HPSI SiCOI gofret 4 6 inç Hidrofobik Bağlama

Kısa Açıklama:

Yüksek saflıkta yarı iletken (HPSI) 4H-SiCOI plakalar, gelişmiş yapıştırma ve inceltme teknolojileri kullanılarak geliştirilmiştir. Plakalar, 4H HPSI silisyum karbür alt tabakaların iki temel yöntemle termal oksit katmanlarına yapıştırılmasıyla üretilir: hidrofilik (doğrudan) yapıştırma ve yüzey aktif yapıştırma. İkincisi, özellikle optik uygulamalar için uygun olan, yapıştırma kalitesini iyileştirmek ve kabarcıkları azaltmak için ara bir modifiye katman (amorf silisyum, alüminyum oksit veya titanyum oksit gibi) ekler. Silisyum karbür katmanının kalınlık kontrolü, iyon implantasyonuna dayalı SmartCut veya taşlama ve CMP parlatma işlemleriyle sağlanır. SmartCut, yüksek hassasiyetli kalınlık homojenliği (±20nm homojenlik ile 50nm–900nm) sunar, ancak iyon implantasyonu nedeniyle hafif kristal hasarına neden olabilir ve bu da optik cihaz performansını etkileyebilir. Taşlama ve CMP parlatma, malzeme hasarını önler ve daha kalın filmler (350nm–500µm) ve kuantum veya PIC uygulamaları için tercih edilir, ancak kalınlık homojenliği daha düşüktür (±100nm). Standart 6 inçlik wafer'lar, 675µm Si alt tabakalar üzerinde 3µm SiO2 tabakası üzerinde 1µm ±0,1µm SiC tabakasına sahiptir ve olağanüstü yüzey pürüzsüzlüğüne (Rq < 0,2nm) sahiptir. Bu HPSI SiCOI wafer'lar, mükemmel malzeme kalitesi ve işlem esnekliği ile MEMS, PIC, kuantum ve optik cihaz üretimini karşılar.

Bize e-posta gönderin

Özellikler

SiCOI (Silisyum Karbür-İzolatör) Levhasının Özelliklerine Genel Bakış

SiCOI levhalar, güç elektroniği, RF ve fotonik alanlarında performansı artırmak için Silisyum Karbür (SiC) ile genellikle SiO₂ veya safir gibi bir yalıtım katmanını birleştiren yeni nesil bir yarı iletken alt tabakadır. Aşağıda, temel bölümlere ayrılmış özelliklerinin ayrıntılı bir genel bakışı yer almaktadır:

Mülk	Tanım
Malzeme Bileşimi	Yalıtkan bir alt tabaka (tipik olarak SiO₂ veya safir) üzerine yapıştırılmış silisyum karbür (SiC) tabakası.
Kristal Yapısı	Genellikle yüksek kristal kalitesi ve homojenliğiyle bilinen SiC'nin 4H veya 6H polimorf tipleri.
Elektriksel Özellikler	Yüksek kırılma elektrik alanı (~3 MV/cm), geniş bant aralığı (~4H-SiC için 3,26 eV), düşük kaçak akım
Isı İletkenliği	Yüksek ısı iletkenliği (~300 W/m·K), verimli ısı dağılımını mümkün kılar.
Dielektrik Katman	Yalıtım katmanı (SiO₂ veya safir) elektriksel izolasyon sağlar ve parazitik kapasitansı azaltır.
Mekanik Özellikler	Yüksek sertlik (~9 Mohs ölçeği), mükemmel mekanik dayanım ve termal kararlılık.
Yüzey İşlemi	Genellikle ultra pürüzsüz ve düşük kusur yoğunluğuna sahip olup, cihaz üretimi için uygundur.
Uygulamalar	Güç elektroniği, MEMS cihazları, RF cihazları, yüksek sıcaklık ve voltaj toleransı gerektiren sensörler

SiCOI (Silisyum Karbür-İzolatör) levhalar, yüksek kaliteli ince bir silisyum karbür (SiC) tabakasının, genellikle silisyum dioksit (SiO₂) veya safir olan bir yalıtım tabakasına yapıştırılmasıyla oluşan gelişmiş bir yarı iletken alt tabaka yapısını temsil eder. Silisyum karbür, yüksek voltajlara ve yüksek sıcaklıklara dayanma yeteneği, mükemmel termal iletkenliği ve üstün mekanik sertliği ile bilinen geniş bant aralıklı bir yarı iletkendir ve bu da onu yüksek güç, yüksek frekans ve yüksek sıcaklık elektronik uygulamaları için ideal kılar.

SiCOI levhalardaki yalıtım katmanı, etkili elektriksel izolasyon sağlayarak cihazlar arasındaki parazitik kapasitansı ve kaçak akımları önemli ölçüde azaltır, böylece genel cihaz performansını ve güvenilirliğini artırır. Levha yüzeyi, mikro ve nano ölçekli cihaz üretiminin zorlu gereksinimlerini karşılayacak şekilde, minimum kusurla ultra pürüzsüzlük elde etmek için hassas bir şekilde parlatılmıştır.

Bu malzeme yapısı, SiC cihazlarının elektriksel özelliklerini iyileştirmenin yanı sıra termal yönetimi ve mekanik kararlılığı da büyük ölçüde artırır. Sonuç olarak, SiCOI levhalar güç elektroniği, radyo frekansı (RF) bileşenleri, mikroelektromekanik sistemler (MEMS) sensörleri ve yüksek sıcaklık elektroniğinde yaygın olarak kullanılmaktadır. Genel olarak, SiCOI levhalar, silisyum karbürün olağanüstü fiziksel özelliklerini bir yalıtkan tabakanın elektriksel izolasyon avantajlarıyla birleştirerek, yeni nesil yüksek performanslı yarı iletken cihazlar için ideal bir temel sağlar.

SiCOI gofretinin uygulaması

Güç Elektroniği Cihazları

Yüksek voltajlı ve yüksek güçlü anahtarlar, MOSFET'ler ve diyotlar

SiC'nin geniş bant aralığından, yüksek kırılma voltajından ve termal kararlılığından yararlanın.

Güç dönüştürme sistemlerinde güç kayıplarının azaltılması ve verimliliğin artırılması.

Radyo Frekansı (RF) Bileşenleri

Yüksek frekanslı transistörler ve amplifikatörler

Yalıtım katmanı sayesinde düşük parazitik kapasitans, RF performansını artırır.

5G iletişim ve radar sistemleri için uygundur.

Mikroelektromekanik Sistemler (MEMS)

Zorlu ortamlarda çalışan sensörler ve aktüatörler

Mekanik sağlamlık ve kimyasal atalet, cihazın kullanım ömrünü uzatır.

Basınç sensörleri, ivmeölçerler ve jiroskoplar içerir.

Yüksek Sıcaklık Elektronikleri

Otomotiv, havacılık ve endüstriyel uygulamalar için elektronik ürünler.

Silikonun yetersiz kaldığı yüksek sıcaklıklarda güvenilir şekilde çalışır.

Fotonik Cihazlar

Yalıtkan alt tabakalar üzerinde optoelektronik bileşenlerle entegrasyon

Geliştirilmiş termal yönetim ile çip üzerinde fotonik kullanımını mümkün kılar.

SiCOI yonga levhası hakkında Soru-Cevap

Q:SiCOI gofret nedir?

A:SiCOI gofret, Silisyum Karbür-İzolatör Gofret anlamına gelir. İnce bir silisyum karbür (SiC) tabakasının, genellikle silisyum dioksit (SiO₂) veya bazen safir olan bir yalıtım tabakasına yapıştırıldığı bir tür yarı iletken alt tabakadır. Bu yapı, iyi bilinen Silisyum-İzolatör (SOI) gofretlerine kavramsal olarak benzerdir, ancak silisyum yerine SiC kullanır.