İndiyum Antimonit (InSb) levhalar N tipi P tipi Epi hazır katkısız Te katkılı veya Ge katkılı 2 inç 3 inç 4 inç kalınlık İndiyum Antimonit (InSb) levhalar
Özellikler
Doping Seçenekleri:
1. Katkısız:Bu levhalar herhangi bir katkı maddesi içermez, bu da onları epitaksiyel büyüme gibi özel uygulamalar için ideal hale getirir.
2.Te Katkılı (N Tipi):Tellür (Te) katkılaması, kızılötesi dedektörler ve yüksek hızlı elektronik gibi uygulamalar için ideal olan N tipi levhalar oluşturmak için yaygın olarak kullanılır.
3. Ge Katkılı (P Tipi):Germanyum (Ge) katkısı, gelişmiş yarı iletken uygulamaları için yüksek delik hareketliliği sağlayan P tipi levhalar oluşturmak için kullanılır.
Beden Seçenekleri:
1. 2 inç, 3 inç ve 4 inç çaplarında mevcuttur. Bu yonga levhaları, araştırma ve geliştirmeden büyük ölçekli üretime kadar farklı teknolojik ihtiyaçları karşılamaktadır.
2. Hassas çap toleransları, partiler arasında tutarlılık sağlar; çaplar 2 inçlik plakalar için 50,8±0,3 mm ve 3 inçlik plakalar için 76,2±0,3 mm'dir.
Kalınlık Kontrolü:
1. Çeşitli uygulamalarda optimum performans için 500±5μm kalınlığında plakalar mevcuttur.
2. Toplam Kalınlık Değişimi (TTV), Eğilme (BOW) ve Çözgü (Warp) gibi ek ölçümler, yüksek homojenlik ve kalite sağlamak için dikkatlice kontrol edilir.
Yüzey Kalitesi:
1. Yonga levhalar, optik ve elektriksel performansı iyileştirmek için cilalanmış/işlenmiş bir yüzeye sahiptir.
2. Bu yüzeyler epitaksiyel büyüme için idealdir ve yüksek performanslı cihazlarda daha ileri işlemler için pürüzsüz bir zemin sunar.
Epi-Ready:
1. InSb levhalar epitaksiyel kaplama işlemleri için ön işlemden geçirilmiş, yani epitaksiyel kaplamaya hazır haldedir. Bu da onları, levha üzerine epitaksiyel katmanların büyütülmesi gereken yarı iletken üretimindeki uygulamalar için ideal hale getirir.
Uygulamalar
1. Kızılötesi Dedektörler:İnSb levhalar, özellikle orta dalga boylu kızılötesi (MWIR) aralığında olmak üzere, kızılötesi (IR) algılama uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. Bu levhalar, gece görüşü, termal görüntüleme ve kızılötesi spektroskopi uygulamaları için vazgeçilmezdir.
2. Yüksek Hızlı Elektronik:Yüksek elektron hareketliliği nedeniyle, InSb levhaları yüksek frekanslı transistörler, kuantum kuyusu cihazları ve yüksek elektron hareketliliğine sahip transistörler (HEMT'ler) gibi yüksek hızlı elektronik cihazlarda kullanılır.
3. Kuantum Kuyu Cihazları:Dar bant aralığı ve mükemmel elektron hareketliliği, InSb levhalarını kuantum kuyu cihazlarında kullanım için uygun hale getirir. Bu cihazlar, lazerlerde, dedektörlerde ve diğer optoelektronik sistemlerde temel bileşenlerdir.
4. Spintronik Cihazlar:İnSb ayrıca, elektron spininin bilgi işleme için kullanıldığı spintronik uygulamalarda da araştırılıyor. Malzemenin düşük spin-yörünge eşleşmesi, onu bu yüksek performanslı cihazlar için ideal kılıyor.
5. Terahertz (THz) Radyasyon Uygulamaları:İnSb bazlı cihazlar, bilimsel araştırma, görüntüleme ve malzeme karakterizasyonu da dahil olmak üzere THz radyasyon uygulamalarında kullanılmaktadır. Bu cihazlar, THz spektroskopisi ve THz görüntüleme sistemleri gibi gelişmiş teknolojileri mümkün kılmaktadır.
6. Termoelektrik Cihazlar:İnSb'nin benzersiz özellikleri, özellikle uzay teknolojisi veya aşırı ortamlarda enerji üretimi gibi niş uygulamalarda ısıyı verimli bir şekilde elektriğe dönüştürmek için kullanılabildiği termoelektrik uygulamalar için onu cazip bir malzeme haline getiriyor.
Ürün Parametreleri
| Parametre | 2 inç | 3 inç | 4 inç |
| Çap | 50,8±0,3 mm | 76,2±0,3 mm | - |
| Kalınlık | 500±5μm | 650±5μm | - |
| Yüzey | Parlatılmış/İşlenmiş | Parlatılmış/İşlenmiş | Parlatılmış/İşlenmiş |
| Doping Türü | Katkısız, Te katkılı (N), Ge katkılı (P) | Katkısız, Te katkılı (N), Ge katkılı (P) | Katkısız, Te katkılı (N), Ge katkılı (P) |
| Oryantasyon | (100) | (100) | (100) |
| Paket | Bekar | Bekar | Bekar |
| Epi-Ready | Evet | Evet | Evet |
Te Katkılı (N Tipi) İçin Elektriksel Parametreler:
- Hareketlilik: 2000-5000 cm²/V·s
- Direnç: (1-1000) Ω·cm
- EPD (Hata Yoğunluğu): ≤2000 kusur/cm²
Ge Katkılı (P Tipi) İçin Elektriksel Parametreler:
- Hareketlilik: 4000-8000 cm²/V·s
- Direnç: (0,5-5) Ω·cm
- EPD (Hata Yoğunluğu): ≤2000 kusur/cm²
Çözüm
İndiyum Antimonit (InSb) levhalar, elektronik, optoelektronik ve kızılötesi teknolojileri alanlarında çok çeşitli yüksek performanslı uygulamalar için temel bir malzemedir. Mükemmel elektron hareketliliği, düşük spin-yörünge eşleşmesi ve çeşitli katkılama seçenekleri (N tipi için Te, P tipi için Ge) ile InSb levhalar, kızılötesi dedektörler, yüksek hızlı transistörler, kuantum kuyusu cihazları ve spintronik cihazlar gibi cihazlarda kullanım için idealdir.
Çeşitli boyutlarda (2 inç, 3 inç ve 4 inç) bulunan bu plakalar, hassas kalınlık kontrolü ve epitaksiyel kaplamaya hazır yüzeyleriyle modern yarı iletken üretiminin zorlu gereksinimlerini karşılamaktadır. Bu plakalar, IR algılama, yüksek hızlı elektronik ve THz radyasyonu gibi alanlardaki uygulamalar için mükemmeldir ve araştırma, endüstri ve savunmada gelişmiş teknolojileri mümkün kılmaktadır.
Ayrıntılı Diyagram





