2 inç Silisyum Karbür Levhalar 6H veya 4H N tipi veya Yarı İletken SiC Alt Tabakalar
Önerilen Ürünler
4H SiC gofret N tipi
Çap: 2 inç 50,8 mm | 4 inç 100 mm | 6 inç 150 mm
Yönelim: eksen dışı 4,0˚ <1120> yönüne doğru ± 0,5˚
Öz direnç: < 0,1 ohm.cm
Pürüzlülük: Si yüzey CMP Ra <0,5nm, C yüzey optik parlatma Ra <1 nm
4H SiC levha Yarı yalıtkan
Çap: 2 inç 50,8 mm | 4 inç 100 mm | 6 inç 150 mm
Yönelim: {0001} ekseni üzerinde ± 0,25˚
Öz direnç: >1E5 ohm.cm
Pürüzlülük: Si yüzey CMP Ra <0,5nm, C yüzey optik parlatma Ra <1 nm
1. 5G altyapısı -- iletişim güç kaynağı
İletişim güç kaynağı, sunucu ve baz istasyonu iletişimi için enerji kaynağıdır. İletişim sisteminin normal çalışmasını sağlamak için çeşitli iletim ekipmanlarına elektrik enerjisi sağlar.
2. Yeni enerji araçlarının şarj istasyonu -- şarj istasyonunun güç modülü
Şarj istasyonu güç modülünde silisyum karbür kullanılarak yüksek verimlilik ve yüksek güç elde edilebilir, böylece şarj hızı artırılabilir ve şarj maliyeti düşürülebilir.
3. Büyük veri merkezi, Endüstriyel İnternet -- sunucu güç kaynağı
Sunucu güç kaynağı, sunucunun enerji kütüphanesidir. Sunucu, sunucu sisteminin normal çalışmasını sağlamak için güç sağlar. Sunucu güç kaynağında silisyum karbür güç bileşenlerinin kullanılması, sunucu güç kaynağının güç yoğunluğunu ve verimliliğini artırabilir, veri merkezinin genel hacmini azaltabilir, veri merkezinin genel inşaat maliyetini düşürebilir ve daha yüksek çevresel verimlilik sağlayabilir.
4. UHV - Esnek iletim DC devre kesicilerinin uygulaması
5. Şehirlerarası yüksek hızlı tren ve şehirlerarası raylı ulaşım -- çekiş dönüştürücüler, güç elektroniği transformatörleri, yardımcı dönüştürücüler, yardımcı güç kaynakları
Özellikler
Ayrıntılı Diyagram




