4H-yarı HPSI 2 inç SiC substrat levha Üretim Kukla Araştırma sınıfı

4H-yarı HPSI 2 inç SiC alt tabaka plakası Üretim Kukla Araştırma sınıfı Öne Çıkan Resim

Kısa Açıklama:

2 inç silikon karbür tek kristal substrat levha, olağanüstü fiziksel ve kimyasal özelliklere sahip, yüksek performanslı bir malzemedir.Mükemmel termal iletkenliğe, mekanik stabiliteye ve yüksek sıcaklık direncine sahip yüksek saflıkta silisyum karbür tek kristal malzemeden yapılmıştır.Bu çip, yüksek hassasiyetteki hazırlama süreci ve kaliteli malzemeleri sayesinde birçok alanda yüksek performanslı elektronik cihazların hazırlanmasında tercih edilen malzemelerden biridir.

Bize e-posta gönder

Ürün ayrıntısı

Ürün etiketleri

Yarı yalıtımlı silisyum karbür substrat SiC levhalar

Silisyum karbür substrat esas olarak iletken ve yarı yalıtkan tipe ayrılır, iletken silisyum karbür substrattan n-tipi substrata esas olarak epitaksiyel GaN tabanlı LED ve diğer optoelektronik cihazlar, SiC tabanlı güç elektroniği cihazları vb. için kullanılır ve yarı- yalıtkan SiC silisyum karbür alt tabaka esas olarak GaN yüksek güçlü radyo frekansı cihazlarının epitaksiyel üretimi için kullanılır.Ayrıca yüksek saflıkta yarı izolasyon HPSI ve SI yarı izolasyon farklıdır, yüksek saflıkta yarı izolasyon taşıyıcı konsantrasyonu 3,5 * 1013 ~ 8 * 1015/cm3 aralığındadır, yüksek elektron hareketliliğine sahiptir;yarı yalıtım yüksek dirençli bir malzemedir, direnç çok yüksektir, genellikle mikrodalga cihazının alt katmanları için kullanılır, iletken değildir.

Yarı yalıtımlı Silisyum Karbür alt tabaka tabakası SiC levha

SiC kristal yapısı, Si ve GaAs'a göre fiziksel özelliklerini belirler; SiC'nin fiziksel özellikleri vardır;yasak bant genişliği, cihazın uzun vadeli güvenilirlik altında yüksek sıcaklıklarda çalışmasını sağlamak için Si'nin 3 katına yakın, büyüktür;arıza alanı gücü yüksektir, cihaz voltaj kapasitesinin cihazın voltaj değerini arttırmasını sağlamak için Si'nin 1O katıdır;doygunluk elektron oranı büyüktür, cihazın frekansını ve güç yoğunluğunu arttırmak için Si'nin 2 katıdır;Isıl iletkenlik yüksek, Si'den fazla, Isıl iletkenlik yüksek, Isıl iletkenlik yüksek, Isıl iletkenlik yüksek, Isıl iletkenlik yüksek, Si'den fazla, Isıl iletkenlik yüksek, Isıl iletkenlik yüksektir.Si'ninkinden 3 kat daha fazla olan yüksek ısı iletkenliği, cihazın ısı dağıtma kapasitesini arttırır ve cihazın minyatürleştirilmesini gerçekleştirir.