İndiyum Antimonid (InSb) gofretler N tipi P tipi Epi hazır katkısız Te katkılı veya Ge katkılı 2 inç 3 inç 4 inç kalınlığında İndiyum Antimonid (InSb) gofretler

Kısa Açıklama:

İndiyum Antimonid (InSb) gofretler, yüksek performanslı elektronik ve optoelektronik uygulamalarda önemli bir bileşendir. Bu gofretler, N tipi, P tipi ve katkısız olmak üzere çeşitli tiplerde mevcuttur ve Tellür (Te) veya Germanyum (Ge) gibi elementlerle katkılanabilir. InSb gofretler, mükemmel elektron hareketliliği ve dar bant aralığı sayesinde kızılötesi algılama, yüksek hızlı transistörler, kuantum kuyusu cihazları ve diğer özel uygulamalarda yaygın olarak kullanılmaktadır. Gofretler, hassas kalınlık kontrolü ve yüksek kaliteli cilalı/aşındırılmış yüzeylerle 2 inç, 3 inç ve 4 inç gibi farklı çaplarda mevcuttur.

Bize e-posta gönderin

Özellikler

Doping Seçenekleri:
1. Katkısız:Bu gofretler herhangi bir katkı maddesi içermediğinden epitaksiyel büyüme gibi özel uygulamalar için idealdir.
2.Te Katkılı (N-Tipi):Tellür (Te) katkısı, kızılötesi dedektörler ve yüksek hızlı elektronikler gibi uygulamalar için ideal olan N tipi gofretler oluşturmak için yaygın olarak kullanılır.
3.Ge Katkılı (P-Tipi):Germanyum (Ge) katkısı, ileri yarı iletken uygulamaları için yüksek delik hareketliliği sağlayan P tipi gofretler oluşturmak için kullanılır.

Beden Seçenekleri:
1. 2 inç, 3 inç ve 4 inç çaplarında mevcuttur. Bu gofretler, araştırma ve geliştirmeden büyük ölçekli üretime kadar farklı teknolojik ihtiyaçları karşılar.
2. Hassas çap toleransları, 50,8±0,3 mm (2 inçlik gofretler için) ve 76,2±0,3 mm (3 inçlik gofretler için) çaplarıyla partiler arasında tutarlılığı sağlar.

Kalınlık Kontrolü:
1. Çeşitli uygulamalarda optimum performans için gofretler 500±5μm kalınlığında mevcuttur.
2. Yüksek düzeyde düzgünlük ve kaliteyi garanti altına almak için TTV (Toplam Kalınlık Değişimi), YAY ve Çözgü gibi ek ölçümler dikkatlice kontrol edilir.

Yüzey Kalitesi:
1.Gofretler, geliştirilmiş optik ve elektriksel performans için cilalı/aşındırılmış bir yüzeye sahiptir.
2.Bu yüzeyler epitaksiyel büyüme için idealdir ve yüksek performanslı cihazlarda ileri işleme için pürüzsüz bir zemin sunar.

Epi-Hazır:
1. InSb yongaları epitaksiyel biriktirme işlemleri için önceden işlenmiş, yani epi-hazırdır. Bu, yonga üzerinde epitaksiyel katmanların oluşturulması gereken yarı iletken üretim uygulamaları için idealdir.

Uygulamalar

1.Kızılötesi Dedektörler:InSb gofretleri, özellikle orta dalga boylu kızılötesi (MWIR) aralığında, kızılötesi (IR) algılamada yaygın olarak kullanılır. Bu gofretler, gece görüşü, termal görüntüleme ve kızılötesi spektroskopi uygulamaları için olmazsa olmazdır.

2. Yüksek Hızlı Elektronik:Yüksek elektron hareketliliğinden dolayı InSb yongaları, yüksek frekanslı transistörler, kuantum kuyusu aygıtları ve yüksek elektron hareketliliğine sahip transistörler (HEMT'ler) gibi yüksek hızlı elektronik aygıtlarda kullanılır.

3.Kuantum Kuyu Cihazları:Dar bant aralığı ve mükemmel elektron hareketliliği, InSb yongalarını kuantum kuyusu cihazlarında kullanıma uygun hale getirir. Bu cihazlar, lazerler, dedektörler ve diğer optoelektronik sistemlerin temel bileşenleridir.

4.Spintronik Cihazlar:InSb, elektron spininin bilgi işlemede kullanıldığı spintronik uygulamalarda da araştırılmaktadır. Malzemenin düşük spin-yörünge kuplajı, onu bu yüksek performanslı cihazlar için ideal kılmaktadır.

5.Terahertz (THz) Radyasyon Uygulamaları:InSb tabanlı cihazlar, bilimsel araştırma, görüntüleme ve malzeme karakterizasyonu gibi THz radyasyon uygulamalarında kullanılır ve THz spektroskopisi ve THz görüntüleme sistemleri gibi ileri teknolojilerin kullanılmasını mümkün kılar.

6.Termoelektrik Cihazlar:InSb'nin benzersiz özellikleri, onu termoelektrik uygulamalar için cazip bir malzeme haline getiriyor; özellikle uzay teknolojisi veya aşırı ortamlarda güç üretimi gibi niş uygulamalarda ısıyı elektriğe verimli bir şekilde dönüştürmek için kullanılabiliyor.

Ürün Parametreleri

Parametre	2 inç	3 inç	4 inç
Çap	50,8±0,3 mm	76,2±0,3 mm	-
Kalınlık	500±5μm	650±5μm	-
Yüzey	Cilalı/Aşındırılmış	Cilalı/Aşındırılmış	Cilalı/Aşındırılmış
Doping Türü	Katkısız, Te katkılı (N), Ge katkılı (P)	Katkısız, Te katkılı (N), Ge katkılı (P)	Katkısız, Te katkılı (N), Ge katkılı (P)
Oryantasyon	(100)	(100)	(100)
Paket	Bekar	Bekar	Bekar
Epi-Hazır	Evet	Evet	Evet

Te Katkılı (N-Tipi) için Elektriksel Parametreler:

Hareketlilik: 2000-5000 cm²/V·s
Direnç: (1-1000) Ω·cm
EPD (Kusur Yoğunluğu): ≤2000 kusur/cm²

Ge Katkılı (P-Tipi) için Elektriksel Parametreler:

Hareketlilik: 4000-8000 cm²/V·s
Direnç: (0,5-5) Ω·cm
EPD (Kusur Yoğunluğu): ≤2000 kusur/cm²

Çözüm

İndiyum Antimonid (InSb) gofretler, elektronik, optoelektronik ve kızılötesi teknolojiler alanlarında çok çeşitli yüksek performanslı uygulamalar için vazgeçilmez bir malzemedir. Mükemmel elektron hareketliliği, düşük spin-yörünge kuplajı ve çeşitli katkılama seçenekleri (N tipi için Te, P tipi için Ge) ile InSb gofretler, kızılötesi dedektörler, yüksek hızlı transistörler, kuantum kuyusu cihazları ve spintronik cihazlar gibi cihazlarda kullanım için idealdir.

Çeşitli boyutlarda (2 inç, 3 inç ve 4 inç) mevcut olan gofretler, hassas kalınlık kontrolü ve epi-hazır yüzeylerle, modern yarı iletken üretiminin zorlu gereksinimlerini karşılamaktadır. Bu gofretler, kızılötesi algılama, yüksek hızlı elektronik ve THz radyasyonu gibi alanlardaki uygulamalar için mükemmel olup, araştırma, endüstri ve savunma alanlarında ileri teknolojilerin kullanılmasını mümkün kılmaktadır.