GaN-Elmas Plakalar 4 inç - 6 inç Toplam epi kalınlığı (mikron) 0,6 ~ 2,5 veya Yüksek Frekanslı Uygulamalar için özelleştirilmiş
Özellikler
Gofret Boyutu:
Çeşitli yarı iletken üretim süreçlerine çok yönlü entegrasyon için 4 inç ve 6 inç çaplarında mevcuttur.
Müşteri ihtiyaçlarına göre gofret boyutuna göre özelleştirme seçenekleri mevcuttur.
Epitaksiyel Tabaka Kalınlığı:
Aralık: 0,6 µm ila 2,5 µm, özel uygulama ihtiyaçlarına göre özelleştirilmiş kalınlık seçenekleri mevcuttur.
Epitaksiyel tabaka, güç, frekans tepkisi ve termal yönetimi dengelemek için optimize edilmiş kalınlıkla yüksek kaliteli GaN kristal büyümesini sağlamak üzere tasarlanmıştır.
Isıl İletkenlik:
Elmas tabaka, yaklaşık 2000-2200 W/m·K'lik son derece yüksek bir ısı iletkenliği sağlayarak, yüksek güçlü cihazlardan gelen ısının verimli bir şekilde dağıtılmasını sağlar.
GaN Malzeme Özellikleri:
Geniş Bant Aralığı: GaN katmanı, zorlu ortamlarda, yüksek voltajda ve yüksek sıcaklık koşullarında çalışmaya olanak tanıyan geniş bir bant aralığından (~3,4 eV) yararlanır.
Elektron Hareketliliği: Yüksek elektron hareketliliği (yaklaşık 2000 cm²/V·s), daha hızlı anahtarlama ve daha yüksek çalışma frekanslarına yol açar.
Yüksek Kırılma Gerilimi: GaN'ın kırılma gerilimi, geleneksel yarı iletken malzemelere göre çok daha yüksektir ve bu da onu güç yoğun uygulamalar için uygun hale getirir.
Elektriksel Performans:
Yüksek Güç Yoğunluğu: GaN-on-Diamond yongalar, küçük form faktörünü korurken yüksek güç çıkışı sağlar; güç amplifikatörleri ve RF sistemleri için mükemmeldir.
Düşük Kayıplar: GaN'ın verimliliği ile elmasın ısı dağılımının birleşimi, çalışma sırasında daha düşük güç kayıplarına yol açar.
Yüzey Kalitesi:
Yüksek Kaliteli Epitaksiyel Büyüme: GaN tabakası, elmas alt tabaka üzerine epitaksiyel olarak büyütülür ve bu sayede minimum dislokasyon yoğunluğu, yüksek kristal kalitesi ve optimum cihaz performansı sağlanır.
Tekdüzelik:
Kalınlık ve Kompozisyon Tekdüzeliği: Hem GaN tabakası hem de elmas alt tabaka, tutarlı cihaz performansı ve güvenilirliği için kritik olan mükemmel tekdüzeliği korur.
Kimyasal Kararlılık:
Hem GaN hem de elmas olağanüstü kimyasal kararlılık sunarak bu gofretlerin zorlu kimyasal ortamlarda güvenilir bir şekilde performans göstermesini sağlar.
Uygulamalar
RF Güç Amplifikatörleri:
GaN-on-Diamond gofretler, yüksek frekanslarda (örneğin 2 GHz ila 20 GHz ve üzeri) hem yüksek verimlilik hem de güvenilirlik sunarak, telekomünikasyon, radar sistemleri ve uydu iletişimlerindeki RF güç amplifikatörleri için idealdir.
Mikrodalga İletişimi:
Bu gofretler, yüksek güç çıkışı ve minimum sinyal bozulmasının kritik öneme sahip olduğu mikrodalga iletişim sistemlerinde üstün performans göstermektedir.
Radar ve Algılama Teknolojileri:
GaN-on-Diamond gofretler radar sistemlerinde yaygın olarak kullanılmakta olup, özellikle askeri, otomotiv ve havacılık sektörlerinde yüksek frekanslı ve yüksek güçlü uygulamalarda sağlam performans sağlamaktadır.
Uydu Sistemleri:
Uydu haberleşme sistemlerinde bu waferlar, aşırı çevre koşullarında çalışabilen güç yükselteçlerinin dayanıklılığını ve yüksek performansını garanti altına alır.
Yüksek Güçlü Elektronik:
GaN-on-Diamond'un termal yönetim yetenekleri, onları güç dönüştürücüler, invertörler ve katı hal röleleri gibi yüksek güçlü elektronikler için uygun hale getirir.
Termal Yönetim Sistemleri:
Elmasın yüksek ısı iletkenliği sayesinde bu gofretler, yüksek güçlü LED ve lazer sistemleri gibi sağlam ısı yönetimi gerektiren uygulamalarda kullanılabilir.
GaN-on-Diamond Wafer'lar için Soru-Cevap
S1: Yüksek frekanslı uygulamalarda GaN-on-Diamond gofretlerin kullanılmasının avantajı nedir?
A1:GaN-on-Diamond yongaları, GaN'ın yüksek elektron hareketliliğini ve geniş bant aralığını elmasın olağanüstü termal iletkenliğiyle birleştirir. Bu sayede, yüksek frekanslı cihazlar, ısıyı etkili bir şekilde yönetirken daha yüksek güç seviyelerinde çalışabilir ve geleneksel malzemelere kıyasla daha yüksek verimlilik ve güvenilirlik sağlar.
S2: GaN-on-Diamond gofretler belirli güç ve frekans gereksinimlerine göre özelleştirilebilir mi?
A2:Evet, GaN-on-Diamond gofretler, epitaksiyel katman kalınlığı (0,6 µm ila 2,5 µm), gofret boyutu (4 inç, 6 inç) ve belirli uygulama ihtiyaçlarına dayalı diğer parametreler dahil olmak üzere özelleştirilebilir seçenekler sunarak, yüksek güç ve yüksek frekans uygulamaları için esneklik sağlar.
S3: GaN için bir alt tabaka olarak elmasın temel faydaları nelerdir?
A3:Diamond'ın olağanüstü termal iletkenliği (2200 W/m·K'ye kadar), yüksek güçlü GaN cihazları tarafından üretilen ısının verimli bir şekilde dağıtılmasına yardımcı olur. Bu termal yönetim özelliği, GaN-on-Diamond cihazlarının daha yüksek güç yoğunluklarında ve frekanslarında çalışmasını sağlayarak gelişmiş cihaz performansı ve uzun ömür sağlar.
S4: GaN-on-Diamond gofretler uzay veya havacılık uygulamaları için uygun mudur?
A4:Evet, GaN-on-Diamond gofretler, yüksek güvenilirlikleri, termal yönetim kabiliyetleri ve yüksek radyasyon, sıcaklık değişimleri ve yüksek frekanslı çalışma gibi aşırı koşullardaki performansları nedeniyle uzay ve havacılık uygulamaları için oldukça uygundur.
S5: GaN-on-Diamond yongalarından üretilen cihazların beklenen ömrü nedir?
A5:GaN'in doğal dayanıklılığı ile elmasın olağanüstü ısı dağıtma özelliklerinin birleşimi, cihazların uzun ömürlü olmasını sağlar. GaN-on-Diamond cihazları, zorlu ortamlarda ve yüksek güç koşullarında, zamanla minimum bozulma ile çalışacak şekilde tasarlanmıştır.
S6: Elmasın ısıl iletkenliği GaN-üzerinde-Elmas yongaların genel performansını nasıl etkiler?
A6:Elmasın yüksek ısıl iletkenliği, yüksek güçlü uygulamalarda oluşan ısıyı verimli bir şekilde ileterek GaN-Elmas yongalarının performansını artırmada kritik bir rol oynar. Bu, GaN aygıtlarının optimum performans göstermesini, termal stresi azaltmasını ve geleneksel yarı iletken aygıtlarda yaygın bir sorun olan aşırı ısınmayı önlemesini sağlar.
S7: GaN-on-Diamond gofretlerin diğer yarı iletken malzemelerden daha iyi performans gösterdiği tipik uygulamalar nelerdir?
A7:GaN-on-Diamond yongalar, yüksek güç yönetimi, yüksek frekanslı çalışma ve verimli termal yönetim gerektiren uygulamalarda diğer malzemelerden daha iyi performans gösterir. Bunlara RF güç amplifikatörleri, radar sistemleri, mikrodalga iletişimi, uydu iletişimi ve diğer yüksek güçlü elektronik cihazlar dahildir.
Çözüm
GaN-on-Diamond gofretler, GaN'ın yüksek performansını elmasın olağanüstü termal özellikleriyle birleştirerek yüksek frekanslı ve yüksek güçlü uygulamalar için benzersiz bir çözüm sunar. Özelleştirilebilir özellikleriyle, verimli güç dağıtımı, termal yönetim ve yüksek frekanslı çalışma gerektiren endüstrilerin ihtiyaçlarını karşılamak üzere tasarlanmış olup, zorlu ortamlarda güvenilirlik ve uzun ömür sağlar.
Ayrıntılı Diyagram
