InGaAs epitaksiyel gofret alt tabakası PD Dizisi fotodedektör dizileri LiDAR için kullanılabilir
InGaAs lazer epitaksiyel levhanın temel özellikleri şunlardır:
1. Kafes uyumu: InGaAs epitaksiyel tabakası ile InP veya GaAs alt tabakası arasında iyi kafes uyumu elde edilebilir, böylece epitaksiyel tabakanın kusur yoğunluğu azaltılır ve cihazın performansı iyileştirilir.
2. Ayarlanabilir bant aralığı: InGaAs malzemesinin bant aralığı, In ve Ga bileşenlerinin oranının ayarlanmasıyla elde edilebilir, bu da InGaAs epitaksiyel levhanın optoelektronik cihazlarda geniş bir uygulama yelpazesine sahip olmasını sağlar.
3. Yüksek fotosensitivite: InGaAs epitaksiyel filmi ışığa karşı yüksek bir hassasiyete sahiptir, bu da onu fotoelektrik algılama, optik iletişim ve diğer benzersiz avantajlar alanında öne çıkarır.
4. Yüksek sıcaklık kararlılığı: InGaAs/InP epitaksiyel yapısı mükemmel yüksek sıcaklık kararlılığına sahiptir ve yüksek sıcaklıklarda kararlı cihaz performansını koruyabilir.
InGaAs lazer epitaksiyel tabletlerin başlıca uygulamaları şunlardır:
1. Optoelektronik cihazlar: InGaAs epitaksiyel tabletler, optik haberleşme, gece görüşü ve diğer alanlarda geniş uygulama alanına sahip fotodiyotlar, fotodedektörler ve diğer optoelektronik cihazların üretiminde kullanılabilir.
2. Lazerler: InGaAs epitaksiyel levhalar, özellikle optik fiber iletişiminde, endüstriyel işlemede ve diğer alanlarda önemli rol oynayan uzun dalga boylu lazerler olmak üzere lazerlerin üretiminde de kullanılabilir.
3. Güneş pilleri: InGaAs malzemesi, termal fotovoltaik hücrelerin gerektirdiği bant aralığı gereksinimlerini karşılayabilen geniş bir bant aralığı ayar aralığına sahiptir, bu nedenle InGaAs epitaksiyel levhanın güneş pilleri alanında da belirli uygulama potansiyeli vardır.
4. Tıbbi görüntüleme: Tıbbi görüntüleme cihazlarında (BT, MR vb.) tespit ve görüntüleme amacıyla.
5. Sensör ağı: Çevresel izleme ve gaz tespitinde birden fazla parametre aynı anda izlenebilir.
6. Endüstriyel otomasyon: Üretim hattındaki nesnelerin durumunu ve kalitesini izlemek için makine görüş sistemlerinde kullanılır.
Gelecekte, InGaAs epitaksiyel alt tabakanın malzeme özellikleri, fotoelektrik dönüşüm verimliliğinin iyileştirilmesi ve gürültü seviyelerinin azaltılması da dahil olmak üzere gelişmeye devam edecektir. Bu, InGaAs epitaksiyel alt tabakanın optoelektronik cihazlarda daha yaygın kullanılmasını sağlayacak ve performansı daha mükemmel hale getirecektir. Aynı zamanda, daha geniş pazarın ihtiyaçlarını karşılamak için maliyetleri düşürmek ve verimliliği artırmak amacıyla hazırlama süreci de sürekli olarak optimize edilecektir.
Genel olarak, InGaAs epitaksiyel alt tabaka, benzersiz özellikleri ve geniş uygulama olanakları ile yarı iletken malzemeler alanında önemli bir konuma sahiptir.
XKH, optoelektronik cihazlar, lazerler ve güneş pilleri için geniş bir uygulama yelpazesini kapsayan, farklı yapı ve kalınlıklarda InGaAs epitaksiyel levhaların özelleştirilmesini sunmaktadır. XKH ürünleri, yüksek performans ve güvenilirlik sağlamak için gelişmiş MOCVD ekipmanlarıyla üretilmektedir. Lojistik açısından XKH, sipariş sayısını esnek bir şekilde karşılayabilen ve iyileştirme ve segmentasyon gibi katma değerli hizmetler sunabilen geniş bir uluslararası kaynak kanalı yelpazesine sahiptir. Verimli teslimat süreçleri, zamanında teslimatı garanti altına alır ve müşterilerin kalite ve teslimat süreleri konusundaki gereksinimlerini karşılar.
Ayrıntılı Diyagram


