Wafer taşıma için SiC seramik uç efektör taşıma kolu

SiC seramik uç efektör taşıma kolu, wafer taşıma için Öne Çıkan Görsel

Kısa Açıklama:

LiNbO₃ Wafer'lar, entegre fotonik ve hassas akustikte altın standardı temsil eder ve modern optoelektronik sistemlerde benzersiz bir performans sunar. Lider bir üretici olarak, bu mühendislik alt tabakalarını gelişmiş buhar taşıma dengeleme teknikleriyle üretme sanatında ustalaştık ve 50/cm²'nin altında kusur yoğunluklarıyla sektör lideri kristal mükemmelliğine ulaştık.

XKH üretim kapasiteleri, 75 mm'den 150 mm'ye kadar çapları kapsar ve hassas yönlendirme kontrolü (X/Y/Z kesim ±0,3°) ve nadir toprak elementleri de dahil olmak üzere özel katkılama seçenekleri sunar. LiNbO₃ Wafer'ların benzersiz özellikleri, dikkat çekici r₃₃ katsayısı (32±2 pm/V) ve yakın UV'den orta IR'ye kadar geniş şeffaflık gibi özellikleriyle, onları yeni nesil fotonik devreler ve yüksek frekanslı akustik cihazlar için vazgeçilmez kılar.

Bize e-posta gönderin

Özellikler

SiC seramik uç efektörü Özet

SiC (Silisyum Karbür) seramik uç efektörü, yarı iletken üretimi ve gelişmiş mikrofabrikasyon ortamlarında kullanılan yüksek hassasiyetli yonga taşıma sistemlerinde kritik bir bileşendir. Ultra temiz, yüksek sıcaklıklı ve son derece kararlı ortamların zorlu gereksinimlerini karşılamak üzere tasarlanan bu özel uç efektörü, litografi, aşındırma ve biriktirme gibi önemli üretim aşamalarında yongaların güvenilir ve kontaminasyonsuz taşınmasını sağlar.

Silisyum karbürün yüksek ısıl iletkenlik, olağanüstü sertlik, mükemmel kimyasal atalet ve minimum ısıl genleşme gibi üstün malzeme özelliklerinden yararlanan SiC seramik uç efektörü, hızlı ısıl çevrimlerde veya aşındırıcı proses odalarında bile eşsiz mekanik sertlik ve boyutsal kararlılık sunar. Düşük partikül üretimi ve plazma direnci özellikleri, onu özellikle gofret yüzey bütünlüğünün korunmasının ve partikül kontaminasyonunun azaltılmasının çok önemli olduğu temiz oda ve vakum işleme uygulamaları için uygun hale getirir.

SiC seramik uç efektör Uygulaması

1. Yarıiletken Wafer Kullanımı

SiC seramik uç efektörleri, yarı iletken endüstrisinde otomatik üretim sırasında silikon yongaların işlenmesinde yaygın olarak kullanılmaktadır. Bu uç efektörler genellikle robotik kollara veya vakum transfer sistemlerine monte edilir ve 200 mm ve 300 mm gibi çeşitli boyutlardaki yongaları taşıyacak şekilde tasarlanmıştır. Kimyasal Buhar Biriktirme (CVD), Fiziksel Buhar Biriktirme (PVD), aşındırma ve difüzyon gibi yüksek sıcaklıkların, vakum koşullarının ve aşındırıcı gazların yaygın olduğu proseslerde olmazsa olmazdırlar. SiC'nin olağanüstü termal direnci ve kimyasal kararlılığı, onu bu tür zorlu ortamlara bozulmadan dayanmak için ideal bir malzeme haline getirir.

2. Temiz Oda ve Vakum Uyumluluğu

Partikül kontaminasyonunun en aza indirilmesi gereken temiz oda ve vakum ortamlarında, SiC seramikler önemli avantajlar sunar. Malzemenin yoğun ve pürüzsüz yüzeyi, partikül oluşumuna direnç göstererek taşıma sırasında gofret bütünlüğünün korunmasına yardımcı olur. Bu, SiC uç efektörlerini, temizliğin hayati önem taşıdığı Aşırı Ultraviyole Litografi (EUV) ve Atomik Katman Biriktirme (ALD) gibi kritik prosesler için özellikle uygun hale getirir. Ayrıca, SiC'nin düşük gaz salınımı ve yüksek plazma direnci, vakum odalarında güvenilir performans sağlayarak aletlerin ömrünü uzatır ve bakım sıklığını azaltır.

3. Yüksek Hassasiyetli Konumlandırma Sistemleri

Hassasiyet ve stabilite, özellikle metroloji, muayene ve hizalama ekipmanlarında olmak üzere, gelişmiş yonga işleme sistemlerinde hayati önem taşır. SiC seramikler, son derece düşük bir termal genleşme katsayısına ve yüksek sertliğe sahiptir ve bu da uç elemanın termal döngü veya mekanik yük altında bile yapısal doğruluğunu korumasını sağlar. Bu, yongaların taşıma sırasında hassas bir şekilde hizalanmasını sağlayarak, mikro çizikler, hizalama hataları veya ölçüm hataları riskini en aza indirir; bu faktörler 5 nm'nin altındaki işlem düğümlerinde giderek daha kritik hale gelir.

SiC seramik uç efektör Özellikleri

1. Yüksek Mekanik Dayanıklılık ve Sertlik

SiC seramikler, genellikle 400 MPa'yı aşan eğilme dayanımı ve 2000 HV'nin üzerinde Vickers sertlik değerleriyle olağanüstü bir mekanik dayanıma sahiptir. Bu, onları uzun süreli kullanımdan sonra bile mekanik strese, darbeye ve aşınmaya karşı oldukça dirençli kılar. SiC'nin yüksek rijitliği, yüksek hızlı gofret transferleri sırasında sapmayı en aza indirerek doğru ve tekrarlanabilir konumlandırma sağlar.

2. Mükemmel Termal Kararlılık

SiC seramiklerinin en değerli özelliklerinden biri, mekanik bütünlüklerini kaybetmeden, genellikle inert atmosferlerde 1600°C'ye kadar varan aşırı yüksek sıcaklıklara dayanabilmeleridir. Düşük termal genleşme katsayıları (~4,0 x 10⁻⁶ /K), termal çevrim altında boyutsal kararlılık sağlayarak CVD, PVD ve yüksek sıcaklıkta tavlama gibi uygulamalar için ideal hale getirir.

SiC seramik uç efektörü S&C

S: Wafer uç efektöründe hangi malzeme kullanılıyor?

A:Wafer uç efektörleri genellikle yüksek mukavemet, termal kararlılık ve düşük partikül üretimi sunan malzemelerden üretilir. Bunlar arasında Silisyum Karbür (SiC) seramik, en gelişmiş ve tercih edilen malzemelerden biridir. SiC seramikler son derece sert, termal olarak kararlı, kimyasal olarak inert ve aşınmaya dayanıklıdır, bu da onları temiz oda ve vakum ortamlarında hassas silikon wafer'ların işlenmesi için ideal hale getirir. Kuvars veya kaplamalı metallerle karşılaştırıldığında, SiC yüksek sıcaklıklarda üstün boyut kararlılığı sunar ve partikül yaymaz, bu da kontaminasyonu önlemeye yardımcı olur.