English

2 inç 50.8mm Safir Gofret C-Düzlemi M-düzlemi R-düzlemi A-düzlemi Kalınlığı 350um 430um 500um

2 inç 50,8 mm Safir Gofret C-Düzlemi M-düzlemi R-düzlemi A-düzlemi Kalınlığı 350um 430um 500um Öne Çıkan Görüntü
  • 2 inç 50.8mm Safir Gofret C-Düzlemi M-düzlemi R-düzlemi A-düzlemi Kalınlığı 350um 430um 500um
  • 2 inç 50.8mm Safir Gofret C-Düzlemi M-düzlemi R-düzlemi A-düzlemi Kalınlığı 350um 430um 500um
  • 2 inç 50.8mm Safir Gofret C-Düzlemi M-düzlemi R-düzlemi A-düzlemi Kalınlığı 350um 430um 500um

Kısa Açıklama:

Safir, onu yüksek sıcaklığa, termal şoka, su ve kum erozyonuna ve çizilmeye karşı dayanıklı kılan fiziksel, kimyasal ve optik özelliklerin benzersiz bir kombinasyonundan oluşan bir malzemedir.


Ürün ayrıntısı

Ürün etiketleri

Farklı yönelimlerin belirtilmesi

Oryantasyon

C(0001)-Ekseni

R(1-102)-Ekseni

M(10-10) -Eksen

A(11-20)-Ekseni
Fiziksel özellik

C ekseninde kristal ışık, diğer eksenlerde ise negatif ışık bulunur.C düzlemi düzdür, tercihen kesilmiştir.

R-düzlemi A'dan biraz daha serttir.

 M düzlemi kademeli tırtıklıdır, kesilmesi kolay değildir, kesilmesi kolaydır. A-düzleminin sertliği, aşınma direnci, çizilme direnci ve yüksek sertlikte kendini gösteren C-düzleminin sertliğinden önemli ölçüde daha yüksektir;Yan A düzlemi, kesilmesi kolay bir zikzak düzlemidir;
Uygulamalar

C-yönelimli safir substratlar, mavi LED ürünleri, lazer diyotlar ve kızılötesi dedektör uygulamaları üretebilen galyum nitrür gibi III-V ve II-VI biriktirilmiş filmleri büyütmek için kullanılır.
Bunun temel nedeni, C ekseni boyunca safir kristal büyüme sürecinin olgun olması, maliyetin nispeten düşük olması, fiziksel ve kimyasal özelliklerin stabil olması ve C düzlemindeki epitaksi teknolojisinin olgun ve stabil olmasıdır.

Mikroelektronik entegre devrelerde kullanılan, farklı biriken silikon ekstrasistemlerinin R odaklı substrat büyümesi.
Ayrıca epitaksiyel silikon büyümesinin film üretimi sürecinde yüksek hızlı entegre devreler ve basınç sensörleri de oluşturulabilir.R tipi substrat ayrıca kurşun, diğer süper iletken bileşenler, yüksek dirençli dirençler, galyum arsenit üretiminde de kullanılabilir.

 Esas olarak ışık verimliliğini artırmak için polar olmayan/yarı polar GaN epitaksiyel filmleri büyütmek için kullanılır. A-yönelimli alt tabaka, tekdüze bir geçirgenlik/ortam üretir ve hibrit mikroelektronik teknolojisinde yüksek derecede yalıtım kullanılır.A bazlı uzun kristallerden yüksek sıcaklık süperiletkenleri üretilebilir.
İşleme kapasitesi Desen Safir Substrat (PSS): LED'in ışık çıkış formunu kontrol etmek ve safir substrat üzerinde büyüyen GaN arasındaki diferansiyel kusurları azaltmak için, Büyüme veya Aşındırma biçiminde, safir substrat üzerinde nano ölçeğe özgü düzenli mikro yapı desenleri tasarlanır ve yapılır. , epitaksi kalitesini iyileştirin ve LED'in dahili kuantum verimliliğini artırın ve ışık çıkarma verimliliğini artırın.
Ayrıca safir prizma, ayna, mercek, delik, koni ve diğer yapısal parçalar müşteri isteğine göre özelleştirilebilmektedir.

Mülkiyet beyanı

 Yoğunluk Sertlik erime noktası Kırılma indeksi (görünür ve kızılötesi) Geçirgenlik (DSP) Dielektrik sabiti
3,98g/cm3 9(ay) 2053°C 1.762~1.770 ≥%85 C ekseninde 11,58@300K(A ekseninde 9,4）

Detaylı Diyagram

avcasvb (1)
avcasvb (2)
avcasvb (3)
  • Öncesi:
  • Sonraki:
    • Mesajınızı buraya yazıp bize gönderin

    Ürün kategorileri

    Aramak için enter'a, kapatmak için ESC'ye basın