ICP için 4 inç 6 inç gofret tutucu için SiC seramik plaka/tepsi

ICP için 4 inç 6 inçlik gofret tutucu için SiC seramik plaka/tepsi Öne Çıkan Görsel

Kısa Açıklama:

SiC seramik plaka, aşırı termal, kimyasal ve mekanik ortamlarda kullanım için tasarlanmış, yüksek saflıkta Silisyum Karbürden üretilen yüksek performanslı bir bileşendir. Olağanüstü sertliği, termal iletkenliği ve korozyon direnciyle tanınan SiC plaka, yarı iletken, LED, fotovoltaik ve havacılık endüstrilerinde yaygın olarak bir gofret taşıyıcı, alıcı veya yapısal bileşen olarak kullanılır.

Bize e-posta gönderin

Özellikler

SiC seramik plaka Özeti

1600°C'ye kadar olağanüstü termal kararlılık ve reaktif gazlara ve plazma ortamlarına karşı mükemmel direnç ile SiC plaka, yüksek sıcaklıkta aşındırma, biriktirme ve difüzyon işlemleri sırasında tutarlı performans sağlar. Yoğun, gözeneksiz mikro yapısı, parçacık oluşumunu en aza indirerek vakum veya temiz oda ortamlarında ultra temiz uygulamalar için idealdir.

SiC seramik plaka Uygulaması

1. Yarıiletken Üretimi

SiC seramik plakalar, CVD (Kimyasal Buhar Biriktirme), PVD (Fiziksel Buhar Biriktirme) ve aşındırma sistemleri gibi yarı iletken üretim ekipmanlarında yaygın olarak yonga taşıyıcıları, alıcılar ve kaide plakaları olarak kullanılır. Mükemmel termal iletkenlikleri ve düşük termal genleşmeleri, yüksek hassasiyetli yonga işleme için kritik olan düzgün sıcaklık dağılımını korumalarını sağlar. SiC'nin aşındırıcı gazlara ve plazmalara karşı direnci, zorlu ortamlarda dayanıklılığı garanti ederek parçacık kontaminasyonunu ve ekipman bakımını azaltmaya yardımcı olur.

2. LED Endüstrisi – ICP Aşındırma

LED üretim sektöründe, SiC plakalar ICP (Endüktif Eşleşmiş Plazma) aşındırma sistemlerindeki temel bileşenlerdir. Wafer tutucu görevi görerek, plazma işleme sırasında safir veya GaN wafer'ları desteklemek için kararlı ve termal olarak sağlam bir platform sağlarlar. Mükemmel plazma dirençleri, yüzey düzlüğü ve boyut kararlılıkları, yüksek aşındırma doğruluğu ve düzgünlüğünü garanti altına almaya yardımcı olur ve LED çiplerinde artan verim ve cihaz performansına yol açar.

3. Fotovoltaik (PV) ve Güneş Enerjisi

SiC seramik plakalar ayrıca güneş pili üretiminde, özellikle yüksek sıcaklıkta sinterleme ve tavlama adımları sırasında kullanılır. Yüksek sıcaklıklardaki eylemsizlikleri ve eğilmeye karşı direnç yetenekleri, silikon gofretlerin tutarlı bir şekilde işlenmesini sağlar. Ek olarak, düşük kirlenme riskleri, fotovoltaik hücrelerin verimliliğini korumak için hayati önem taşır.

SiC seramik plaka Özellikleri

1. Olağanüstü Mekanik Güç ve Sertlik

SiC seramik plakalar, 400 MPa'yı aşan tipik bir eğilme mukavemeti ve >2000 HV'ye ulaşan Vickers sertliği ile çok yüksek mekanik mukavemet sergiler. Bu, onları mekanik aşınmaya, yıpranmaya ve deformasyona karşı oldukça dirençli hale getirir ve yüksek yük veya tekrarlanan termal döngü altında bile uzun hizmet ömrü sağlar.

2. Yüksek Isıl İletkenlik

SiC, mükemmel termal iletkenliğe sahiptir (tipik olarak 120–200 W/m·K), bu da ısıyı yüzeyinde eşit şekilde dağıtmasına olanak tanır. Bu özellik, sıcaklık düzgünlüğünün doğrudan ürün verimini ve kalitesini etkilediği yonga aşındırma, biriktirme veya sinterleme gibi işlemlerde kritik öneme sahiptir.

3. Üstün Termal Kararlılık

Yüksek erime noktası (2700°C) ve düşük termal genleşme katsayısı (4,0 × 10⁻⁶/K) ile SiC seramik plakalar, hızlı ısıtma ve soğutma döngüleri altında boyutsal doğruluğu ve yapısal bütünlüğü korur. Bu, onları yüksek sıcaklık fırınları, vakum odaları ve plazma ortamlarındaki uygulamalar için ideal hale getirir.

Teknik Özellikler
Dizin	Birim	Değer
Malzeme Adı		Reaksiyon Sinterlenmiş Silisyum Karbür	Basınçsız Sinterlenmiş Silisyum Karbür	Yeniden kristalleştirilmiş silisyum karbür
Kompozisyon		RBSiC	SSiC	R-SiC
Yığın Yoğunluğu	g/cm3	3	3,15 ± 0,03	2.60-2.70
Eğilme Dayanımı	MPa (kpsi)	338(49)	380(55)	80-90 (20°C) 90-100(1400°C)
Basınç Dayanımı	MPa (kpsi)	1120(158)	3970(560)	> 600
Sertlik	Topuz	2700	2800	/
Azmi Kırmak	MPa m1/2	4.5	4	/
Isıl İletkenlik	W/mk	95	120	23
Isıl Genleşme Katsayısı	10^-6.1/°C	5	4	4.7
Özgül Isı	Joule/g 0k	0,8	0,67	/
Havadaki maksimum sıcaklık	℃	1200	1500	1600
Elastiklik Modülü	Not ortalaması	360	410	240

SiC seramik plaka S&C

S: Silisyum karbür plakanın özellikleri nelerdir?

A: Silisyum karbür (SiC) plakalar, yüksek mukavemet, sertlik ve termal kararlılıklarıyla bilinir. Mükemmel termal iletkenlik ve düşük termal genleşme özellikleriyle aşırı sıcaklıklarda güvenilir performans sağlarlar. SiC ayrıca kimyasal olarak inerttir, asitlere, alkalilere ve plazma ortamlarına dayanıklıdır, bu da onu yarı iletken ve LED işleme için ideal kılar. Yoğun ve pürüzsüz yüzeyi, partikül oluşumunu en aza indirerek temiz oda uyumluluğunu korur. SiC plakalar, yarı iletken, fotovoltaik ve havacılık endüstrilerinde yüksek sıcaklık ve aşındırıcı ortamlarda yonga taşıyıcı, alıcı ve destek bileşeni olarak yaygın olarak kullanılır.