HPSI SiCOI gofret 4 6 inç Hidrofobik Bağlama

Kısa Açıklama:

Yüksek saflıkta yarı yalıtkan (HPSI) 4H-SiCOI yongalar, gelişmiş bağlama ve inceltme teknolojileri kullanılarak geliştirilmiştir. Yongalar, 4H HPSI silisyum karbür alt tabakaların termal oksit katmanlarına iki temel yöntemle bağlanmasıyla üretilir: hidrofilik (doğrudan) bağlama ve yüzey aktifleştirmeli bağlama. Yüzey aktifleştirmeli bağlama, bağ kalitesini iyileştirmek ve kabarcıkları azaltmak için amorf silisyum, alüminyum oksit veya titanyum oksit gibi ara bir modifiye katman ekler ve özellikle optik uygulamalar için uygundur. Silisyum karbür katmanının kalınlık kontrolü, iyon implantasyonuna dayalı SmartCut veya taşlama ve CMP parlatma işlemleriyle sağlanır. SmartCut, yüksek hassasiyette kalınlık homojenliği (±20 nm homojenlik ile 50 nm–900 nm) sunar, ancak iyon implantasyonu nedeniyle hafif kristal hasarına neden olarak optik cihaz performansını etkileyebilir. Taşlama ve CMP parlatma, malzeme hasarını önler ve daha kalın filmler (350 nm–500 µm) ve kuantum veya PIC uygulamaları için tercih edilir, ancak kalınlık homojenliği daha azdır (±100 nm). Standart 6 inçlik gofretler, 675 µm Si alt tabakalarının üzerinde 3 µm SiO2 katmanı üzerinde 1 µm ±0,1 µm SiC katmanına ve olağanüstü yüzey pürüzsüzlüğüne (Rq < 0,2 nm) sahiptir. Bu HPSI SiCOI gofretler, mükemmel malzeme kalitesi ve işlem esnekliğiyle MEMS, PIC, kuantum ve optik cihaz üretimine uygundur.

Bize e-posta gönderin

Özellikler

SiCOI Wafer (Silisyum Karbür-Yalıtkan) Özelliklerine Genel Bakış

SiCOI gofretler, güç elektroniği, RF ve fotonik alanlarında performansı artırmak için Silisyum Karbür (SiC) ile genellikle SiO₂ veya safir gibi bir yalıtım katmanını birleştiren yeni nesil bir yarı iletken alt tabakadır. Aşağıda, temel bölümlere ayrılmış özelliklerinin ayrıntılı bir özeti bulunmaktadır:

Mülk	Tanım
Malzeme Bileşimi	Yalıtkan bir alt tabakaya (genellikle SiO₂ veya safir) bağlanmış Silisyum Karbür (SiC) tabakası
Kristal Yapı	Genellikle yüksek kristal kalitesi ve düzgünlüğüyle bilinen SiC'nin 4H veya 6H politipleri
Elektriksel Özellikler	Yüksek arıza elektrik alanı (~3 MV/cm), geniş bant aralığı (4H-SiC için ~3,26 eV), düşük sızıntı akımı
Isıl İletkenlik	Yüksek ısı iletkenliği (~300 W/m·K), verimli ısı dağılımını sağlar
Dielektrik Katman	Yalıtım katmanı (SiO₂ veya safir) elektriksel izolasyon sağlar ve parazit kapasitansını azaltır
Mekanik Özellikler	Yüksek sertlik (~9 Mohs ölçeği), mükemmel mekanik mukavemet ve termal kararlılık
Yüzey Kaplaması	Tipik olarak düşük kusur yoğunluğuna sahip ultra pürüzsüz, cihaz imalatı için uygundur
Uygulamalar	Güç elektroniği, MEMS cihazları, RF cihazları, yüksek sıcaklık ve voltaj toleransı gerektiren sensörler

SiCOI gofretler (Silikon Karbür-Üzerinde Yalıtkan), genellikle silisyum dioksit (SiO₂) veya safir gibi bir yalıtım katmanına bağlanmış yüksek kaliteli ince bir silisyum karbür (SiC) katmanından oluşan gelişmiş bir yarı iletken alt tabaka yapısını temsil eder. Silisyum karbür, yüksek voltajlara ve yüksek sıcaklıklara dayanma kabiliyetinin yanı sıra mükemmel termal iletkenliği ve üstün mekanik sertliğiyle bilinen geniş bant aralıklı bir yarı iletkendir ve bu da onu yüksek güç, yüksek frekans ve yüksek sıcaklık elektronik uygulamaları için ideal hale getirir.

SiCOI yongalarındaki yalıtım tabakası, etkili bir elektriksel izolasyon sağlayarak cihazlar arasındaki parazit kapasitansı ve kaçak akımları önemli ölçüde azaltır ve böylece genel cihaz performansını ve güvenilirliğini artırır. Yonga yüzeyi, mikro ve nano ölçekli cihaz üretiminin zorlu gereksinimlerini karşılayan, minimum kusurla ultra pürüzsüzlük elde etmek için hassas bir şekilde cilalanmıştır.

Bu malzeme yapısı, SiC aygıtlarının elektriksel özelliklerini iyileştirmenin yanı sıra termal yönetimi ve mekanik kararlılığı da önemli ölçüde artırır. Sonuç olarak, SiCOI yongaları güç elektroniği, radyo frekansı (RF) bileşenleri, mikroelektromekanik sistemler (MEMS) sensörleri ve yüksek sıcaklık elektroniklerinde yaygın olarak kullanılmaktadır. Genel olarak, SiCOI yongaları silisyum karbürün olağanüstü fiziksel özelliklerini bir yalıtkan tabakanın elektriksel izolasyon avantajlarıyla birleştirerek, yeni nesil yüksek performanslı yarı iletken aygıtlar için ideal bir temel oluşturur.

SiCOI gofretinin uygulaması

Güç Elektroniği Cihazları

Yüksek voltaj ve yüksek güçlü anahtarlar, MOSFET'ler ve diyotlar

SiC'nin geniş bant aralığından, yüksek bozulma voltajından ve termal kararlılığından yararlanın

Güç dönüşüm sistemlerinde güç kayıplarının azaltılması ve verimliliğin artırılması

Radyo Frekansı (RF) Bileşenleri

Yüksek frekanslı transistörler ve amplifikatörler

Yalıtım katmanından kaynaklanan düşük parazit kapasitans, RF performansını artırır

5G iletişim ve radar sistemleri için uygundur

Mikroelektromekanik Sistemler (MEMS)

Zorlu ortamlarda çalışan sensörler ve aktüatörler

Mekanik sağlamlık ve kimyasal eylemsizlik cihazın ömrünü uzatır

Basınç sensörleri, ivmeölçerler ve jiroskoplar içerir

Yüksek Sıcaklık Elektroniği

Otomotiv, havacılık ve endüstriyel uygulamalar için elektronik

Silikonun başarısız olduğu yüksek sıcaklıklarda güvenilir bir şekilde çalışır

Fotonik Cihazlar

Yalıtkan alt tabakalar üzerindeki optoelektronik bileşenlerle entegrasyon

Geliştirilmiş termal yönetimle çip üzerinde fotonik sağlar

SiCOI gofretinin Soru-Cevap bölümü

Q:SiCOI gofret nedir

A:SiCOI wafer, Silisyum Karbür-Üzeri-Yalıtkan wafer anlamına gelir. İnce bir silisyum karbür (SiC) tabakasının, genellikle silisyum dioksit (SiO₂) veya bazen safir gibi bir yalıtım tabakasına bağlandığı bir tür yarı iletken alt tabakadır. Bu yapı, kavramsal olarak bilinen Silisyum-Üzeri-Yalıtkan (SOI) wafer'lara benzer, ancak silikon yerine SiC kullanır.