'deki "4H", silisyum karbürün kristal yapısını, özellikle dört katmanlı altıgen formu (H) ifade eder. "H", altıgen politipinin türünü belirtir ve onu 6H veya 3C gibi diğer SiC politiplerinden ayırır.
Q:4H-SiC’nin ısıl iletkenliği nedir?
A4H-SiC'nin (Silisyum Karbür) ısıl iletkenliği oda sıcaklığında yaklaşık 490-500 W/m·K'dir. Bu yüksek ısıl iletkenlik, verimli ısı dağılımının kritik önem taşıdığı güç elektroniği ve yüksek sıcaklık ortamlarındaki uygulamalar için idealdir.