MEMS için Safir Plakalar Üzerinde 4 inç - 6 inç Epitaksiyel Olarak Büyütülmüş Galyum Nitrür (GaN)

Kısa Açıklama:

Safir yongalar üzerindeki Galyum Nitrür (GaN), yüksek frekanslı ve yüksek güçlü uygulamalar için eşsiz bir performans sunar ve bu da onu yeni nesil RF (Radyo Frekansı) ön uç modülleri, LED ışıklar ve diğer yarı iletken cihazlar için ideal bir malzeme haline getirir.GaNYüksek bant aralığı da dahil olmak üzere üstün elektriksel özellikleri, geleneksel silikon tabanlı cihazlara kıyasla daha yüksek arıza gerilimleri ve sıcaklıklarda çalışmasına olanak tanır. GaN, silikon yerine giderek daha fazla benimsendikçe, hafif, güçlü ve verimli malzemeler gerektiren elektronik alanındaki gelişmelere öncülük etmektedir.


Özellikler

Safir Plakalar Üzerindeki GaN'ın Özellikleri

●Yüksek Verimlilik:GaN tabanlı cihazlar, silikon tabanlı cihazlara kıyasla beş kat daha fazla güç sağlayarak, RF amplifikasyonu ve optoelektronik de dahil olmak üzere çeşitli elektronik uygulamalarda performansı artırıyor.
●Geniş Bant Aralığı:GaN'ın geniş bant aralığı, yüksek sıcaklıklarda yüksek verimlilik sağlar ve bu da onu yüksek güç ve yüksek frekans uygulamaları için ideal hale getirir.
●Dayanıklılık:GaN'ın aşırı koşullara (yüksek sıcaklıklar ve radyasyon) dayanma kabiliyeti, zorlu ortamlarda uzun süreli performans sağlar.
●Küçük Boyut:GaN, geleneksel yarı iletken malzemelere kıyasla daha kompakt ve hafif cihazların üretilmesine olanak tanır ve daha küçük ve daha güçlü elektroniklerin üretilmesini kolaylaştırır.

Soyut

Galyum Nitrür (GaN), RF ön uç modülleri, yüksek hızlı iletişim sistemleri ve LED aydınlatma gibi yüksek güç ve verimlilik gerektiren gelişmiş uygulamalar için tercih edilen yarı iletken olarak ortaya çıkmaktadır. Safir alt tabakalar üzerine büyütülen GaN epitaksiyel gofretler, kablosuz iletişim cihazları, radarlar ve sinyal bozucularda optimum performans için önemli olan yüksek ısıl iletkenlik, yüksek kırılma gerilimi ve geniş frekans tepkisi özelliklerini bir arada sunar. Bu gofretler, farklı teknik gereksinimleri karşılamak için farklı GaN kalınlıklarıyla hem 4 inç hem de 6 inç çaplarda mevcuttur. GaN'in benzersiz özellikleri, onu güç elektroniğinin geleceği için ideal bir aday haline getirmektedir.

 

Ürün Parametreleri

Ürün Özelliği

Şartname

Gofret Çapı 50mm, 100mm, 50,8mm
Alt tabaka Safir
GaN Katman Kalınlığı 0,5 μm - 10 μm
GaN Tipi/Doping N tipi (P tipi talep üzerine mevcuttur)
GaN Kristal Yönlendirmesi <0001>
Parlatma Tipi Tek Taraflı Cilalı (SSP), Çift Taraflı Cilalı (DSP)
Al2O3 Kalınlığı 430 μm - 650 μm
TTV (Toplam Kalınlık Değişimi) ≤ 10 μm
Yay ≤ 10 μm
Çarpıtma ≤ 10 μm
Yüzey Alanı Kullanılabilir Yüzey Alanı > %90

Soru & Cevap

S1: Geleneksel silikon tabanlı yarı iletkenlere kıyasla GaN kullanmanın temel avantajları nelerdir?

A1: GaN, silikona göre daha geniş bir bant aralığı da dahil olmak üzere birçok önemli avantaj sunar; bu sayede daha yüksek arıza gerilimlerini kaldırabilir ve daha yüksek sıcaklıklarda verimli bir şekilde çalışabilir. Bu, GaN'ı RF modülleri, güç amplifikatörleri ve LED'ler gibi yüksek güçlü, yüksek frekanslı uygulamalar için ideal hale getirir. GaN'ın daha yüksek güç yoğunluklarını idare edebilme yeteneği, silikon tabanlı alternatiflere kıyasla daha küçük ve daha verimli cihazların üretilmesini de sağlar.

S2: Safir yongalar üzerindeki GaN, MEMS (Mikro-Elektro-Mekanik Sistemler) uygulamalarında kullanılabilir mi?

A2: Evet, Safir yongalar üzerindeki GaN, özellikle yüksek güç, sıcaklık kararlılığı ve düşük gürültü gerektiren MEMS uygulamaları için uygundur. Malzemenin yüksek frekanslı ortamlardaki dayanıklılığı ve verimliliği, onu kablosuz iletişim, algılama ve radar sistemlerinde kullanılan MEMS cihazları için ideal hale getirir.

S3: GaN'ın kablosuz iletişimdeki potansiyel uygulamaları nelerdir?

A3: GaN, 5G altyapısı, radar sistemleri ve sinyal bozucular dahil olmak üzere kablosuz iletişim için RF ön uç modüllerinde yaygın olarak kullanılmaktadır. Yüksek güç yoğunluğu ve ısıl iletkenliği, onu yüksek güçlü, yüksek frekanslı cihazlar için mükemmel hale getirerek, silikon tabanlı çözümlere kıyasla daha iyi performans ve daha küçük form faktörleri sağlar.

S4: Safir yongalar üzerindeki GaN için teslim süreleri ve minimum sipariş miktarları nelerdir?

A4: Teslim süreleri ve minimum sipariş miktarları, gofret boyutuna, GaN kalınlığına ve özel müşteri gereksinimlerine bağlı olarak değişiklik gösterir. Lütfen, özelliklerinize göre detaylı fiyatlandırma ve stok durumu için doğrudan bizimle iletişime geçin.

S5: Özel GaN katman kalınlığı veya katkılama seviyeleri alabilir miyim?

A5Evet, özel uygulama ihtiyaçlarını karşılamak için GaN kalınlığı ve katkılama seviyelerinin özelleştirilmesini sağlıyoruz. Lütfen istediğiniz özellikleri bize bildirin, size özel bir çözüm sunalım.

Ayrıntılı Diyagram

safir03 üzerinde GaN
Sapphire04 üzerinde GaN
Sapphire05 üzerinde GaN
Sapphire06'da GaN

  • Öncesi:
  • Sonraki:

  • Mesajınızı buraya yazın ve bize gönderin