SiC levha 4H-N 6H-N HPSI 4H-yarı 6H-yarı 4H-P 6H-P 3C tipi 2 inç 3 inç 4 inç 6 inç 8 inç

Kısa Açıklama:

Özellikle gelişmiş optoelektronik, güç cihazları ve yüksek sıcaklık ortamlarındaki uygulamalar için ideal olan N tipi 4H-N ve 6H-N gofretlere odaklanarak, çeşitli yüksek kaliteli SiC (Silisyum Karbür) gofret seçenekleri sunuyoruz. Bu N tipi gofretler, olağanüstü termal iletkenlikleri, olağanüstü elektriksel kararlılıkları ve olağanüstü dayanıklılıklarıyla bilinir ve bu da onları güç elektroniği, elektrikli araç tahrik sistemleri, yenilenebilir enerji invertörleri ve endüstriyel güç kaynakları gibi yüksek performanslı uygulamalar için mükemmel kılar. N tipi ürünlerimize ek olarak, yüksek frekanslı ve RF cihazları ile fotonik uygulamalar gibi özel ihtiyaçlar için P tipi 4H/6H-P ve 3C SiC gofretleri de sağlıyoruz. Gofretlerimiz 2 inçten 8 inçe kadar değişen boyutlarda mevcuttur ve çeşitli endüstriyel sektörlerin özel gereksinimlerini karşılamak için özel çözümler sunuyoruz. Daha fazla bilgi veya sorularınız için lütfen bizimle iletişime geçmekten çekinmeyin.


Özellikler

Özellikler

4H-N ve 6H-N (N tipi SiC Wafer'lar)

Başvuru:Başlıca güç elektroniği, optoelektronik ve yüksek sıcaklık uygulamalarında kullanılır.

Çap Aralığı:50,8 mm'den 200 mm'ye.

Kalınlık:350 μm ± 25 μm, opsiyonel olarak 500 μm ± 25 μm kalınlıklarda.

Direnç:N tipi 4H/6H-P: ≤ 0,1 Ω·cm (Z sınıfı), ≤ 0,3 Ω·cm (P sınıfı); N tipi 3C-N: ≤ 0,8 mΩ·cm (Z sınıfı), ≤ 1 mΩ·cm (P sınıfı).

Pürüzlülük:Ra ≤ 0,2 nm (CMP veya MP).

Mikro Boru Yoğunluğu (MPD):< 1 adet/cm².

TTV: Tüm çaplar için ≤ 10 μm.

Çarpıtma: ≤ 30 μm (8 inçlik gofretler için ≤ 45 μm).

Kenar Hariç Tutma:Gofret tipine bağlı olarak 3 mm ile 6 mm arasında.

Ambalajlama:Çoklu gofret kaseti veya tek gofret kabı.

Diğer mevcut boyutlar 3 inç 4 inç 6 inç 8 inç

HPSI (Yüksek Saflıkta Yarı Yalıtımlı SiC Wafer'lar)

Başvuru:RF cihazları, fotonik uygulamalar ve sensörler gibi yüksek direnç ve kararlı performans gerektiren cihazlarda kullanılır.

Çap Aralığı:50,8 mm'den 200 mm'ye.

Kalınlık:350 μm ± 25 μm standart kalınlık, 500 μm'ye kadar daha kalın gofretler için seçenekler.

Pürüzlülük:Ra ≤ 0,2 nm.

Mikro Boru Yoğunluğu (MPD): ≤ 1 adet/cm².

Direnç:Yüksek direnç, genellikle yarı yalıtkan uygulamalarda kullanılır.

Çarpıtma: ≤ 30 μm (daha küçük boyutlar için), ≤ 45 μm daha büyük çaplar için.

TTV: ≤ 10 μm.

Diğer mevcut boyutlar 3 inç 4 inç 6 inç 8 inç

4H-P6H-P&3C SiC gofret(P tipi SiC Wafer'lar)

Başvuru:Öncelikle güç ve yüksek frekanslı cihazlar için.

Çap Aralığı:50,8 mm'den 200 mm'ye.

Kalınlık:350 μm ± 25 μm veya özelleştirilmiş seçenekler.

Direnç:P tipi 4H/6H-P: ≤ 0,1 Ω·cm (Z sınıfı), ≤ 0,3 Ω·cm (P sınıfı).

Pürüzlülük:Ra ≤ 0,2 nm (CMP veya MP).

Mikro Boru Yoğunluğu (MPD):< 1 adet/cm².

TTV: ≤ 10 μm.

Kenar Hariç Tutma:3 mm ile 6 mm arası.

Çarpıtma: Daha küçük boyutlar için ≤ 30 μm, daha büyük boyutlar için ≤ 45 μm.

Diğer mevcut boyutlar 3 inç 4 inç 6 inç5×5 10×10

Kısmi Veri Parametreleri Tablosu

Mülk

2 inç

3 inç

4 inç

6 inç

8 inç

Tip

4H-N/HPSI/
6H-N/4H/6H-P/3C;

4H-N/HPSI/
6H-N/4H/6H-P/3C;

4H-N/HPSI//4H/6H-P/3C;

4H-N/HPSI//4H/6H-P/3C;

4H-N/HPSI/4H-YARI

Çap

50,8 ± 0,3 mm

76,2±0,3 mm

100±0,3 mm

150±0,3 mm

200 ± 0,3 mm

Kalınlık

330 ± 25 um

350 ±25 um

350 ±25 um

350 ±25 um

350 ±25 um

350±25um;

500±25um

500±25um

500±25um

500±25um

veya özelleştirilmiş

veya özelleştirilmiş

veya özelleştirilmiş

veya özelleştirilmiş

veya özelleştirilmiş

Pürüzlülük

Ra ≤ 0,2 nm

Ra ≤ 0,2 nm

Ra ≤ 0,2 nm

Ra ≤ 0,2 nm

Ra ≤ 0,2 nm

Çarpıtma

≤ 30um

≤ 30um

≤ 30um

≤ 30um

≤45um

TTV

≤ 10um

≤ 10um

≤ 10um

≤ 10um

≤ 10um

Kazı/Kazma

CMP/MP

MPD

<1ea/cm-2

<1ea/cm-2

<1ea/cm-2

<1ea/cm-2

<1ea/cm-2

Şekil

Yuvarlak, Düz 16mm;Uzunluk 22mm; Uzunluk 30/32.5mm; Uzunluk 47.5mm; ÇENTİK; ÇENTİK;

Eğimli

45°, YARI Özel; C Şekli

 Seviye

MOS&SBD için üretim sınıfı; Araştırma sınıfı; Sahte sınıf, Tohum gofret sınıfı

Notlar

Çap, Kalınlık, Yönlendirme, yukarıdaki özellikler isteğiniz üzerine özelleştirilebilir

 

Uygulamalar

·Güç Elektroniği

N tipi SiC yongalar, yüksek voltaj ve yüksek akımı idare edebilme kabiliyetleri nedeniyle güç elektroniği cihazlarında kritik öneme sahiptir. Yenilenebilir enerji, elektrikli araçlar ve endüstriyel otomasyon gibi sektörlerde güç dönüştürücülerinde, invertörlerde ve motor sürücülerinde yaygın olarak kullanılırlar.

· Optoelektronik
N tipi SiC malzemeler, özellikle optoelektronik uygulamalar için, ışık yayan diyotlar (LED'ler) ve lazer diyotlar gibi cihazlarda kullanılır. Yüksek ısı iletkenlikleri ve geniş bant aralıkları, onları yüksek performanslı optoelektronik cihazlar için ideal kılar.

·Yüksek Sıcaklık Uygulamaları
4H-N 6H-N SiC gofretler, yüksek sıcaklık ortamları için oldukça uygundur; örneğin, yüksek sıcaklıklarda ısı dağılımı ve kararlılığın kritik olduğu havacılık, otomotiv ve endüstriyel uygulamalarda kullanılan sensörler ve güç aygıtları gibi.

·RF Cihazları
4H-N 6H-N SiC yongaları, yüksek frekans aralıklarında çalışan radyo frekansı (RF) cihazlarında kullanılır. Yüksek güç verimliliği ve performans gerektiren haberleşme sistemleri, radar teknolojisi ve uydu iletişiminde kullanılırlar.

·Fotonik Uygulamalar
Fotonikte, SiC yongaları fotodedektör ve modülatör gibi cihazlarda kullanılır. Malzemenin benzersiz özellikleri, optik iletişim sistemleri ve görüntüleme cihazlarında ışık üretimi, modülasyonu ve algılamada etkili olmasını sağlar.

·Sensörler
SiC gofretler, özellikle diğer malzemelerin başarısız olabileceği zorlu ortamlarda olmak üzere çeşitli sensör uygulamalarında kullanılır. Bunlar arasında, otomotiv, petrol ve gaz ve çevre izleme gibi alanlarda önemli olan sıcaklık, basınç ve kimyasal sensörler bulunur.

·Elektrikli Araç Tahrik Sistemleri
SiC teknolojisi, tahrik sistemlerinin verimliliğini ve performansını artırarak elektrikli araçlarda önemli bir rol oynamaktadır. SiC güç yarı iletkenleri sayesinde elektrikli araçlar daha iyi pil ömrü, daha hızlı şarj süreleri ve daha yüksek enerji verimliliği elde edebilir.

·Gelişmiş Sensörler ve Fotonik Dönüştürücüler
Gelişmiş sensör teknolojilerinde, SiC yongaları robotik, tıbbi cihazlar ve çevresel izleme uygulamaları için yüksek hassasiyetli sensörler oluşturmak için kullanılır. Fotonik dönüştürücülerde ise, SiC'nin özelliklerinden yararlanılarak elektrik enerjisinin optik sinyallere verimli bir şekilde dönüştürülmesi sağlanır; bu da telekomünikasyon ve yüksek hızlı internet altyapısı için hayati önem taşır.

Soru & Cevap

Q:4H SiC’deki 4H nedir?
A:4H SiC'deki "4H", silisyum karbürün kristal yapısını, özellikle dört katmanlı altıgen formu (H) ifade eder. "H", altıgen politipinin türünü belirtir ve onu 6H veya 3C gibi diğer SiC politiplerinden ayırır.

Q:4H-SiC’nin ısıl iletkenliği nedir?
A4H-SiC'nin (Silisyum Karbür) ısıl iletkenliği oda sıcaklığında yaklaşık 490-500 W/m·K'dir. Bu yüksek ısıl iletkenlik, verimli ısı dağılımının kritik önem taşıdığı güç elektroniği ve yüksek sıcaklık ortamlarındaki uygulamalar için idealdir.


  • Öncesi:
  • Sonraki:

  • Mesajınızı buraya yazın ve bize gönderin