ICP için 4 inç 6 inç gofret tutucu için SiC seramik plaka/tepsi

Kısa Açıklama:

SiC seramik plaka, aşırı termal, kimyasal ve mekanik ortamlarda kullanılmak üzere tasarlanmış, yüksek saflıkta Silisyum Karbürden üretilmiş yüksek performanslı bir bileşendir. Olağanüstü sertliği, ısıl iletkenliği ve korozyon direnciyle tanınan SiC plaka, yarı iletken, LED, fotovoltaik ve havacılık endüstrilerinde yonga taşıyıcı, alıcı veya yapısal bileşen olarak yaygın olarak kullanılmaktadır.

Bize e-posta gönderin

Özellikler

SiC seramik plaka Özeti

1600°C'ye kadar olağanüstü termal kararlılığı ve reaktif gazlara ve plazma ortamlarına karşı mükemmel direnciyle SiC plaka, yüksek sıcaklıkta aşındırma, biriktirme ve difüzyon işlemlerinde tutarlı performans sağlar. Yoğun ve gözeneksiz mikro yapısı, partikül oluşumunu en aza indirerek vakum veya temiz oda ortamlarında ultra temiz uygulamalar için idealdir.

SiC seramik plaka Uygulaması

1. Yarı İletken Üretimi

SiC seramik plakalar, CVD (Kimyasal Buhar Biriktirme), PVD (Fiziksel Buhar Biriktirme) ve aşındırma sistemleri gibi yarı iletken üretim ekipmanlarında genellikle yonga taşıyıcı, alıcı ve kaide plakaları olarak kullanılır. Mükemmel ısı iletkenlikleri ve düşük termal genleşmeleri, yüksek hassasiyetli yonga işleme için kritik öneme sahip olan homojen sıcaklık dağılımını korumalarını sağlar. SiC'nin aşındırıcı gazlara ve plazmalara karşı direnci, zorlu ortamlarda dayanıklılık sağlayarak partikül kontaminasyonunu ve ekipman bakımını azaltmaya yardımcı olur.

2. LED Endüstrisi – ICP Aşındırma

LED üretim sektöründe, SiC plakalar ICP (Endüktif Eşleşmiş Plazma) aşındırma sistemlerinin temel bileşenleridir. Plaka tutucu görevi görerek, plazma işleme sırasında safir veya GaN plakaları desteklemek için kararlı ve termal olarak dayanıklı bir platform sağlarlar. Mükemmel plazma dirençleri, yüzey düzlükleri ve boyut kararlılıkları, yüksek aşındırma doğruluğu ve homojenliği sağlayarak LED yongalarında verim ve cihaz performansının artmasını sağlar.

3. Fotovoltaik (PV) ve Güneş Enerjisi

SiC seramik plakalar, özellikle yüksek sıcaklıkta sinterleme ve tavlama aşamalarında güneş pili üretiminde de kullanılır. Yüksek sıcaklıklardaki ataletleri ve eğilmeye karşı dirençleri, silikon gofretlerin tutarlı bir şekilde işlenmesini sağlar. Ayrıca, düşük kirlenme riskleri, fotovoltaik hücrelerin verimliliğinin korunması için hayati önem taşır.

SiC seramik plaka Özellikleri

1. Olağanüstü Mekanik Güç ve Sertlik

SiC seramik plakalar, 400 MPa'yı aşan tipik eğilme dayanımı ve >2000 HV'ye ulaşan Vickers sertliği ile çok yüksek mekanik dayanım sergiler. Bu sayede mekanik aşınma, yıpranma ve deformasyona karşı oldukça dirençlidirler ve yüksek yük veya tekrarlanan termal döngüler altında bile uzun hizmet ömrü sağlarlar.

2. Yüksek Isıl İletkenlik

SiC, mükemmel bir ısı iletkenliğine (tipik olarak 120–200 W/m·K) sahiptir ve bu da ısıyı yüzeyinde eşit olarak dağıtmasını sağlar. Bu özellik, sıcaklık homojenliğinin ürün verimini ve kalitesini doğrudan etkilediği gofret aşındırma, biriktirme veya sinterleme gibi işlemlerde kritik öneme sahiptir.

3. Üstün Termal Kararlılık

Yüksek erime noktası (2700°C) ve düşük termal genleşme katsayısı (4,0 × 10⁻⁶/K) ile SiC seramik plakalar, hızlı ısıtma ve soğutma döngüleri altında boyutsal doğruluğu ve yapısal bütünlüğünü korur. Bu da onları yüksek sıcaklık fırınları, vakum odaları ve plazma ortamlarındaki uygulamalar için ideal hale getirir.

Teknik Özellikler
Dizin	Birim	Değer
Malzeme Adı		Reaksiyon Sinterlenmiş Silisyum Karbür	Basınçsız Sinterlenmiş Silisyum Karbür	Yeniden kristalleştirilmiş silisyum karbür
Kompozisyon		RBSiC	SSiC	R-SiC
Yığın Yoğunluğu	g/cm3	3	3,15 ± 0,03	2.60-2.70
Eğilme Dayanımı	MPa (kpsi)	338(49)	380(55)	80-90 (20°C) 90-100(1400°C)
Basınç Dayanımı	MPa (kpsi)	1120(158)	3970(560)	> 600
Sertlik	Knoop	2700	2800	/
Azmi Kırmak	MPa m1/2	4.5	4	/
Isıl İletkenlik	W/mk	95	120	23
Isıl Genleşme Katsayısı	10^-6.1/°C	5	4	4.7
Özgül Isı	Joule/g 0k	0,8	0,67	/
Havadaki maksimum sıcaklık	℃	1200	1500	1600
Elastiklik Modülü	Gpa	360	410	240

SiC seramik plaka Soru & Cevap

S: Silisyum karbür plakanın özellikleri nelerdir?

A: Silisyum karbür (SiC) plakalar, yüksek mukavemet, sertlik ve termal kararlılıklarıyla bilinir. Mükemmel termal iletkenlik ve düşük termal genleşme özellikleriyle aşırı sıcaklıklarda güvenilir performans sağlarlar. SiC ayrıca kimyasal olarak inerttir, asitlere, alkalilere ve plazma ortamlarına dayanıklıdır, bu da onu yarı iletken ve LED işleme için ideal kılar. Yoğun ve pürüzsüz yüzeyi, partikül oluşumunu en aza indirerek temiz oda uyumluluğunu korur. SiC plakalar, yarı iletken, fotovoltaik ve havacılık endüstrilerinde yüksek sıcaklık ve aşındırıcı ortamlarda yonga taşıyıcı, alıcı ve destek bileşeni olarak yaygın olarak kullanılır.