HPSI SiCOI gofret 4 6 inç Hidrofobik Bağlama

Kısa Açıklama:

Yüksek saflıkta yarı yalıtkan (HPSI) 4H-SiCOI gofretler, gelişmiş bağlama ve inceltme teknolojileri kullanılarak geliştirilir. Gofretler, 4H HPSI silisyum karbür alt tabakalarının termal oksit katmanlarına iki temel yöntemle bağlanmasıyla üretilir: hidrofilik (doğrudan) bağlama ve yüzey aktifleştirmeli bağlama. İkincisi, bağ kalitesini iyileştirmek ve özellikle optik uygulamalar için uygun olan kabarcıkları azaltmak için ara bir modifiye katman (amorf silisyum, alüminyum oksit veya titanyum oksit gibi) sunar. Silisyum karbür katmanının kalınlık kontrolü, iyon implantasyonuna dayalı SmartCut veya taşlama ve CMP parlatma işlemleriyle elde edilir. SmartCut, yüksek hassasiyette kalınlık düzgünlüğü (±20 nm düzgünlük ile 50 nm–900 nm) sunar ancak iyon implantasyonu nedeniyle hafif kristal hasarına neden olarak optik cihaz performansını etkileyebilir. Taşlama ve CMP parlatma malzeme hasarını önler ve daha kalın filmler (350nm–500µm) ve daha az kalınlık düzgünlüğüne (±100nm) sahip kuantum veya PIC uygulamaları için tercih edilir. Standart 6 inçlik gofretler, olağanüstü yüzey pürüzsüzlüğüne (Rq < 0,2nm) sahip 675µm Si alt tabakalarının üzerinde 3µm SiO2 katmanı üzerinde 1µm ±0,1µm SiC katmanına sahiptir. Bu HPSI SiCOI gofretler, mükemmel malzeme kalitesi ve işlem esnekliği ile MEMS, PIC, kuantum ve optik cihaz imalatına uygundur.

Bize e-posta gönderin

Özellikler

SiCOI Wafer (Silisyum Karbür-Üzerinde-Yalıtkan) Özelliklerine Genel Bakış

SiCOI gofretler, güç elektroniği, RF ve fotonikte performansı artırmak için Silisyum Karbür'ü (SiC) genellikle SiO₂ veya safir olan bir yalıtım tabakasıyla birleştiren yeni nesil bir yarı iletken alt tabakadır. Aşağıda, temel bölümlere ayrılmış özelliklerinin ayrıntılı bir özeti verilmiştir:

Mülk	Tanım
Malzeme Bileşimi	Yalıtım alt tabakasına (genellikle SiO₂ veya safir) bağlanmış Silisyum Karbür (SiC) tabakası
Kristal Yapısı	Genellikle yüksek kristal kalitesi ve düzgünlüğüyle bilinen SiC'nin 4H veya 6H politipleri
Elektriksel Özellikler	Yüksek arıza elektrik alanı (~3 MV/cm), geniş bant aralığı (~4H-SiC için 3,26 eV), düşük sızıntı akımı
Isıl İletkenlik	Yüksek ısı iletkenliği (~300 W/m·K), verimli ısı dağılımını sağlar
Dielektrik tabaka	Yalıtım tabakası (SiO₂ veya safir) elektriksel izolasyon sağlar ve parazitik kapasitansı azaltır
Mekanik Özellikler	Yüksek sertlik (~9 Mohs ölçeği), mükemmel mekanik mukavemet ve termal kararlılık
Yüzey Kaplama	Tipik olarak düşük hata yoğunluğuna sahip ultra pürüzsüz, cihaz imalatı için uygundur
Uygulamalar	Güç elektroniği, MEMS cihazları, RF cihazları, yüksek sıcaklık ve voltaj toleransı gerektiren sensörler

SiCOI wafer'lar (Silikon Karbür-Üzerinde-Yalıtkan), tipik olarak silikon dioksit (SiO₂) veya safir olan bir yalıtım katmanına bağlanmış yüksek kaliteli ince bir silisyum karbür (SiC) tabakasından oluşan gelişmiş bir yarı iletken alt tabaka yapısını temsil eder. Silisyum karbür, yüksek voltajlara ve yüksek sıcaklıklara dayanma kabiliyeti, mükemmel termal iletkenliği ve üstün mekanik sertliği ile bilinen geniş bant aralıklı bir yarı iletkendir ve bu da onu yüksek güç, yüksek frekans ve yüksek sıcaklık elektronik uygulamaları için ideal hale getirir.

SiCOI yongalarındaki yalıtım tabakası, etkili elektriksel izolasyon sağlayarak cihazlar arasındaki parazit kapasitansı ve kaçak akımları önemli ölçüde azaltır ve böylece genel cihaz performansını ve güvenilirliğini artırır. Yonga yüzeyi, mikro ve nano ölçekli cihaz üretiminin sıkı taleplerini karşılayan, minimum kusurla ultra pürüzsüzlük elde etmek için hassas bir şekilde cilalanmıştır.

Bu malzeme yapısı yalnızca SiC aygıtlarının elektriksel özelliklerini iyileştirmekle kalmaz, aynı zamanda termal yönetimi ve mekanik kararlılığı da büyük ölçüde artırır. Sonuç olarak, SiCOI gofretleri güç elektroniğinde, radyo frekansı (RF) bileşenlerinde, mikroelektromekanik sistemlerde (MEMS) sensörlerde ve yüksek sıcaklık elektroniklerinde yaygın olarak kullanılır. Genel olarak, SiCOI gofretleri silisyum karbürün olağanüstü fiziksel özelliklerini bir yalıtkan tabakanın elektriksel izolasyon avantajlarıyla birleştirerek, yeni nesil yüksek performanslı yarı iletken aygıtlar için ideal bir temel oluşturur.

SiCOI gofretinin uygulaması

Güç Elektroniği Cihazları

Yüksek voltaj ve yüksek güçlü anahtarlar, MOSFET'ler ve diyotlar

SiC'nin geniş bant aralığından, yüksek bozulma voltajından ve termal kararlılığından yararlanın

Güç dönüşüm sistemlerinde güç kayıplarının azaltılması ve verimliliğin artırılması

Radyo Frekansı (RF) Bileşenleri

Yüksek frekanslı transistörler ve amplifikatörler

Yalıtım katmanından kaynaklanan düşük parazit kapasitans, RF performansını artırır

5G iletişim ve radar sistemleri için uygundur

Mikroelektromekanik Sistemler (MEMS)

Zorlu ortamlarda çalışan sensörler ve aktüatörler

Mekanik sağlamlık ve kimyasal eylemsizlik cihazın ömrünü uzatır

Basınç sensörleri, ivmeölçerler ve jiroskoplar içerir

Yüksek Sıcaklık Elektroniği

Otomotiv, havacılık ve endüstriyel uygulamalar için elektronik

Silikonun başarısız olduğu yüksek sıcaklıklarda güvenilir bir şekilde çalışır

Fotonik Cihazlar

Yalıtkan alt tabakalar üzerindeki optoelektronik bileşenlerle entegrasyon

Geliştirilmiş termal yönetimle çip üzerinde fotonik sağlar

SiCOI wafer'ın Soru & Cevapları

Q:SiCOI gofret nedir

A:SiCOI wafer, Silisyum Karbür-Üzeri-Yalıtkan wafer anlamına gelir. İnce bir silisyum karbür (SiC) tabakasının, genellikle silisyum dioksit (SiO₂) veya bazen safir gibi bir yalıtım tabakasına bağlandığı bir tür yarı iletken alt tabakadır. Bu yapı, kavramsal olarak bilinen Silisyum-Üzeri-Yalıtkan (SOI) wafer'lara benzer, ancak silikon yerine SiC kullanır.