English

Güç Cihazları için SiC Epitaksiyel Plaka – 4H-SiC, N tipi, Düşük Kusur Yoğunluğu

Güç Cihazları için SiC Epitaksiyel Plaka – 4H-SiC, N tipi, Düşük Kusur Yoğunluğu Öne Çıkan Görsel
  • Güç Cihazları için SiC Epitaksiyel Plaka – 4H-SiC, N tipi, Düşük Kusur Yoğunluğu
  • Güç Cihazları için SiC Epitaksiyel Plaka – 4H-SiC, N tipi, Düşük Kusur Yoğunluğu
  • Güç Cihazları için SiC Epitaksiyel Plaka – 4H-SiC, N tipi, Düşük Kusur Yoğunluğu

Kısa Açıklama:

SiC Epitaksiyel Plaka, özellikle yüksek güç, yüksek frekans ve yüksek sıcaklık işlemleri için tasarlanmış olanlar olmak üzere modern yüksek performanslı yarı iletken cihazların merkezinde yer alır. Silisyum Karbür Epitaksiyel Plaka'nın kısaltması olan SiC Epitaksiyel Plaka, toplu bir SiC alt tabakasının üzerine yetiştirilen yüksek kaliteli, ince bir SiC epitaksiyel tabakadan oluşur. SiC Epitaksiyel Plaka teknolojisinin kullanımı, geleneksel silikon bazlı plakalara kıyasla üstün fiziksel ve elektronik özellikleri nedeniyle elektrikli araçlarda, akıllı şebekelerde, yenilenebilir enerji sistemlerinde ve havacılıkta hızla yaygınlaşmaktadır.


Özellikler

Ayrıntılı Diyagram

SiC Epitaksiyel Plaka-4
SiC Epitaksiyel Gofret-6 - 副本

giriiş

SiC Epitaksiyel Plaka, özellikle yüksek güç, yüksek frekans ve yüksek sıcaklık işlemleri için tasarlanmış olanlar olmak üzere modern yüksek performanslı yarı iletken cihazların merkezinde yer alır. Silisyum Karbür Epitaksiyel Plaka'nın kısaltması olan SiC Epitaksiyel Plaka, toplu bir SiC alt tabakasının üzerine yetiştirilen yüksek kaliteli, ince bir SiC epitaksiyel tabakadan oluşur. SiC Epitaksiyel Plaka teknolojisinin kullanımı, geleneksel silikon bazlı plakalara kıyasla üstün fiziksel ve elektronik özellikleri nedeniyle elektrikli araçlarda, akıllı şebekelerde, yenilenebilir enerji sistemlerinde ve havacılıkta hızla yaygınlaşmaktadır.

SiC Epitaksiyel Plaka Üretim Prensipleri

Bir SiC Epitaksiyel Plaka oluşturmak, oldukça kontrollü bir kimyasal buhar biriktirme (CVD) işlemi gerektirir. Epitaksiyel tabaka, genellikle 1500°C'yi aşan sıcaklıklarda silan (SiH₄), propan (C₃H₈) ve hidrojen (H₂) gibi gazlar kullanılarak monokristalin bir SiC alt tabakası üzerinde büyütülür. Bu yüksek sıcaklıklı epitaksiyel büyüme, epitaksiyel tabaka ile alt tabaka arasında mükemmel kristal hizalama ve minimum kusur sağlar.

Süreç birkaç temel aşamadan oluşmaktadır:

  1. Alt tabaka hazırlığı: Taban SiC yonga temizlenir ve atomik pürüzsüzlüğe ulaşana kadar parlatılır.

  2. CVD Büyümesi: Yüksek saflıktaki bir reaktörde, gazlar reaksiyona girerek alt tabaka üzerine tek kristalli bir SiC tabakası biriktirir.

  3. Doping Kontrolü:İstenilen elektriksel özelliklerin elde edilmesi için epitaksi sırasında N-tipi veya P-tipi doping uygulanır.

  4. Muayene ve Metroloji: Katman kalınlığını, katkı konsantrasyonunu ve kusur yoğunluğunu doğrulamak için optik mikroskopi, AFM ve X-ışını kırınımı kullanılır.

Her SiC Epitaksiyel Plaka, kalınlık düzgünlüğü, yüzey düzlüğü ve özdirençte sıkı toleransları korumak için dikkatlice izlenir. Bu parametreleri ince ayarlayabilme yeteneği, yüksek voltajlı MOSFET'ler, Schottky diyotlar ve diğer güç cihazları için önemlidir.

Şartname

Parametre Şartname
Kategoriler Malzeme Bilimi, Tek Kristal Alt Tabakalar
Politip 4H
Doping N Tipi
Çap 101mm
Çap Toleransı ± %5
Kalınlık 0,35 mm
Kalınlık Toleransı ± %5
Birincil Düz Uzunluk 22 mm (± %10)
TTV (Toplam Kalınlık Değişimi) ≤10 µm
Çarpıtma ≤25 µm
FWHM ≤30 Ark-sn
Yüzey Kaplama Rq ≤0,35 nm

SiC Epitaksiyel Gofretin Uygulamaları

SiC Epitaksiyel Wafer ürünleri birçok sektörde vazgeçilmezdir:

  • Elektrikli Araçlar (EV'ler):SiC Epitaksiyel Wafer tabanlı aygıtlar güç aktarma organlarının verimliliğini artırıyor ve ağırlığı azaltıyor.

  • Yenilenebilir Enerji: Güneş ve rüzgar enerjisi sistemlerindeki invertörlerde kullanılır.

  • Endüstriyel Güç Kaynakları: Daha düşük kayıplarla yüksek frekanslı, yüksek sıcaklıklı anahtarlamayı mümkün kılar.

  • Havacılık ve Savunma: Sağlam yarı iletkenlerin gerekli olduğu zorlu ortamlar için idealdir.

  • 5G Baz İstasyonları:SiC Epitaksiyel Wafer bileşenleri RF uygulamaları için daha yüksek güç yoğunluklarını destekler.

SiC Epitaksiyel Wafer, silikon waferlara kıyasla kompakt tasarımlar, daha hızlı anahtarlama ve daha yüksek enerji dönüşüm verimliliği sağlıyor.

SiC Epitaksiyel Gofretin Avantajları

SiC Epitaksiyel Wafer teknolojisi önemli avantajlar sunmaktadır:

  1. Yüksek Arıza Voltajı:Si wafer'lardan 10 kata kadar daha yüksek gerilimlere dayanıklıdır.

  2. Isıl İletkenlik:SiC Epitaksiyel Wafer ısıyı daha hızlı dağıtarak cihazların daha serin ve güvenilir çalışmasını sağlar.

  3. Yüksek Anahtarlama Hızları:Düşük anahtarlama kayıpları daha yüksek verimlilik ve minyatürleşmeyi mümkün kılar.

  4. Geniş bant aralığı: Daha yüksek voltaj ve sıcaklıklarda stabiliteyi sağlar.

  5. Malzemenin Sağlamlığı:SiC kimyasal olarak inert ve mekanik olarak güçlüdür, zorlu uygulamalar için idealdir.

Bu avantajlar, SiC Epitaksiyel Gofreti gelecek nesil yarı iletkenler için tercih edilen malzeme haline getiriyor.

SSS: SiC Epitaksiyel Plaka

S1: SiC wafer ile SiC Epitaksiyel Wafer arasındaki fark nedir?
SiC yonga, toplu alt tabakayı ifade ederken, SiC Epitaksiyel Yonga, cihaz imalatında kullanılan özel olarak yetiştirilmiş bir katkılı tabakayı içerir.

S2: SiC Epitaksiyel Wafer katmanları için hangi kalınlıklar mevcuttur?
Epitaksiyel katmanlar, uygulama gereksinimlerine bağlı olarak genellikle birkaç mikron ile 100 μm'nin üzerine kadar değişir.

S3: SiC Epitaksiyel Wafer yüksek sıcaklık ortamları için uygun mudur?
Evet, SiC Epitaksiyel Wafer 600°C'nin üzerindeki koşullarda çalışabilir ve silikondan önemli ölçüde daha iyi performans gösterir.

S4: SiC Epitaksiyel Wafer'da kusur yoğunluğu neden önemlidir?
Daha düşük hata yoğunluğu, özellikle yüksek voltajlı uygulamalarda cihaz performansını ve verimini artırır.

S5: Hem N tipi hem de P tipi SiC Epitaksiyel Wafer'lar mevcut mudur?
Evet, her iki tip de epitaksiyel proses sırasında hassas dopant gaz kontrolü kullanılarak üretilmektedir.

S6: SiC Epitaksiyel Wafer için standart wafer boyutları nelerdir?
Standart çaplar arasında 2 inç, 4 inç, 6 inç ve giderek artan şekilde yüksek hacimli üretim için 8 inç bulunmaktadır.

S7: SiC Epitaksiyel Wafer maliyet ve verimliliği nasıl etkiler?
Başlangıçta silikondan daha pahalı olsa da, SiC Epitaksiyel Wafer sistem boyutunu ve güç kaybını azaltarak uzun vadede toplam maliyet verimliliğini artırır.

  • Öncesi:
  • Sonraki:

    • İlgili Ürünler

    Mesajınızı buraya yazın ve bize gönderin
    Aramak için enter'a veya kapatmak için ESC'ye basın