İndiyum Antimonid (InSb) gofretler N tipi P tipi Epi hazır katkısız Te katkılı veya Ge katkılı 2 inç 3 inç 4 inç kalınlığında İndiyum Antimonid (InSb) gofretler

Kısa Açıklama:

İndiyum Antimonid (InSb) yongaları, yüksek performanslı elektronik ve optoelektronik uygulamalarda önemli bir bileşendir. Bu yongalar, N tipi, P tipi ve katkısız olmak üzere çeşitli tiplerde mevcuttur ve Tellurium (Te) veya Germanyum (Ge) gibi elementlerle katkılanabilir. InSb yongaları, mükemmel elektron hareketliliği ve dar bant aralığı nedeniyle kızılötesi algılama, yüksek hızlı transistörler, kuantum kuyusu cihazları ve diğer özel uygulamalarda yaygın olarak kullanılır. Yongalar, hassas kalınlık kontrolü ve yüksek kaliteli cilalı/aşındırılmış yüzeylerle 2 inç, 3 inç ve 4 inç gibi farklı çaplarda mevcuttur.

Bize e-posta gönderin

Ürün Detayı

Ürün Etiketleri

Özellikler

Doping Seçenekleri:
1. Katkısız:Bu gofretler herhangi bir doping maddesi içermediğinden epitaksiyel büyüme gibi özel uygulamalar için idealdir.
2.Te Katkılı (N-Tipi):Tellür (Te) katkısı, kızılötesi dedektörler ve yüksek hızlı elektronik cihazlar gibi uygulamalar için ideal olan N tipi yongaların üretiminde yaygın olarak kullanılır.
3.Ge Katkılı (P-Tipi):Germanyum (Ge) katkısı, ileri yarı iletken uygulamaları için yüksek delik hareketliliği sağlayan P tipi gofretler oluşturmak için kullanılır.

Beden Seçenekleri:
1. 2 inç, 3 inç ve 4 inç çaplarında mevcuttur. Bu gofretler araştırma ve geliştirmeden büyük ölçekli üretime kadar farklı teknolojik ihtiyaçlara hitap eder.
2. Hassas çap toleransları, 50,8±0,3 mm (2 inçlik gofretler için) ve 76,2±0,3 mm (3 inçlik gofretler için) çaplarıyla partiler arasında tutarlılığı garanti eder.

Kalınlık Kontrolü:
1. Çeşitli uygulamalarda optimum performans sağlamak için gofretler 500±5μm kalınlığında mevcuttur.
2. Yüksek düzeyde düzgünlük ve kaliteyi garanti altına almak için TTV (Toplam Kalınlık Değişimi), BOW ve Warp gibi ek ölçümler dikkatlice kontrol edilir.

Yüzey Kalitesi:
1.Gofretler, geliştirilmiş optik ve elektriksel performans için cilalı/aşındırılmış bir yüzeye sahiptir.
2.Bu yüzeyler epitaksiyel büyüme için idealdir ve yüksek performanslı cihazlarda daha ileri işlemler için pürüzsüz bir zemin sunar.

Epi-Hazır:
1.InSb wafer'lar epi-hazırdır, yani epitaksiyel biriktirme işlemleri için önceden işlenmiştir. Bu, onları wafer'ın üstünde epitaksiyel katmanların büyütülmesi gereken yarı iletken üretim uygulamaları için ideal hale getirir.

Uygulamalar

1.Kızılötesi Dedektörler:InSb wafer'lar, özellikle orta dalga boyu kızılötesi (MWIR) aralığında kızılötesi (IR) algılamada yaygın olarak kullanılır. Bu wafer'lar, gece görüşü, termal görüntüleme ve kızılötesi spektroskopi uygulamaları için önemlidir.

2. Yüksek Hızlı Elektronik:Yüksek elektron hareketliliğine sahip olmaları nedeniyle InSb yongaları, yüksek frekanslı transistörler, kuantum kuyusu aygıtları ve yüksek elektron hareketliliğine sahip transistörler (HEMT'ler) gibi yüksek hızlı elektronik aygıtlarda kullanılır.

3.Kuantum Kuyu Cihazları:Dar bant aralığı ve mükemmel elektron hareketliliği, InSb yongalarını kuantum kuyusu aygıtlarında kullanıma uygun hale getirir. Bu aygıtlar, lazerler, dedektörler ve diğer optoelektronik sistemlerdeki temel bileşenlerdir.

4.Spintronik Cihazlar:InSb ayrıca elektron spininin bilgi işleme için kullanıldığı spintronik uygulamalarda da araştırılıyor. Malzemenin düşük spin-yörünge kuplajı onu bu yüksek performanslı cihazlar için ideal hale getiriyor.

5.Terahertz (THz) Radyasyon Uygulamaları:InSb tabanlı cihazlar, bilimsel araştırma, görüntüleme ve malzeme karakterizasyonu dahil olmak üzere THz radyasyon uygulamalarında kullanılır. THz spektroskopisi ve THz görüntüleme sistemleri gibi gelişmiş teknolojilere olanak tanırlar.

6.Termoelektrik Cihazlar:InSb'nin benzersiz özellikleri, uzay teknolojisi veya aşırı ortamlarda güç üretimi gibi niş uygulamalarda ısıyı verimli bir şekilde elektriğe dönüştürmek için kullanılabileceği termoelektrik uygulamalar için cazip bir malzeme haline getiriyor.

Ürün Parametreleri

Parametre	2 inç	3 inç	4 inç
Çap	50,8±0,3 mm	76,2 ± 0,3 mm	-
Kalınlık	500±5μm	650±5μm	-
Yüzey	Cilalı/Aşındırılmış	Cilalı/Aşındırılmış	Cilalı/Aşındırılmış
Doping Türü	Katkısız, Te katkılı (N), Ge katkılı (P)	Katkısız, Te katkılı (N), Ge katkılı (P)	Katkısız, Te katkılı (N), Ge katkılı (P)
Oryantasyon	(100)	(100)	(100)
Paket	Bekar	Bekar	Bekar
Epi-Hazır	Evet	Evet	Evet

Te Katkılı (N-Tipi) için Elektriksel Parametreler:

Hareketlilik: 2000-5000 cm²/V·s
Dirençlilik: (1-1000) Ω·cm
EPD (Kusur Yoğunluğu): ≤2000 kusur/cm²

Ge Katkılı (P-Tipi) için Elektriksel Parametreler:

Hareketlilik: 4000-8000 cm²/V·s
Dirençlilik: (0,5-5) Ω·cm
EPD (Kusur Yoğunluğu): ≤2000 kusur/cm²

Çözüm

İndiyum Antimonid (InSb) yongaları, elektronik, optoelektronik ve kızılötesi teknolojiler alanlarında geniş bir yelpazede yüksek performanslı uygulamalar için temel bir malzemedir. Mükemmel elektron hareketliliği, düşük spin-orbit kuplajı ve çeşitli katkılama seçenekleri (N tipi için Te, P tipi için Ge) ile InSb yongaları, kızılötesi dedektörler, yüksek hızlı transistörler, kuantum kuyusu cihazları ve spintronik cihazlar gibi cihazlarda kullanım için idealdir.

Wafer'lar çeşitli boyutlarda (2 inç, 3 inç ve 4 inç) mevcuttur, hassas kalınlık kontrolü ve epi-hazır yüzeylerle, modern yarı iletken üretiminin zorlu taleplerini karşıladıklarından emin olunur. Bu wafer'lar, IR algılama, yüksek hızlı elektronik ve THz radyasyonu gibi alanlardaki uygulamalar için mükemmeldir ve araştırma, endüstri ve savunmada gelişmiş teknolojilere olanak tanır.