3 inç 76,2 mm 4H-Yarı SiC alt tabaka levha Silisyum Karbür Yarı izolasyonlu SiC levhalar

3 inç 76,2 mm 4H-Yarı SiC alt tabaka levhası Silisyum Karbür Yarı izolasyonlu SiC levhalar Öne Çıkan Görsel

Kısa Açıklama:

Elektronik ve optoelektronik endüstrisi için yüksek kaliteli tek kristal SiC yonga (Silisyum Karbür). 3 inç SiC yonga, 3 inç çapında yarı yalıtkan silikon karbür yongalar olan yeni nesil yarı iletken malzemedir. Yongalar güç, RF ve optoelektronik cihazların imalatı için tasarlanmıştır.

Bize e-posta gönderin

Ürün Detayı

Ürün Etiketleri

Ürün Özellikleri

3 inç 4H yarı yalıtımlı SiC (silisyum karbür) alt tabaka levhaları yaygın olarak kullanılan bir yarı iletken malzemedir. 4H, tetraheksahedral kristal yapısını gösterir. Yarı yalıtım, alt tabakanın yüksek direnç özelliklerine sahip olması ve akım akışından bir şekilde izole edilebilmesi anlamına gelir.

Bu tür alt tabaka levhaları aşağıdaki özelliklere sahiptir: yüksek ısı iletkenliği, düşük iletim kaybı, mükemmel yüksek sıcaklık direnci ve mükemmel mekanik ve kimyasal kararlılık. Silisyum karbür geniş bir enerji boşluğuna sahip olduğundan ve yüksek sıcaklıklara ve yüksek elektrik alanı koşullarına dayanabildiğinden, 4H-SiC yarı yalıtımlı levhalar güç elektroniği ve radyo frekansı (RF) aygıtlarında yaygın olarak kullanılır.

4H-SiC yarı yalıtımlı yongaların başlıca uygulamaları şunlardır:

1--Güç elektroniği: 4H-SiC wafer'lar, MOSFET'ler (Metal Oksit Yarıiletken Alan Etkili Transistörler), IGBT'ler (Yalıtılmış Kapılı Bipolar Transistörler) ve Schottky diyotlar gibi güç anahtarlama cihazları üretmek için kullanılabilir. Bu cihazlar, yüksek voltaj ve yüksek sıcaklık ortamlarında daha düşük iletim ve anahtarlama kayıplarına sahiptir ve daha yüksek verimlilik ve güvenilirlik sunar.

2--Radyo Frekansı (RF) Aygıtları: 4H-SiC yarı yalıtımlı gofretler, yüksek güç, yüksek frekanslı RF güç amplifikatörleri, çip dirençleri, filtreler ve diğer aygıtları üretmek için kullanılabilir. Silisyum karbür, daha büyük elektron doygunluk sürüklenme oranı ve daha yüksek termal iletkenliği nedeniyle daha iyi yüksek frekans performansına ve termal kararlılığa sahiptir.

3--Optoelektronik cihazlar: 4H-SiC yarı yalıtımlı gofretler, yüksek güçlü lazer diyotlar, UV ışık dedektörleri ve optoelektronik entegre devreler üretmek için kullanılabilir.

Pazar yönü açısından, 4H-SiC yarı yalıtımlı gofretlere olan talep, güç elektroniği, RF ve optoelektronik alanlarının büyümesiyle birlikte artmaktadır. Bunun nedeni, silisyum karbürün enerji verimliliği, elektrikli araçlar, yenilenebilir enerji ve iletişimler dahil olmak üzere geniş bir uygulama yelpazesine sahip olmasıdır. Gelecekte, 4H-SiC yarı yalıtımlı gofretlere yönelik pazar oldukça umut verici olmaya devam etmektedir ve çeşitli uygulamalarda geleneksel silikon malzemelerin yerini alması beklenmektedir.