InSb wafer 2 inç 3 inç katkısız Ntype P tipi yönelim 111 100 Kızılötesi Dedektörler için

Kısa Açıklama:

İndiyum Antimonid (InSb) gofretleri, dar bant aralığı ve yüksek elektron hareketliliği nedeniyle kızılötesi algılama teknolojilerinde kullanılan temel malzemelerdir. 2 inç ve 3 inç çaplarda mevcut olan bu gofretler, katkısız, N tipi ve P tipi varyasyonlarda sunulmaktadır. Gofretler, çeşitli kızılötesi algılama ve yarı iletken uygulamaları için esneklik sağlayan 100 ve 111 yönelimleriyle üretilir. InSb gofretlerinin yüksek hassasiyeti ve düşük gürültüsü, bunları orta dalga boylu kızılötesi (MWIR) dedektörlerde, kızılötesi görüntüleme sistemlerinde ve hassasiyet ve yüksek performans yetenekleri gerektiren diğer optoelektronik uygulamalarda kullanım için ideal hale getirir.

Bize e-posta gönderin

Ürün Detayı

Ürün Etiketleri

Özellikler

Doping Seçenekleri:
1. Katkısız:Bu gofretler herhangi bir doping maddesinden arındırılmış olup, esas olarak epitaksiyel büyüme gibi gofretin saf bir substrat görevi gördüğü özel uygulamalarda kullanılır.
2.N-Tipi (Te Katkılı):Tellür (Te) katkısı, yüksek elektron hareketliliği sunan ve bunları kızılötesi dedektörler, yüksek hızlı elektronik cihazlar ve verimli elektron akışı gerektiren diğer uygulamalar için uygun hale getiren N tipi gofretler oluşturmak için kullanılır.
3.P-Tipi (Ge Katkılı):P tipi gofretler oluşturmak için Germanyum (Ge) katkısı kullanılır, bu sayede yüksek delik hareketliliği sağlanır ve kızılötesi sensörler ve fotodedektörler için mükemmel performans sağlanır.

Beden Seçenekleri:
1. Wafer'lar 2 inç ve 3 inç çaplarında mevcuttur. Bu, çeşitli yarı iletken üretim süreçleri ve cihazlarıyla uyumluluğu garanti eder.
2. 2 inçlik gofretin çapı 50,8 ± 0,3 mm iken, 3 inçlik gofretin çapı 76,2 ± 0,3 mm'dir.

Oryantasyon:
1. Wafer'lar 100 ve 111 yönelimleriyle mevcuttur. 100 yönelimi yüksek hızlı elektronik cihazlar ve kızılötesi dedektörler için idealdir, 111 yönelimi ise belirli elektriksel veya optik özellikler gerektiren cihazlarda sıklıkla kullanılır.

Yüzey Kalitesi:
1.Bu gofretler, hassas optik veya elektriksel özellikler gerektiren uygulamalarda optimum performans sağlayan, mükemmel kalite için cilalı/aşındırılmış yüzeylerle gelir.
2. Yüzey hazırlığı düşük hata yoğunluğunu garanti eder ve bu sayede bu gofretler, performans tutarlılığının kritik olduğu kızılötesi algılama uygulamaları için idealdir.

Epi-Hazır:
1. Bu gofretler epi-hazırdır ve bu sayede, ileri yarı iletken veya optoelektronik cihaz üretimi için gofret üzerine ek malzeme katmanlarının biriktirileceği epitaksiyel büyüme içeren uygulamalar için uygundurlar.

Uygulamalar

1.Kızılötesi Dedektörler:InSb wafer'lar, özellikle orta dalga boyu kızılötesi (MWIR) aralıklarında kızılötesi dedektörlerin üretiminde yaygın olarak kullanılır. Gece görüş sistemleri, termal görüntüleme ve askeri uygulamalar için olmazsa olmazdır.
2.Kızılötesi Görüntüleme Sistemleri:InSb yongalarının yüksek hassasiyeti, güvenlik, gözetleme ve bilimsel araştırma gibi çeşitli sektörlerde hassas kızılötesi görüntüleme yapılmasına olanak tanır.
3. Yüksek Hızlı Elektronik:Bu waferlar yüksek elektron hareketliliğinden dolayı yüksek hızlı transistörler ve optoelektronik cihazlar gibi ileri elektronik cihazlarda kullanılır.
4.Kuantum Kuyu Cihazları:InSb wafer'lar lazerler, dedektörler ve diğer optoelektronik sistemlerdeki kuantum kuyusu uygulamaları için idealdir.

Ürün Parametreleri

Parametre	2 inç	3 inç
Çap	50,8±0,3 mm	76,2 ± 0,3 mm
Kalınlık	500±5μm	650±5μm
Yüzey	Cilalı/Aşındırılmış	Cilalı/Aşındırılmış
Doping Türü	Katkısız, Te katkılı (N), Ge katkılı (P)	Katkısız, Te katkılı (N), Ge katkılı (P)
Oryantasyon	100, 111	100, 111
Paket	Bekar	Bekar
Epi-Hazır	Evet	Evet

Te Katkılı (N-Tipi) için Elektriksel Parametreler:

Hareketlilik: 2000-5000 cm²/V·s
Dirençlilik: (1-1000) Ω·cm
EPD (Kusur Yoğunluğu): ≤2000 kusur/cm²

Ge Katkılı (P-Tipi) için Elektriksel Parametreler:

Hareketlilik: 4000-8000 cm²/V·s
Dirençlilik: (0,5-5) Ω·cm

EPD (Kusur Yoğunluğu): ≤2000 kusur/cm²

S&C (Sıkça Sorulan Sorular)

S1: Kızılötesi algılama uygulamaları için ideal doping türü nedir?

A1:Te-doplanmış (N-tipi)Wafer'lar, yüksek elektron hareketliliği ve orta dalga boylu kızılötesi (MWIR) dedektörlerde ve görüntüleme sistemlerinde mükemmel performans sundukları için genellikle kızılötesi algılama uygulamaları için ideal seçimdir.

S2: Bu wafer'ları yüksek hızlı elektronik uygulamalarda kullanabilir miyim?

A2: Evet, özellikle InSb plakalarıN tipi dopingve100 oryantasyonYüksek elektron hareketliliğinden dolayı transistörler, kuantum kuyusu aygıtları ve optoelektronik bileşenler gibi yüksek hızlı elektronikler için oldukça uygundurlar.

S3: InSb wafer’lar için 100 ve 111 yönelimleri arasındaki farklar nelerdir?

A3:100yönlendirme genellikle yüksek hızlı elektronik performans gerektiren aygıtlar için kullanılırken,111Yönlendirme, belirli optoelektronik cihazlar ve sensörler de dahil olmak üzere, farklı elektriksel veya optik özellikler gerektiren belirli uygulamalar için sıklıkla kullanılır.

S4: InSb wafer’lar için Epi-Ready özelliğinin önemi nedir?

A4:Epi-Hazırözellik, gofretin epitaksiyel biriktirme işlemleri için önceden işlendiği anlamına gelir. Bu, gofretin üstünde ek malzeme katmanlarının büyümesini gerektiren uygulamalar için, örneğin gelişmiş yarı iletken veya optoelektronik cihazların üretimi için çok önemlidir.

S5: InSb wafer’ların kızılötesi teknoloji alanında tipik uygulamaları nelerdir?

A5: InSb wafer'lar öncelikli olarak kızılötesi algılama, termal görüntüleme, gece görüş sistemleri ve diğer kızılötesi algılama teknolojilerinde kullanılır. Yüksek hassasiyetleri ve düşük gürültüleri onları şu amaçlar için ideal hale getirir:orta dalga boylu kızılötesi (MWIR)dedektörler.

S6: Wafer'ın kalınlığı performansını nasıl etkiler?

A6: Gofretin kalınlığı, mekanik kararlılığı ve elektriksel özelliklerinde kritik bir rol oynar. Daha ince gofretler genellikle malzeme özellikleri üzerinde hassas kontrol gerektiren daha hassas uygulamalarda kullanılırken, daha kalın gofretler belirli endüstriyel uygulamalar için gelişmiş dayanıklılık sağlar.

S7: Uygulamam için uygun gofret boyutunu nasıl seçerim?

A7: Uygun gofret boyutu, tasarlanan belirli cihaza veya sisteme bağlıdır. Daha küçük gofretler (2 inç) genellikle araştırma ve daha küçük ölçekli uygulamalar için kullanılırken, daha büyük gofretler (3 inç) genellikle seri üretim ve daha fazla malzeme gerektiren daha büyük cihazlar için kullanılır.

Çözüm

InSb gofretler2 inçVe3 inçboyutları, ilekatkısız, N tipi, VeP tipivaryasyonlar, özellikle kızılötesi algılama sistemlerinde yarı iletken ve optoelektronik uygulamalarda oldukça değerlidir.100Ve111yönelimler, yüksek hızlı elektroniklerden kızılötesi görüntüleme sistemlerine kadar çeşitli teknolojik ihtiyaçlar için esneklik sağlar. Olağanüstü elektron hareketliliği, düşük gürültüsü ve hassas yüzey kalitesiyle bu gofretler,orta dalga boylu kızılötesi dedektörlerve diğer yüksek performanslı uygulamalar.