Fiber optik iletişim veya LiDAR için 2 inç 3 inç 4 inç InP epitaksiyel gofret alt tabaka APD ışık dedektörü
InP lazer epitaksiyel levhanın temel özellikleri şunlardır:
1. Bant aralığı özellikleri: InP, özellikle 1,3 μm ila 1,5 μm dalga boyu aralığında uzun dalga kızılötesi ışık tespiti için uygun olan dar bir bant aralığına sahiptir.
2. Optik performans: InP epitaksiyel film, farklı dalga boylarında ışık gücü ve dış kuantum verimliliği gibi iyi optik performansa sahiptir. Örneğin, 480 nm'de ışık gücü ve dış kuantum verimliliği sırasıyla %11,2 ve %98,8'dir.
3. Taşıyıcı dinamikleri: InP nanopartikülleri (NP'ler) epitaksiyel büyüme sırasında çift üstel bozunma davranışı sergiler. Hızlı bozunma süresi, InGaAs katmanına taşıyıcı enjeksiyonuna atfedilirken, yavaş bozunma süresi InP NP'lerindeki taşıyıcı rekombinasyonuyla ilişkilidir.
4. Yüksek sıcaklık özellikleri: AlGaInAs/InP kuantum kuyusu malzemesi yüksek sıcaklıkta mükemmel performansa sahiptir, bu da akış sızıntısını etkili bir şekilde önleyebilir ve lazerin yüksek sıcaklık özelliklerini iyileştirebilir.
5. Üretim süreci: InP epitaksiyel levhalar genellikle yüksek kaliteli filmler elde etmek için moleküler ışın epitaksi (MBE) veya metal-organik kimyasal buhar biriktirme (MOCVD) teknolojisi kullanılarak alt tabaka üzerinde büyütülür.
Bu özellikler, InP lazer epitaksiyel yongaların optik fiber iletişiminde, kuantum anahtar dağıtımında ve uzaktan optik algılamada önemli uygulamalara sahip olmasını sağlar.
InP lazer epitaksiyel tabletlerin başlıca uygulamaları şunlardır:
1. Fotonik: InP lazerler ve dedektörler optik iletişimde, veri merkezlerinde, kızılötesi görüntülemede, biyometride, 3 boyutlu algılamada ve LiDAR'da yaygın olarak kullanılmaktadır.
2. Telekomünikasyon: InP malzemeleri, özellikle optik fiber iletişiminde, silikon tabanlı uzun dalga boylu lazerlerin büyük ölçekli entegrasyonunda önemli uygulamalara sahiptir.
3. Kızılötesi lazerler: Gaz algılama, patlayıcı tespiti ve kızılötesi görüntüleme dahil olmak üzere orta kızılötesi bantta (4-38 mikron gibi) InP tabanlı kuantum kuyulu lazerlerin uygulamaları.
4. Silisyum fotonik: Heterojen entegrasyon teknolojisi sayesinde InP lazer, çok işlevli bir silisyum optoelektronik entegrasyon platformu oluşturmak için silisyum bazlı bir alt tabakaya aktarılır.
5. Yüksek performanslı lazerler: InP malzemeleri, 1,5 mikron dalga boyuna sahip InGaAsP-InP transistör lazerler gibi yüksek performanslı lazerlerin üretiminde kullanılır.
XKH, optik iletişim, sensörler, 4G/5G baz istasyonları vb. gibi çeşitli uygulamaları kapsayan farklı yapı ve kalınlıklarda özelleştirilmiş InP epitaksiyel gofretler sunar. XKH'nin ürünleri, yüksek performans ve güvenilirlik sağlamak için gelişmiş MOCVD ekipmanı kullanılarak üretilir. Lojistik açısından XKH, çok çeşitli uluslararası kaynak kanallarına sahiptir, sipariş sayısını esnek bir şekilde idare edebilir ve inceltme, segmentasyon vb. gibi katma değerli hizmetler sağlayabilir. Verimli teslimat süreçleri, zamanında teslimatı garanti eder ve kalite ve teslimat süreleri için müşteri gereksinimlerini karşılar. Müşteriler, varıştan sonra ürünün sorunsuz bir şekilde kullanılmasını sağlamak için kapsamlı teknik destek ve satış sonrası hizmet alabilirler.
Ayrıntılı Diyagram


