4 inç - 6 inç Silikon Plaka Üzerinde Galyum Nitrür Özel Si Alt Tabaka Yönlendirmesi, Direnç ve N Tipi/P Tipi Seçenekleri
Özellikler
●Geniş Bant Aralığı:GaN (3,4 eV), geleneksel silikonla karşılaştırıldığında yüksek frekans, yüksek güç ve yüksek sıcaklık performansında önemli bir iyileştirme sağlar ve bu da onu güç cihazları ve RF amplifikatörleri için ideal hale getirir.
●Özelleştirilebilir Si Alt Tabaka Yönlendirmesi:Belirli cihaz gereksinimlerini karşılamak için <111>, <100> ve diğerleri gibi farklı Si alt tabaka yönelimlerinden seçim yapın.
●Özelleştirilmiş Direnç:Cihaz performansını optimize etmek için yarı yalıtkandan yüksek dirençliliğe ve düşük dirençliliğe kadar Si için farklı direnç seçenekleri arasından seçim yapın.
●Doping Türü:Güç cihazlarının, RF transistörlerinin veya LED'lerin gereksinimlerini karşılamak için N tipi veya P tipi doping olarak mevcuttur.
●Yüksek Arıza Gerilimi:GaN-on-Si gofretler yüksek kırılma voltajına (1200 V'a kadar) sahiptir ve bu da yüksek voltajlı uygulamaların üstesinden gelmelerini sağlar.
●Daha Hızlı Geçiş Hızları:GaN, silikondan daha yüksek elektron hareketliliğine ve daha düşük anahtarlama kayıplarına sahiptir, bu da GaN-on-Si gofretlerini yüksek hızlı devreler için ideal hale getirir.
●Gelişmiş Termal Performans:Silisyumun düşük ısıl iletkenliğine rağmen GaN-on-Si, geleneksel silikon cihazlara kıyasla daha iyi ısı dağılımıyla üstün termal kararlılık sunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
| Gofret Boyutu | 4 inç, 6 inç |
| Si Alt Tabaka Yönlendirmesi | <111>, <100>, özel |
| Si Direnci | Yüksek dirençli, Yarı yalıtkan, Düşük dirençli |
| Doping Türü | N tipi, P tipi |
| GaN Katman Kalınlığı | 100 nm – 5000 nm (özelleştirilebilir) |
| AlGaN Bariyer Katmanı | %24 – %28 Al (tipik 10-20 nm) |
| Arıza Gerilimi | 600V – 1200V |
| Elektron Hareketliliği | 2000 cm²/V·s |
| Anahtarlama Frekansı | 18 GHz'e kadar |
| Wafer Yüzey Pürüzlülüğü | RMS ~0,25 nm (AFM) |
| GaN Levha Direnci | 437,9 Ω·cm² |
| Toplam Wafer Eğrisi | < 25 µm (maksimum) |
| Isıl İletkenlik | 1,3 – 2,1 W/cm·K |
Uygulamalar
Güç Elektroniği: GaN-on-Si, yenilenebilir enerji sistemlerinde, elektrikli araçlarda (EV) ve endüstriyel ekipmanlarda kullanılan güç amplifikatörleri, dönüştürücüler ve invertörler gibi güç elektroniği uygulamaları için idealdir. Yüksek arıza gerilimi ve düşük açık direnci, yüksek güçlü uygulamalarda bile verimli güç dönüşümü sağlar.
RF ve Mikrodalga İletişimi: GaN-on-Si gofretler, yüksek frekans yetenekleri sunarak RF güç amplifikatörleri, uydu iletişimleri, radar sistemleri ve 5G teknolojileri için mükemmeldir. Daha yüksek anahtarlama hızları ve daha yüksek frekanslarda (en fazla) çalışma yeteneği ile18 GHz), GaN cihazları bu uygulamalarda üstün performans sunar.
Otomotiv Elektroniği: GaN-on-Si, otomotiv güç sistemlerinde kullanılır, bunlar arasında şunlar yer alır:yerleşik şarj cihazları (OBC'ler)VeDC-DC dönüştürücülerDaha yüksek sıcaklıklarda çalışabilme ve daha yüksek voltaj seviyelerine dayanabilme kabiliyeti, onu güçlü güç dönüşümü gerektiren elektrikli araç uygulamaları için iyi bir seçim haline getirir.
LED ve Optoelektronik: GaN, tercih edilen malzemedir mavi ve beyaz LED'lerGaN-on-Si gofretler, aydınlatma, görüntüleme teknolojileri ve optik iletişimde mükemmel performans sağlayan yüksek verimli LED aydınlatma sistemleri üretmek için kullanılır.
Soru & Cevap
S1: GaN'ın elektronik cihazlarda silikona göre avantajı nedir?
A1:GaN'ın birdaha geniş bant aralığı (3,4 eV)Silisyumdan (1,1 eV) daha yüksek bir ağırlığa sahip olduğundan, daha yüksek voltaj ve sıcaklıklara dayanabilir. Bu özellik, GaN'ın yüksek güçlü uygulamaları daha verimli bir şekilde yönetmesini, güç kaybını azaltmasını ve sistem performansını artırmasını sağlar. GaN ayrıca, RF amplifikatörleri ve güç dönüştürücüler gibi yüksek frekanslı cihazlar için kritik öneme sahip olan daha hızlı anahtarlama hızları da sunar.
S2: Uygulamam için Si alt tabaka yönünü özelleştirebilir miyim?
A2:Evet, sunuyoruzözelleştirilebilir Si alt tabaka yönelimleriörneğin<111>, <100>ve cihaz gereksinimlerinize bağlı olarak diğer yönlendirmeler. Si alt tabakasının yönlendirmesi, elektriksel özellikler, termal davranış ve mekanik kararlılık dahil olmak üzere cihaz performansında önemli bir rol oynar.
S3: Yüksek frekanslı uygulamalarda GaN-on-Si gofretlerin kullanılmasının faydaları nelerdir?
A3:GaN-on-Si gofretler üstün özellikler sunaranahtarlama hızlarısilikonla karşılaştırıldığında daha yüksek frekanslarda daha hızlı çalışmayı mümkün kılar. Bu da onları şu amaçlar için ideal kılar:RFVemikrodalgauygulamalar ve yüksek frekanslıgüç cihazlarıörneğinHEMT'ler(Yüksek Elektron Hareketliliği Transistörleri) veRF amplifikatörleriGaN'ın daha yüksek elektron hareketliliği aynı zamanda daha düşük anahtarlama kayıpları ve gelişmiş verimlilikle sonuçlanır.
S4: GaN-on-Si gofretler için hangi katkılama seçenekleri mevcuttur?
A4:Her ikisini de sunuyoruzN tipiVeP tipifarklı tipteki yarı iletken aygıtlar için yaygın olarak kullanılan doping seçenekleri.N tipi dopingiçin idealdirgüç transistörleriVeRF amplifikatörleri, sırasındaP tipi dopingLED'ler gibi optoelektronik cihazlarda sıklıkla kullanılır.
Çözüm
Özelleştirilmiş Galyum Nitrür Silisyum (GaN-on-Si) Gofretlerimiz, yüksek frekanslı, yüksek güçlü ve yüksek sıcaklıklı uygulamalar için ideal bir çözüm sunar. Özelleştirilebilir Si alt tabaka yönelimleri, özdirenç ve N tipi/P tipi katkılama özellikleriyle bu gofretlerimiz, güç elektroniği ve otomotiv sistemlerinden RF iletişimi ve LED teknolojilerine kadar çeşitli endüstrilerin özel ihtiyaçlarını karşılamak üzere tasarlanmıştır. GaN'ın üstün özelliklerinden ve silikonun ölçeklenebilirliğinden yararlanan bu gofretlerimiz, yeni nesil cihazlar için gelişmiş performans, verimlilik ve geleceğe dönük çözümler sunar.
Ayrıntılı Diyagram
