3 inç Çap 76,2 mm SiC alt tabakalar HPSI Prime Research ve Dummy sınıfı

İletken alt tabaka: 15~30 mΩ-cm silisyum karbür alt tabakanın özdirencini ifade eder. İletken silisyum karbür alt tabakadan üretilen silisyum karbür epitaksiyel gofret, yeni enerji araçlarında, fotovoltaiklerde, akıllı şebekelerde ve raylı ulaşımda yaygın olarak kullanılan güç cihazlarına dönüştürülebilir.

Yarı yalıtkan alt tabaka, 100000Ω-cm'den daha yüksek özdirence sahip silisyum karbür alt tabakayı ifade eder, esas olarak galyum nitrür mikrodalga radyo frekansı cihazlarının üretiminde kullanılır, kablosuz iletişim alanının temelini oluşturur.

Kablosuz haberleşme alanında temel bir bileşendir.

Silisyum karbür iletken ve yarı yalıtkan alt tabakalar, aşağıdakiler dahil ancak bunlarla sınırlı olmamak üzere çok çeşitli elektronik cihazlarda ve güç aygıtlarında kullanılır:

Yüksek güçlü yarı iletken aygıtlar (iletken): Silisyum karbür alt tabakalar yüksek kırılma alanı dayanımına ve ısıl iletkenliğe sahiptir ve yüksek güçlü güç transistörleri, diyotlar ve diğer aygıtların üretimi için uygundur.

RF elektronik cihazlar (yarı yalıtımlı): Silisyum karbür alt tabakalar yüksek anahtarlama hızına ve güç toleransına sahiptir, RF güç amplifikatörleri, mikrodalga cihazları ve yüksek frekanslı anahtarlar gibi uygulamalar için uygundur.

Optoelektronik cihazlar (yarı yalıtımlı): Silisyum karbür alt tabakalar geniş bir enerji aralığına ve yüksek termal kararlılığa sahiptir, fotodiyotlar, güneş pilleri ve lazer diyotları ve diğer cihazların yapımında kullanılmaya uygundur.

Sıcaklık Sensörleri (İletken): Silisyum karbür alt tabakalar yüksek ısıl iletkenliğe ve ısıl kararlılığa sahip olup, yüksek sıcaklık sensörleri ve sıcaklık ölçüm cihazlarının üretimi için uygundur.

Silisyum karbür iletken ve yarı yalıtkan alttaşların üretim süreci ve uygulamaları geniş bir uygulama alanına ve potansiyele sahip olup, elektronik cihazlar ve güç cihazlarının geliştirilmesinde yeni olanaklar sağlamaktadır.