Kızılötesi Dedektörler için 2 inç 3 inç katkısız N tipi P tipi yönelimli InSb gofret 111 100

Kısa Açıklama:

İndiyum Antimonid (InSb) gofretler, dar bant aralığı ve yüksek elektron hareketliliği sayesinde kızılötesi algılama teknolojilerinde kullanılan temel malzemelerdir. 2 inç ve 3 inç çaplarda mevcut olan bu gofretler, katkısız, N tipi ve P tipi varyasyonlarda sunulmaktadır. Gofretler, çeşitli kızılötesi algılama ve yarı iletken uygulamaları için esneklik sağlayan 100 ve 111 yönelimleriyle üretilmiştir. InSb gofretlerin yüksek hassasiyeti ve düşük gürültüsü, onları orta dalga boylu kızılötesi (MWIR) dedektörlerde, kızılötesi görüntüleme sistemlerinde ve hassasiyet ve yüksek performans gerektiren diğer optoelektronik uygulamalarda kullanım için ideal hale getirir.

Bize e-posta gönderin

Özellikler

Doping Seçenekleri:
1. Katkısız:Bu gofretler herhangi bir katkı maddesi içermez ve öncelikli olarak gofretin saf bir alt tabaka görevi gördüğü epitaksiyel büyüme gibi özel uygulamalarda kullanılır.
2.N-Tipi (Te Katkılı):Tellür (Te) katkısı, yüksek elektron hareketliliği sunan ve bunları kızılötesi dedektörler, yüksek hızlı elektronik cihazlar ve verimli elektron akışı gerektiren diğer uygulamalar için uygun hale getiren N tipi gofretler oluşturmak için kullanılır.
3.P-Tipi (Ge Katkılı):P tipi gofretler oluşturmak için Germanyum (Ge) katkısı kullanılır, bu sayede yüksek delik hareketliliği sağlanır ve kızılötesi sensörler ve fotodedektörler için mükemmel performans sağlanır.

Beden Seçenekleri:
1. Gofretler 2 inç ve 3 inç çaplarında mevcuttur. Bu, çeşitli yarı iletken üretim süreçleri ve cihazlarıyla uyumluluğu garanti eder.
2. 2 inçlik gofretin çapı 50,8±0,3 mm iken, 3 inçlik gofretin çapı 76,2±0,3 mm'dir.

Oryantasyon:
1. Wafer'lar 100 ve 111 yönelimleriyle mevcuttur. 100 yönelimi, yüksek hızlı elektronik cihazlar ve kızılötesi dedektörler için idealdir; 111 yönelimi ise belirli elektriksel veya optik özellikler gerektiren cihazlarda sıklıkla kullanılır.

Yüzey Kalitesi:
1.Bu gofretler, hassas optik veya elektriksel özellikler gerektiren uygulamalarda optimum performans sağlayan, mükemmel kalite için cilalı/aşındırılmış yüzeylerle gelir.
2. Yüzey hazırlığı düşük hata yoğunluğunu garanti eder ve bu sayede bu gofretler, performans tutarlılığının kritik olduğu kızılötesi algılama uygulamaları için idealdir.

Epi-Hazır:
1. Bu gofretler epi-hazırdır ve bu sayede ileri yarı iletken veya optoelektronik cihaz üretimi için gofret üzerine ek malzeme katmanlarının biriktirileceği epitaksiyel büyüme içeren uygulamalar için uygundurlar.

Uygulamalar

1.Kızılötesi Dedektörler:InSb gofretler, özellikle orta dalga boylu kızılötesi (MWIR) aralıklardaki kızılötesi dedektörlerin üretiminde yaygın olarak kullanılmaktadır. Gece görüş sistemleri, termal görüntüleme ve askeri uygulamalar için vazgeçilmezdirler.
2.Kızılötesi Görüntüleme Sistemleri:InSb gofretlerinin yüksek hassasiyeti, güvenlik, gözetim ve bilimsel araştırma gibi çeşitli sektörlerde hassas kızılötesi görüntülemeye olanak tanır.
3. Yüksek Hızlı Elektronik:Bu gofretler yüksek elektron hareketliliğinden dolayı yüksek hızlı transistörler ve optoelektronik cihazlar gibi ileri elektronik cihazlarda kullanılır.
4.Kuantum Kuyu Cihazları:InSb gofretler lazerler, dedektörler ve diğer optoelektronik sistemlerdeki kuantum kuyusu uygulamaları için idealdir.

Ürün Parametreleri

Parametre	2 inç	3 inç
Çap	50,8±0,3 mm	76,2±0,3 mm
Kalınlık	500±5μm	650±5μm
Yüzey	Cilalı/Aşındırılmış	Cilalı/Aşındırılmış
Doping Türü	Katkısız, Te katkılı (N), Ge katkılı (P)	Katkısız, Te katkılı (N), Ge katkılı (P)
Oryantasyon	100, 111	100, 111
Paket	Bekar	Bekar
Epi-Hazır	Evet	Evet

Te Katkılı (N Tipi) için Elektriksel Parametreler:

Hareketlilik: 2000-5000 cm²/V·s
Direnç: (1-1000) Ω·cm
EPD (Kusur Yoğunluğu): ≤2000 kusur/cm²

Ge Katkılı (P Tipi) için Elektriksel Parametreler:

Hareketlilik: 4000-8000 cm²/V·s
Direnç: (0,5-5) Ω·cm

EPD (Kusur Yoğunluğu): ≤2000 kusur/cm²

S&C (Sıkça Sorulan Sorular)

S1: Kızılötesi algılama uygulamaları için ideal doping türü nedir?

A1:Te-doped (N-tipi)Gofretler, yüksek elektron hareketliliği ve orta dalga boylu kızılötesi (MWIR) dedektörlerde ve görüntüleme sistemlerinde mükemmel performans sundukları için genellikle kızılötesi algılama uygulamaları için ideal seçimdir.

S2: Bu gofretleri yüksek hızlı elektronik uygulamalarda kullanabilir miyim?

A2: Evet, özellikle InSb gofretlerN tipi dopingve100 oryantasyon, yüksek elektron hareketliliğinden dolayı transistörler, kuantum kuyusu aygıtları ve optoelektronik bileşenler gibi yüksek hızlı elektronikler için oldukça uygundur.

S3: InSb wafer’lar için 100 ve 111 yönelimleri arasındaki farklar nelerdir?

A3:100yönlendirme genellikle yüksek hızlı elektronik performans gerektiren cihazlarda kullanılırken,111Yönlendirme, belirli optoelektronik cihazlar ve sensörler dahil olmak üzere farklı elektriksel veya optik özellikler gerektiren belirli uygulamalar için sıklıkla kullanılır.

S4: InSb wafer’lar için Epi-Ready özelliğinin önemi nedir?

A4:Epi-HazırBu özellik, gofretin epitaksiyel biriktirme işlemleri için ön işleme tabi tutulduğu anlamına gelir. Bu, gofretin üzerinde ek malzeme katmanlarının büyümesini gerektiren uygulamalar (örneğin, gelişmiş yarı iletken veya optoelektronik cihazların üretimi) için kritik öneme sahiptir.

S5: InSb gofretlerin kızılötesi teknoloji alanında tipik uygulamaları nelerdir?

C5: InSb gofretler öncelikle kızılötesi algılama, termal görüntüleme, gece görüş sistemleri ve diğer kızılötesi algılama teknolojilerinde kullanılır. Yüksek hassasiyetleri ve düşük gürültüleri onları aşağıdakiler için ideal kılar:orta dalga boylu kızılötesi (MWIR)dedektörler.

S6: Wafer'ın kalınlığı performansını nasıl etkiler?

C6: Gofretin kalınlığı, mekanik kararlılığı ve elektriksel özelliklerinde kritik bir rol oynar. Daha ince gofretler genellikle malzeme özellikleri üzerinde hassas kontrol gerektiren daha hassas uygulamalarda kullanılırken, daha kalın gofretler belirli endüstriyel uygulamalar için gelişmiş dayanıklılık sağlar.

S7: Uygulamam için uygun gofret boyutunu nasıl seçebilirim?

C7: Uygun gofret boyutu, tasarlanan cihaza veya sisteme bağlıdır. Daha küçük gofretler (2 inç) genellikle araştırma ve daha küçük ölçekli uygulamalar için kullanılırken, daha büyük gofretler (3 inç) genellikle seri üretim ve daha fazla malzeme gerektiren daha büyük cihazlar için kullanılır.

Çözüm

InSb gofretler2 inçVe3 inçboyutları, ilekatkısız, N tipi, VeP tipivaryasyonlar, özellikle kızılötesi algılama sistemlerinde olmak üzere yarı iletken ve optoelektronik uygulamalarda oldukça değerlidir.100Ve111Yönlendirmeler, yüksek hızlı elektroniklerden kızılötesi görüntüleme sistemlerine kadar çeşitli teknolojik ihtiyaçlar için esneklik sağlar. Olağanüstü elektron hareketliliği, düşük gürültüsü ve hassas yüzey kalitesiyle bu gofretler,orta dalga boylu kızılötesi dedektörlerve diğer yüksek performanslı uygulamalar.