Silisyum yonga üzerinde Galyum Nitrür 4 inç 6 inç Özel Si Alt Tabaka Yönlendirmesi, Direnç ve N-tipi/P-tipi Seçenekleri

Kısa Açıklama:

Özelleştirilmiş Galyum Nitrür Silisyum (GaN-on-Si) Wafer'larımız, yüksek frekanslı ve yüksek güçlü elektronik uygulamalarının artan taleplerini karşılamak üzere tasarlanmıştır. Hem 4 inç hem de 6 inç wafer boyutlarında mevcut olan bu wafer'lar, belirli uygulama ihtiyaçlarına uyacak şekilde Si alt tabaka yönelimi, özdirenç ve katkılama tipi (N tipi/P tipi) için özelleştirme seçenekleri sunar. GaN-on-Si teknolojisi, galyum nitrürün (GaN) avantajlarını düşük maliyetli silikon (Si) alt tabaka ile birleştirerek daha iyi termal yönetim, daha yüksek verimlilik ve daha hızlı anahtarlama hızları sağlar. Geniş bant aralığı ve düşük elektrik dirençleri ile bu wafer'lar güç dönüşümü, RF uygulamaları ve yüksek hızlı veri aktarım sistemleri için idealdir.

Bize e-posta gönderin

Ürün Detayı

Ürün Etiketleri

Özellikler

●Geniş Bant Aralığı:GaN (3,4 eV), geleneksel silikonla karşılaştırıldığında yüksek frekans, yüksek güç ve yüksek sıcaklık performansında önemli bir iyileştirme sağlayarak güç aygıtları ve RF amplifikatörleri için ideal hale getirir.
●Özelleştirilebilir Si Alt Tabaka Yönlendirmesi:Belirli cihaz gereksinimlerini karşılamak için <111>, <100> ve diğerleri gibi farklı Si alt tabaka yönelimlerinden seçim yapın.
●Özelleştirilmiş Direnç:Cihaz performansını optimize etmek için yarı yalıtkandan yüksek dirençli ve düşük dirençliye kadar Si için farklı direnç seçenekleri arasından seçim yapın.
●Doping Türü:Güç cihazlarının, RF transistörlerinin veya LED'lerin gereksinimlerini karşılamak için N tipi veya P tipi doping olarak mevcuttur.
●Yüksek Arıza Gerilimi:GaN-on-Si yongalar yüksek kırılma voltajına (1200 V'a kadar) sahip olduklarından yüksek voltajlı uygulamalarda kullanılabilirler.
●Daha Hızlı Geçiş Hızları:GaN, silikondan daha yüksek elektron hareketliliğine ve daha düşük anahtarlama kayıplarına sahip olduğundan, GaN-on-Si yongaları yüksek hızlı devreler için idealdir.
●Gelişmiş Termal Performans:Silisyumun düşük ısı iletkenliğine rağmen, GaN-on-Si, geleneksel silikon aygıtlara kıyasla daha iyi ısı dağılımı ile üstün termal kararlılık sunmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre	Değer
Gofret Boyutu	4 inç, 6 inç
Si Alt Tabaka Yönlendirmesi	<111>, <100>, özel
Si Direnci	Yüksek dirençli, Yarı yalıtkan, Düşük dirençli
Doping Türü	N tipi, P tipi
GaN Katman Kalınlığı	100 nm – 5000 nm (özelleştirilebilir)
AlGaN Bariyer Katmanı	%24 – %28 Al (tipik 10-20 nm)
Arıza Voltajı	600V – 1200V
Elektron Hareketliliği	2000 cm²/V·s
Anahtarlama Frekansı	18 GHz'e kadar
Wafer Yüzey Pürüzlülüğü	RMS ~0,25 nm (AFM)
GaN Levha Direnci	437,9 Ω·cm²
Toplam Wafer Eğrisi	< 25 µm (maksimum)
Isıl İletkenlik	1,3 – 2,1 W/cm·K

Uygulamalar

Güç Elektroniği: GaN-on-Si, yenilenebilir enerji sistemlerinde, elektrikli araçlarda (EV'ler) ve endüstriyel ekipmanlarda kullanılan güç amplifikatörleri, dönüştürücüler ve invertörler gibi güç elektroniği için idealdir. Yüksek arıza gerilimi ve düşük açık direnci, yüksek güç uygulamalarında bile verimli güç dönüşümü sağlar.

RF ve Mikrodalga İletişimleri: GaN-on-Si gofretler, RF güç amplifikatörleri, uydu iletişimleri, radar sistemleri ve 5G teknolojileri için mükemmel hale getiren yüksek frekans yetenekleri sunar. Daha yüksek anahtarlama hızları ve daha yüksek frekanslarda (en fazla) çalışma yeteneği ile18 GHz), GaN cihazları bu uygulamalarda üstün performans sunmaktadır.

Otomotiv Elektroniği: GaN-on-Si, otomotiv güç sistemlerinde kullanılır, bunlar arasında şunlar yer alır:yerleşik şarj cihazları (OBC'ler)VeDC-DC dönüştürücülerDaha yüksek sıcaklıklarda çalışabilme ve daha yüksek voltaj seviyelerine dayanabilme kabiliyeti, onu güçlü güç dönüşümü gerektiren elektrikli araç uygulamaları için iyi bir seçim haline getirir.

LED ve Optoelektronik: GaN, tercih edilen malzemedir mavi ve beyaz LED'lerGaN-on-Si gofretler, aydınlatma, görüntüleme teknolojileri ve optik iletişimde mükemmel performans sağlayan yüksek verimli LED aydınlatma sistemleri üretmek için kullanılır.

Soru & Cevap

S1: GaN'ın elektronik cihazlarda silikona göre avantajı nedir?

A1:GaN'ın birdaha geniş bant aralığı (3,4 eV)silikondan (1,1 eV) daha yüksek voltajlara ve sıcaklıklara dayanmasını sağlayan bir özelliktir. Bu özellik GaN'ın yüksek güç uygulamalarını daha verimli bir şekilde ele almasını, güç kaybını azaltmasını ve sistem performansını artırmasını sağlar. GaN ayrıca RF amplifikatörleri ve güç dönüştürücüleri gibi yüksek frekanslı cihazlar için önemli olan daha hızlı anahtarlama hızları sunar.

S2: Uygulamam için Si alt tabaka yönünü özelleştirebilir miyim?

A2:Evet, sunuyoruzözelleştirilebilir Si alt tabaka yönelimleriörneğin<111>, <100>ve cihaz gereksinimlerinize bağlı olarak diğer yönlendirmeler. Si alt tabakasının yönlendirmesi, elektriksel özellikler, termal davranış ve mekanik kararlılık dahil olmak üzere cihaz performansında önemli bir rol oynar.

S3: Yüksek frekanslı uygulamalar için GaN-on-Si yongaların kullanılmasının faydaları nelerdir?

A3:GaN-on-Si gofretler üstün özellikler sunaranahtarlama hızları, silikonla karşılaştırıldığında daha yüksek frekanslarda daha hızlı çalışmayı mümkün kılar. Bu onları ideal hale getirirRFVemikrodalgauygulamalar ve yüksek frekanslıgüç cihazlarıörneğinHEMT'ler(Yüksek Elektron Hareketliliğine Sahip Transistörler) veRF amplifikatörleriGaN'ın daha yüksek elektron hareketliliği aynı zamanda daha düşük anahtarlama kayıpları ve gelişmiş verimlilikle sonuçlanır.

S4: GaN-on-Si waferlar için hangi katkılama seçenekleri mevcuttur?

A4:Her ikisini de sunuyoruzN tipiVeP tipiFarklı tipteki yarı iletken aygıtlar için yaygın olarak kullanılan doping seçenekleri.N tipi dopingiçin idealdirgüç transistörleriVeRF amplifikatörleri, sırasındaP tipi dopingLED'ler gibi optoelektronik cihazlarda sıklıkla kullanılır.

Çözüm

Özelleştirilmiş Galyum Nitrürlü Silisyum (GaN-on-Si) Wafer'larımız yüksek frekanslı, yüksek güçlü ve yüksek sıcaklıklı uygulamalar için ideal çözümü sunar. Özelleştirilebilir Si alt tabaka yönelimleri, özdirenç ve N tipi/P tipi katkılama ile bu wafer'lar güç elektroniği ve otomotiv sistemlerinden RF iletişimi ve LED teknolojilerine kadar uzanan endüstrilerin özel ihtiyaçlarını karşılamak üzere tasarlanmıştır. GaN'ın üstün özelliklerini ve silikonun ölçeklenebilirliğini kullanan bu wafer'lar, yeni nesil cihazlar için gelişmiş performans, verimlilik ve geleceğe yönelik koruma sunar.