3 inç 76,2 mm 4H-Yarı SiC alt tabaka gofreti Silisyum Karbür Yarı izolasyonlu SiC gofretleri

Kısa Açıklama:

Elektronik ve optoelektronik endüstrisi için yüksek kaliteli tek kristal SiC yonga (Silisyum Karbür). 3 inçlik SiC yonga, yeni nesil bir yarı iletken malzeme olup, 3 inç çapında yarı yalıtkan silisyum karbür yongalardır. Yongalar, güç, RF ve optoelektronik cihazların üretimi için tasarlanmıştır.

Bize e-posta gönderin

Özellikler

Tanım

3 inç 4H yarı yalıtımlı SiC (silisyum karbür) alt tabaka gofretleri, yaygın olarak kullanılan bir yarı iletken malzemedir. 4H, tetrahekzahedral kristal yapıyı ifade eder. Yarı yalıtım, alt tabakanın yüksek direnç özelliklerine sahip olması ve akım akışından bir dereceye kadar izole edilebilmesi anlamına gelir.

Bu tür alt tabaka gofretleri şu özelliklere sahiptir: yüksek ısı iletkenliği, düşük iletim kaybı, mükemmel yüksek sıcaklık direnci ve mükemmel mekanik ve kimyasal kararlılık. Silisyum karbür geniş bir enerji aralığına sahip olduğu ve yüksek sıcaklıklara ve yüksek elektrik alanı koşullarına dayanabildiği için, 4H-SiC yarı yalıtımlı gofretler güç elektroniği ve radyo frekansı (RF) cihazlarında yaygın olarak kullanılmaktadır.

4H-SiC yarı yalıtımlı gofretlerin başlıca uygulamaları şunlardır:

1--Güç elektroniği: 4H-SiC yongaları, MOSFET'ler (Metal Oksit Yarı İletken Alan Etkili Transistörler), IGBT'ler (Yalıtılmış Kapılı Bipolar Transistörler) ve Schottky diyotlar gibi güç anahtarlama cihazlarının üretiminde kullanılabilir. Bu cihazlar, yüksek voltaj ve yüksek sıcaklık ortamlarında daha düşük iletim ve anahtarlama kayıplarına sahiptir ve daha yüksek verimlilik ve güvenilirlik sunar.

2--Radyo Frekansı (RF) Cihazları: 4H-SiC yarı yalıtımlı gofretler, yüksek güçlü, yüksek frekanslı RF güç amplifikatörleri, çip dirençleri, filtreler ve diğer cihazların üretiminde kullanılabilir. Silisyum karbür, daha yüksek elektron doygunluk sürüklenme oranı ve daha yüksek termal iletkenliği sayesinde daha iyi yüksek frekans performansına ve termal kararlılığa sahiptir.

3--Optoelektronik cihazlar: 4H-SiC yarı yalıtımlı gofretler, yüksek güçlü lazer diyotları, UV ışık dedektörleri ve optoelektronik entegre devrelerin üretiminde kullanılabilir.

Pazar yönü açısından, güç elektroniği, RF ve optoelektronik gibi büyüyen alanlarla birlikte 4H-SiC yarı yalıtımlı gofretlere olan talep artmaktadır. Bunun nedeni, silisyum karbürün enerji verimliliği, elektrikli araçlar, yenilenebilir enerji ve iletişim gibi geniş bir uygulama yelpazesine sahip olmasıdır. Gelecekte, 4H-SiC yarı yalıtımlı gofret pazarı oldukça umut verici olmaya devam etmekte ve çeşitli uygulamalarda geleneksel silikon malzemelerin yerini alması beklenmektedir.