2 inç, 3 inç, 4 inç InP epitaksiyel gofret alt tabaka APD ışık dedektörü, fiber optik iletişim veya LiDAR için
InP lazer epitaksiyel tabakasının temel özellikleri şunlardır:
1. Bant aralığı özellikleri: InP, özellikle 1,3 μm ile 1,5 μm dalga boyu aralığında uzun dalga kızılötesi ışık algılama için uygun olan dar bir bant aralığına sahiptir.
2. Optik performans: InP epitaksiyel film, farklı dalga boylarında ışık gücü ve dış kuantum verimliliği gibi iyi optik performansa sahiptir. Örneğin, 480 nm'de ışık gücü ve dış kuantum verimliliği sırasıyla %11,2 ve %98,8'dir.
3. Taşıyıcı dinamikleri: InP nanopartikülleri (NP'ler), epitaksiyel büyüme sırasında çift üstel bozunma davranışı sergiler. Hızlı bozunma süresi, taşıyıcıların InGaAs katmanına enjeksiyonuna atfedilirken, yavaş bozunma süresi InP NP'lerindeki taşıyıcı rekombinasyonuna bağlıdır.
4. Yüksek sıcaklık özellikleri: AlGaInAs/InP kuantum kuyusu malzemesi, yüksek sıcaklıklarda mükemmel performans gösterir; bu da akım sızıntısını etkili bir şekilde önleyerek lazerin yüksek sıcaklık özelliklerini iyileştirir.
5. Üretim süreci: Yüksek kaliteli filmler elde etmek için InP epitaksiyel tabakaları genellikle moleküler ışın epitaksisi (MBE) veya metal-organik kimyasal buhar biriktirme (MOCVD) teknolojisi kullanılarak alt tabaka üzerine büyütülür.
Bu özellikler, InP lazer epitaksiyel levhaların optik fiber iletişimi, kuantum anahtar dağıtımı ve uzaktan optik algılama alanlarında önemli uygulamalara sahip olmasını sağlamaktadır.
InP lazer epitaksiyel tabletlerin başlıca uygulama alanları şunlardır:
1. Fotonik: InP lazerler ve dedektörler optik iletişimde, veri merkezlerinde, kızılötesi görüntülemede, biyometride, 3 boyutlu algılamada ve LiDAR'da yaygın olarak kullanılmaktadır.
2. Telekomünikasyon: InP malzemeleri, özellikle optik fiber iletişiminde, silikon tabanlı uzun dalga boylu lazerlerin büyük ölçekli entegrasyonunda önemli uygulamalara sahiptir.
3. Kızılötesi Lazerler: InP tabanlı kuantum kuyusu lazerlerinin orta kızılötesi banttaki (örneğin 4-38 mikron) uygulamaları arasında gaz algılama, patlayıcı tespiti ve kızılötesi görüntüleme yer almaktadır.
4. Silikon fotoniği: Heterojen entegrasyon teknolojisi aracılığıyla, InP lazeri silikon tabanlı bir alt tabakaya aktarılarak çok fonksiyonlu bir silikon optoelektronik entegrasyon platformu oluşturulur.
5. Yüksek performanslı lazerler: InP malzemeleri, 1,5 mikron dalga boyuna sahip InGaAsP-InP transistör lazerleri gibi yüksek performanslı lazerlerin üretiminde kullanılır.
XKH, optik iletişim, sensörler, 4G/5G baz istasyonları gibi çeşitli uygulamaları kapsayan, farklı yapı ve kalınlıklarda özelleştirilmiş InP epitaksiyel wafer'lar sunmaktadır. XKH ürünleri, yüksek performans ve güvenilirlik sağlamak için gelişmiş MOCVD ekipmanları kullanılarak üretilmektedir. Lojistik açısından, XKH geniş bir uluslararası tedarik kanalına sahiptir, sipariş sayısını esnek bir şekilde yönetebilir ve inceltme, segmentasyon vb. katma değerli hizmetler sunabilir. Verimli teslimat süreçleri, zamanında teslimatı sağlar ve müşterilerin kalite ve teslimat süreleri gereksinimlerini karşılar. Ürünler teslim edildikten sonra, müşteriler ürünün sorunsuz bir şekilde kullanıma alınmasını sağlamak için kapsamlı teknik destek ve satış sonrası hizmet alabilirler.
Ayrıntılı Diyagram



