Yarı İletken Lazer Kaldırma Ekipmanı, Külçe İnceltmede Devrim Yaratıyor

Kısa Açıklama:

Yarı İletken Lazer Kaldırma Ekipmanı, lazerle tetiklenen kaldırma teknikleri ile yarı iletken külçelerin hassas ve temassız incelmesi için tasarlanmış, son derece uzmanlaşmış bir endüstriyel çözümdür. Bu gelişmiş sistem, modern yarı iletken yongalama süreçlerinde, özellikle yüksek performanslı güç elektroniği, LED'ler ve RF cihazları için ultra ince yongaların üretiminde önemli bir rol oynar. İnce katmanların toplu külçelerden veya donör alt tabakalardan ayrılmasını sağlayan Yarı İletken Lazer Kaldırma Ekipmanı, mekanik kesme, taşlama ve kimyasal aşındırma adımlarını ortadan kaldırarak külçe inceltmede devrim yaratır.

Bize e-posta gönderin

Özellikler

Ayrıntılı Diyagram

Yarı İletken Lazer Kaldırma Ekipmanının Ürün Tanıtımı

Galyum nitrür (GaN), silisyum karbür (SiC) ve safir gibi yarı iletken külçelerin geleneksel inceltme işlemi genellikle emek yoğun, israfçı ve mikro çatlaklara veya yüzey hasarına yatkındır. Buna karşılık, Yarı İletken Lazer Kaldırma Ekipmanları, malzeme kaybını ve yüzey gerilimini en aza indirirken üretkenliği artıran, tahribatsız ve hassas bir alternatif sunar. Çok çeşitli kristal ve bileşik malzemeleri destekler ve ön uç veya orta akış yarı iletken üretim hatlarına sorunsuz bir şekilde entegre edilebilir.

Yapılandırılabilir lazer dalga boyları, adaptif odaklama sistemleri ve vakum uyumlu gofret tutucuları ile bu ekipman, özellikle külçe dilimleme, lamel oluşturma ve dikey cihaz yapıları veya heteroepitaksiyel katman transferi için ultra ince film ayırma işlemleri için oldukça uygundur.

Yarı İletken Lazer Kaldırma Ekipmanının Parametreleri

Dalga boyu	IR/SHG/THG/FHG
Darbe Genişliği	Nanosaniye, Pikosaniye, Femtosaniye
Optik Sistem	Sabit optik sistem veya Galvano-optik sistem
XY Aşaması	500 mm × 500 mm
İşleme Aralığı	160 mm
Hareket Hızı	Maksimum 1.000 mm/sn
Tekrarlanabilirlik	±1 μm veya daha az
Mutlak Pozisyon Doğruluğu:	±5 μm veya daha az
Gofret Boyutu	2–6 inç veya özelleştirilmiş
Kontrol	Windows 10,11 ve PLC
Güç Kaynağı Voltajı	AC 200 V ±20 V, Tek fazlı, 50/60 kHz
Dış Boyutlar	2400 mm (G) × 1700 mm (D) × 2000 mm (Y)
Ağırlık	1.000 kg

Yarı İletken Lazer Kaldırma Ekipmanının Çalışma Prensibi

Yarı İletken Lazer Kaldırma Ekipmanının temel mekanizması, donör külçe ile epitaksiyel veya hedef katman arasındaki arayüzde seçici fototermal ayrışma veya aşındırmaya dayanır. Yüksek enerjili bir UV lazer (genellikle 248 nm'de KrF veya 355 nm civarında katı hal UV lazerler), şeffaf veya yarı saydam bir donör malzemeye odaklanır ve enerji, önceden belirlenmiş bir derinlikte seçici olarak emilir.

Bu lokalize enerji emilimi, arayüzde yüksek basınçlı bir gaz fazı veya termal genleşme tabakası oluşturarak üst gofret veya cihaz tabakasının külçe tabanından temiz bir şekilde ayrılmasını başlatır. İşlem, darbe genişliği, lazer akısı, tarama hızı ve z ekseni odak derinliği gibi parametreler ayarlanarak hassas bir şekilde ayarlanır. Sonuç, genellikle 10 ila 50 µm aralığında, mekanik aşınma olmadan ana külçeden temiz bir şekilde ayrılmış ultra ince bir dilimdir.

Külçe inceltme için bu lazer kaldırma yöntemi, elmas tel kesme veya mekanik taşlama ile ilişkili kerf kaybını ve yüzey hasarını önler. Ayrıca kristal bütünlüğünü korur ve sonraki aşamalarda parlatma gereksinimlerini azaltır, bu da Yarıiletken Lazer Kaldırma Ekipmanını yeni nesil gofret üretimi için çığır açan bir araç haline getirir.

Yarı İletken Lazer Kaldırma Ekipmanı, Külçe İnceltmede Devrim Yaratıyor 2

Yarı İletken Lazer Kaldırma Ekipmanlarının Uygulamaları

Yarı İletken Lazer Kaldırma Ekipmanı, aşağıdakiler de dahil olmak üzere çeşitli gelişmiş malzeme ve cihaz tiplerinde külçe inceltmede geniş uygulama alanı bulmaktadır:

Güç Cihazları için GaN ve GaAs Külçe İnceltme
Yüksek verimli, düşük dirençli güç transistörleri ve diyotlar için ince yonga oluşturulmasını sağlar.

SiC Alt Tabaka Geri Kazanımı ve Lamella Ayrımı
Dikey cihaz yapıları ve gofret yeniden kullanımı için toplu SiC alt tabakalarından gofret ölçeğinde ayrılmaya olanak tanır.

LED Wafer Dilimleme
Kalın safir külçelerden GaN katmanlarının ayrılarak ultra ince LED alt tabakalarının üretilmesini kolaylaştırır.

RF ve Mikrodalga Cihaz Üretimi
5G ve radar sistemlerinde ihtiyaç duyulan ultra ince yüksek elektron hareketliliğine sahip transistör (HEMT) yapılarını destekler.

Epitaksiyel Katman Transferi
Kristalin külçelerden epitaksiyel katmanları hassas bir şekilde ayırarak yeniden kullanılmasını veya hetero yapılara entegre edilmesini sağlar.

İnce Film Güneş Hücreleri ve Fotovoltaikler
Esnek veya yüksek verimli güneş hücrelerinde ince emici tabakaları ayırmak için kullanılır.

Bu alanların her birinde, Yarı İletken Lazer Kaldırma Ekipmanı, kalınlık düzgünlüğü, yüzey kalitesi ve katman bütünlüğü üzerinde eşsiz bir kontrol sağlar.

Lazer Tabanlı Külçe İnceltmenin Avantajları

Sıfır Kerf Malzeme Kaybı
Geleneksel gofret dilimleme yöntemlerine kıyasla lazer işleminde neredeyse %100 oranında malzeme kullanımı sağlanmaktadır.

Minimum Stres ve Eğilme
Temassız kaldırma, mekanik titreşimi ortadan kaldırarak, gofret yaylanmasını ve mikro çatlak oluşumunu azaltır.

Yüzey Kalitesinin Korunması
Çoğu durumda inceltme sonrası taşlama veya parlatma gerekmez, çünkü lazer kaldırma üst yüzey bütünlüğünü korur.

Yüksek Verimlilik ve Otomasyona Hazır
Otomatik yükleme/boşaltma ile vardiya başına yüzlerce alt tabakayı işleme kapasitesine sahiptir.

Çoklu Malzemelere Uyarlanabilir
GaN, SiC, safir, GaAs ve yeni çıkan III-V malzemeleriyle uyumludur.

Çevresel Olarak Daha Güvenli
Bulamaç bazlı inceltme işlemlerinde tipik olarak kullanılan aşındırıcıların ve sert kimyasalların kullanımını azaltır.

Alt Tabaka Yeniden Kullanımı
Donör külçeler, birden fazla kaldırma çevrimi için geri dönüştürülebilir ve bu sayede malzeme maliyetleri büyük ölçüde azaltılabilir.

Yarı İletken Lazer Kaldırma Ekipmanları Hakkında Sıkça Sorulan Sorular (SSS)

S1: Yarı İletken Lazer Kaldırma Ekipmanı, gofret dilimleri için hangi kalınlık aralığına ulaşabilir?
A1:Tipik dilim kalınlığı, malzemeye ve yapılandırmaya bağlı olarak 10 µm ile 100 µm arasında değişmektedir.

S2: Bu ekipman, SiC gibi opak malzemelerden yapılmış külçeleri inceltmek için kullanılabilir mi?
A2:Evet. Lazer dalga boyunu ayarlayarak ve arayüz mühendisliğini (örneğin, fedakar ara katmanlar) optimize ederek, kısmen opak malzemeler bile işlenebilir.

S3: Lazer kaldırma işleminden önce donör alt tabaka nasıl hizalanır?
A3:Sistem, referans işaretlerinden ve yüzey yansıtma taramalarından gelen geri bildirimlerle alt mikron görüş tabanlı hizalama modüllerini kullanır.

S4: Bir lazer kaldırma işlemi için beklenen çevrim süresi nedir?
A4:Wafer boyutuna ve kalınlığına bağlı olarak tipik çevrimler 2 ila 10 dakika arasında sürer.

S5: İşlem temiz oda ortamı gerektiriyor mu?
A5:Zorunlu olmamakla birlikte, yüksek hassasiyetli işlemler sırasında alt tabaka temizliğini ve cihaz verimini korumak için temiz oda entegrasyonu önerilir.

Hakkımızda

XKH, özel optik cam ve yeni kristal malzemelerin yüksek teknoloji geliştirme, üretim ve satışında uzmanlaşmıştır. Ürünlerimiz optik elektronik, tüketici elektroniği ve askeri sektöre hizmet vermektedir. Safir optik bileşenler, cep telefonu lens kapakları, Seramik, LT, Silisyum Karbür SIC, Kuvars ve yarı iletken kristal gofretler sunuyoruz. Uzmanlığımız ve son teknoloji ekipmanlarımız sayesinde, standart dışı ürün işlemede uzmanlaşıyor ve optoelektronik malzemeler alanında lider bir yüksek teknoloji kuruluşu olmayı hedefliyoruz.