3 inç Dia76,2 mm SiC alt tabakalar HPSI Prime Research ve Dummy sınıfı

İletken substrat: 15~30mΩ-cm silisyum karbür substratın direncini ifade eder. İletken silisyum karbür substrattan yetiştirilen silisyum karbür epitaksiyel levha ayrıca yeni enerji araçlarında, fotovoltaiklerde, akıllı şebekelerde ve demiryolu taşımacılığında yaygın olarak kullanılan güç cihazlarına dönüştürülebilir.

Yarı yalıtımlı alt tabaka, esas olarak galyum nitrür mikrodalga radyo frekans cihazlarının üretiminde kullanılan 100000Ω-cm silikon karbür alt tabakadan daha yüksek dirençliliği ifade eder ve kablosuz iletişim alanının temelidir.

Kablosuz iletişim alanında temel bir bileşendir.

Silisyum karbür iletken ve yarı yalıtkan alt tabakalar, aşağıdakiler dahil ancak bunlarla sınırlı olmamak üzere çok çeşitli elektronik cihazlarda ve güç cihazlarında kullanılır:

Yüksek güçlü yarı iletken cihazlar (iletken): Silisyum karbür substratlar, yüksek kırılma alanı kuvvetine ve termal iletkenliğe sahiptir ve yüksek güçlü güç transistörleri, diyotlar ve diğer cihazların üretimi için uygundur.

RF elektronik cihazları (yarı yalıtımlı): Silisyum Karbür alt tabakalar yüksek anahtarlama hızına ve güç toleransına sahiptir; RF güç amplifikatörleri, mikrodalga cihazları ve yüksek frekanslı anahtarlar gibi uygulamalar için uygundur.

Optoelektronik cihazlar (yarı yalıtımlı): Silisyum karbür substratlar geniş bir enerji aralığına ve yüksek termal stabiliteye sahiptir; fotodiyotlar, güneş pilleri ve lazer diyotlar ve diğer cihazların yapımı için uygundur.

Sıcaklık sensörleri (iletken): Silisyum karbür alt tabakalar, yüksek sıcaklık sensörleri ve sıcaklık ölçüm cihazlarının üretimi için uygun, yüksek termal iletkenliğe ve termal stabiliteye sahiptir.

Silisyum karbür iletken ve yarı yalıtkan alt tabakaların üretim süreci ve uygulaması, elektronik cihazların ve güç cihazlarının geliştirilmesi için yeni olanaklar sağlayan geniş bir alan ve potansiyel yelpazesine sahiptir.