3 inç 76,2 mm 4H-Yarı SiC substrat plakası Silikon Karbür Yarı yalıtkan SiC plakaları

3 inç 76,2 mm 4H-Yarı SiC alt tabaka levhası Silisyum Karbür Yarı yalıtkan SiC levhalar Öne Çıkan Resim

Kısa Açıklama:

Elektronik ve optoelektronik endüstrisine yönelik yüksek kaliteli tek kristal SiC levha (Silikon Karbür).3 inç SiC levha, 3 inç çapındaki yeni nesil yarı iletken malzeme, yarı yalıtımlı silikon karbür levhalardır.Plakalar güç, RF ve optoelektronik cihazların imalatına yöneliktir.

Bize e-posta gönder

Ürün ayrıntısı

Ürün etiketleri

Tanım

3 inç 4H yarı yalıtımlı SiC (silisyum karbür) substrat levhaları yaygın olarak kullanılan bir yarı iletken malzemedir.4H, tetraheksahedral bir kristal yapıyı belirtir.Yarı yalıtım, alt tabakanın yüksek direnç özelliklerine sahip olduğu ve bir şekilde akım akışından izole edilebileceği anlamına gelir.

Bu tür substrat levhaları aşağıdaki özelliklere sahiptir: yüksek termal iletkenlik, düşük iletim kaybı, mükemmel yüksek sıcaklık direnci ve mükemmel mekanik ve kimyasal stabilite.Silisyum karbürün geniş bir enerji aralığına sahip olması ve yüksek sıcaklıklara ve yüksek elektrik alanı koşullarına dayanabilmesi nedeniyle, 4H-SiC yarı yalıtımlı levhalar güç elektroniği ve radyo frekansı (RF) cihazlarında yaygın olarak kullanılmaktadır.

4H-SiC yarı yalıtımlı levhaların ana uygulamaları şunları içerir:

1--Güç elektroniği: 4H-SiC levhalar, MOSFET'ler (Metal Oksit Yarı İletken Alan Etkili Transistörler), IGBT'ler (Yalıtımlı Kapı Bipolar Transistörler) ve Schottky diyotlar gibi güç anahtarlama cihazlarının üretiminde kullanılabilir.Bu cihazlar, yüksek gerilim ve yüksek sıcaklıktaki ortamlarda daha düşük iletim ve anahtarlama kayıplarına sahip olup, daha yüksek verimlilik ve güvenilirlik sunar.

2--Radyo Frekansı (RF) Cihazları: 4H-SiC yarı yalıtımlı levhalar, yüksek güçlü, yüksek frekanslı RF güç amplifikatörleri, çip dirençleri, filtreler ve diğer cihazların imalatında kullanılabilir.Silisyum karbür, daha büyük elektron doygunluğu sürüklenme oranı ve daha yüksek termal iletkenliği nedeniyle daha iyi yüksek frekans performansına ve termal stabiliteye sahiptir.

3--Optoelektronik cihazlar: 4H-SiC yarı yalıtımlı plakalar, yüksek güçlü lazer diyotlar, UV ışık dedektörleri ve optoelektronik entegre devreler üretmek için kullanılabilir.

Pazar yönü açısından, 4H-SiC yarı yalıtımlı plakalara olan talep, güç elektroniği, RF ve optoelektronik alanlarında büyüyen alanlarla birlikte artıyor.Bunun nedeni silisyum karbürün enerji verimliliği, elektrikli araçlar, yenilenebilir enerji ve iletişim dahil olmak üzere geniş bir uygulama alanına sahip olmasıdır.Gelecekte, 4H-SiC yarı yalıtımlı plakalara yönelik pazar oldukça umut verici olmayı sürdürüyor ve çeşitli uygulamalarda geleneksel silikon malzemelerin yerini alması bekleniyor.