ICP için 4 inç ve 6 inç wafer tutucuya yönelik SiC seramik plaka/tepsi
SiC seramik levha Özeti
SiC seramik levha, aşırı termal, kimyasal ve mekanik ortamlarda kullanılmak üzere tasarlanmış, yüksek saflıkta Silisyum Karbürden üretilmiş yüksek performanslı bir bileşendir. Olağanüstü sertliği, ısı iletkenliği ve korozyon direnciyle bilinen SiC levha, yarı iletken, LED, fotovoltaik ve havacılık endüstrilerinde yaygın olarak gofret taşıyıcı, destekleyici veya yapısal bileşen olarak kullanılmaktadır.
1600°C'ye kadar olağanüstü termal kararlılığı ve reaktif gazlara ve plazma ortamlarına karşı mükemmel direnciyle SiC levha, yüksek sıcaklıkta aşındırma, biriktirme ve difüzyon işlemlerinde tutarlı performans sağlar. Yoğun, gözeneksiz mikro yapısı, parçacık oluşumunu en aza indirerek vakum veya temiz oda ortamlarındaki ultra temiz uygulamalar için ideal hale getirir.
SiC seramik levha uygulaması
1. Yarı İletken Üretimi
SiC seramik plakalar, CVD (Kimyasal Buhar Biriktirme), PVD (Fiziksel Buhar Biriktirme) ve aşındırma sistemleri gibi yarı iletken üretim ekipmanlarında genellikle gofret taşıyıcı, destekleyici ve kaide plakası olarak kullanılır. Mükemmel termal iletkenlikleri ve düşük termal genleşmeleri, yüksek hassasiyetli gofret işleme için kritik öneme sahip olan homojen sıcaklık dağılımını korumalarına olanak tanır. SiC'nin aşındırıcı gazlara ve plazmalara karşı direnci, zorlu ortamlarda dayanıklılık sağlayarak partikül kirliliğini ve ekipman bakımını azaltmaya yardımcı olur.
2. LED Endüstrisi – ICP Aşındırma
LED üretim sektöründe, SiC plakalar, ICP (İndüktif Olarak Eşleştirilmiş Plazma) aşındırma sistemlerinde kilit bileşenlerdir. Plaka tutucu görevi gören bu plakalar, plazma işleme sırasında safir veya GaN plakaları desteklemek için kararlı ve termal olarak dayanıklı bir platform sağlar. Mükemmel plazma dirençleri, yüzey düzlükleri ve boyutsal kararlılıkları, yüksek aşındırma doğruluğu ve homojenliğini sağlayarak LED çiplerinde verimliliği ve cihaz performansını artırmaya yardımcı olur.
3. Fotovoltaik (PV) ve Güneş Enerjisi
SiC seramik levhalar, özellikle yüksek sıcaklıkta sinterleme ve tavlama aşamalarında güneş pili üretiminde de kullanılmaktadır. Yüksek sıcaklıklarda inert olmaları ve bükülmeye karşı direnç göstermeleri, silikon levhaların tutarlı bir şekilde işlenmesini sağlar. Ayrıca, düşük kirlenme riski, fotovoltaik hücrelerin verimliliğinin korunması için hayati önem taşır.
SiC seramik levhanın özellikleri
1. Olağanüstü Mekanik Mukavemet ve Sertlik
SiC seramik levhalar, tipik eğilme dayanımı 400 MPa'yı aşan ve Vickers sertliği >2000 HV'ye ulaşan çok yüksek mekanik dayanım sergiler. Bu da onları mekanik aşınmaya, yıpranmaya ve deformasyona karşı son derece dirençli hale getirerek, yüksek yük altında veya tekrarlanan termal döngülerde bile uzun hizmet ömrü sağlar.
2. Yüksek Isı İletkenliği
SiC, mükemmel termal iletkenliğe (tipik olarak 120–200 W/m·K) sahiptir ve bu da ısıyı yüzeyine eşit şekilde dağıtmasını sağlar. Bu özellik, sıcaklık homojenliğinin ürün verimini ve kalitesini doğrudan etkilediği gofret aşındırma, kaplama veya sinterleme gibi işlemlerde kritik öneme sahiptir.
3. Üstün Termal Kararlılık
Yüksek erime noktası (2700°C) ve düşük termal genleşme katsayısı (4,0 × 10⁻⁶/K) ile SiC seramik levhalar, hızlı ısıtma ve soğutma döngülerinde boyutsal doğruluğunu ve yapısal bütünlüğünü korur. Bu da onları yüksek sıcaklık fırınları, vakum odaları ve plazma ortamlarındaki uygulamalar için ideal hale getirir.
| Teknik Özellikler | ||||
| İndeks | Birim | Değer | ||
| Malzeme Adı | Reaksiyon Sinterlenmiş Silisyum Karbür | Basınçsız Sinterlenmiş Silisyum Karbür | Yeniden kristalleştirilmiş silisyum karbür | |
| Kompozisyon | RBSiC | SSiC | R-SiC | |
| Hacim Yoğunluğu | g/cm3 | 3 | 3,15 ± 0,03 | 2.60-2.70 |
| Eğilme Mukavemeti | MPa (kpsi) | 338(49) | 380(55) | 80-90 (20°C) 90-100 (1400°C) |
| Basınç Dayanımı | MPa (kpsi) | 1120(158) | 3970(560) | > 600 |
| Sertlik | Knoop | 2700 | 2800 | / |
| Azmi Kırmak | MPa m1/2 | 4.5 | 4 | / |
| Isı İletkenliği | W/mk | 95 | 120 | 23 |
| Isı Genleşme Katsayısı | 10-6.1/°C | 5 | 4 | 4.7 |
| Özgül Isı | Joule/g 0k | 0.8 | 0.67 | / |
| Havadaki maksimum sıcaklık | ℃ | 1200 | 1500 | 1600 |
| Elastik Modül | GPA | 360 | 410 | 240 |
SiC seramik levha Soru-Cevap
S: Silisyum karbür levhanın özellikleri nelerdir?
A: Silisyum karbür (SiC) levhalar, yüksek mukavemetleri, sertlikleri ve termal kararlılıklarıyla bilinir. Mükemmel termal iletkenlik ve düşük termal genleşme sunarak, aşırı sıcaklıklarda güvenilir performans sağlarlar. SiC ayrıca kimyasal olarak inerttir, asitlere, alkalilere ve plazma ortamlarına karşı dirençlidir, bu da onu yarı iletken ve LED işleme için ideal kılar. Yoğun ve pürüzsüz yüzeyi, partikül oluşumunu en aza indirerek temiz oda uyumluluğunu korur. SiC levhalar, yarı iletken, fotovoltaik ve havacılık endüstrilerinde yüksek sıcaklık ve aşındırıcı ortamlarda gofret taşıyıcı, destekleyici ve yardımcı bileşen olarak yaygın olarak kullanılmaktadır.
