MOS veya SBD Üretim Araştırması ve Kukla sınıfı için 6 inç 150 mm Silisyum Karbür SiC Gofretler 4H-N tipi

MOS veya SBD Üretim Araştırması ve Sahte sınıf için 6 inç 150 mm Silisyum Karbür SiC Gofretler 4H-N tipi Öne Çıkan Resim

Kısa Açıklama:

6 inçlik silisyum karbür tek kristal alt tabaka, mükemmel fiziksel ve kimyasal özelliklere sahip, yüksek performanslı bir malzemedir.Yüksek saflıkta silisyum karbür tek kristal malzemeden üretilmiş olup üstün termal iletkenlik, mekanik stabilite ve yüksek sıcaklık direnci sergiler.Hassas üretim süreçleri ve yüksek kaliteli malzemelerle üretilen bu alt tabaka, çeşitli alanlarda yüksek verimli elektronik cihazların üretiminde tercih edilen malzeme haline geldi.

Bize e-posta gönder

Ürün ayrıntısı

Ürün etiketleri

Uygulama Alanları

6 inçlik silisyum karbür tek kristal substrat, birçok endüstride önemli bir rol oynar.İlk olarak, yarı iletken endüstrisinde güç transistörleri, entegre devreler ve güç modülleri gibi yüksek güçlü elektronik cihazların imalatında yaygın olarak kullanılmaktadır.Yüksek termal iletkenliği ve yüksek sıcaklık direnci, daha iyi ısı dağılımı sağlayarak verimliliğin ve güvenilirliğin artmasını sağlar.İkincisi, silisyum karbür plakalar, yeni malzeme ve cihazların geliştirilmesi için araştırma alanlarında gereklidir.Ek olarak, silisyum karbür levha, LED'lerin ve lazer diyotların üretimi de dahil olmak üzere optoelektronik alanında kapsamlı uygulamalara sahiptir.

Ürün Özellikleri

6 inçlik silisyum karbür tek kristal alt tabakanın çapı 6 inçtir (yaklaşık 152,4 mm).Yüzey pürüzlülüğü Ra < 0,5 nm ve kalınlığı 600 ± 25 μm'dir.Alt tabaka, müşteri gereksinimlerine göre N tipi veya P tipi iletkenlik ile özelleştirilebilir.Üstelik basınca ve titreşime dayanabilen olağanüstü mekanik stabilite sergiliyor.

Çap		150±2,0 mm (6 inç)
Kalınlık		350 μm±25μm
Oryantasyon		Eksen üzerinde: <0001>±0,5°		Eksen dışı: 4,0°, 1120±0,5°'ye doğru
Politip		4H
Direnç(Ω·cm)	4sa-k	0,015~0,028 Ω·cm/0,015~0,025ohm·cm
	4/6H-SI	>1E5
Birincil düz yönlendirme		{10-10}±5,0°
Birincil düz uzunluk (mm)		47,5 mm±2,5 mm
Kenar		Pah
TTV/Yay/Çözgü (um)		≤15 /≤40 /≤60
AFM Önü (Si-yüzlü)		Polonya Ra≤1 nm
		CMP Ra≤0,5 nm
YBD		≤3μm(10mm*10mm)	≤5μm(10mm*10mm)		≤10μm(10mm*10mm)
TTV		≤5μm	≤10μm		≤15μm
Portakal kabuğu/çukurlar/çatlaklar/kirlilik/lekeler/çizgiler		Hiçbiri	Hiçbiri		Hiçbiri
girintiler		Hiçbiri	Hiçbiri		Hiçbiri

6 inçlik silisyum karbür tek kristal alt tabaka, yarı iletken, araştırma ve optoelektronik endüstrilerinde yaygın olarak kullanılan yüksek performanslı bir malzemedir.Mükemmel termal iletkenlik, mekanik stabilite ve yüksek sıcaklık direnci sunarak yüksek güçlü elektronik cihazların üretimi ve yeni malzeme araştırmaları için uygun hale getirir.Farklı müşteri taleplerini karşılamak için çeşitli özellikler ve özelleştirme seçenekleri sunuyoruz.Silisyum karbür levhalar hakkında daha fazla bilgi için bizimle iletişime geçin!