MEMS için Safir Plakalar Üzerinde 4 inç 6 inçlik Epitaksiyel Galyum Nitrür (GaN) Büyütüldü
Safir Wafer'larda GaN'ın Özellikleri
●Yüksek Verimlilik:GaN tabanlı cihazlar, silikon tabanlı cihazlara kıyasla beş kat daha fazla güç sağlayarak, RF amplifikasyonu ve optoelektronik de dahil olmak üzere çeşitli elektronik uygulamalarda performansı artırıyor.
●Geniş Bant Aralığı:GaN'nin geniş bant aralığı, yüksek sıcaklıklarda yüksek verimlilik sağlar ve bu da onu yüksek güç ve yüksek frekans uygulamaları için ideal hale getirir.
●Dayanıklılık:GaN'ın aşırı koşullara (yüksek sıcaklıklar ve radyasyon) dayanma kabiliyeti, zorlu ortamlarda uzun süreli performans sağlar.
●Küçük Boyut:GaN, geleneksel yarı iletken malzemelere kıyasla daha kompakt ve hafif cihazların üretilmesine olanak tanır ve daha küçük ve daha güçlü elektroniklerin üretilmesini kolaylaştırır.
Soyut
Galyum Nitrür (GaN), RF ön uç modülleri, yüksek hızlı iletişim sistemleri ve LED aydınlatma gibi yüksek güç ve verimlilik gerektiren gelişmiş uygulamalar için tercih edilen yarı iletken olarak ortaya çıkıyor. Safir alt tabakalar üzerine büyütüldüğünde GaN epitaksiyel gofretler, kablosuz iletişim cihazlarında, radarlarda ve sinyal bozucularda optimum performans için anahtar olan yüksek termal iletkenlik, yüksek bozulma voltajı ve geniş frekans tepkisi kombinasyonunu sunar. Bu gofretler, farklı teknik gereksinimleri karşılamak için değişen GaN kalınlıklarıyla hem 4 inç hem de 6 inç çaplarda mevcuttur. GaN'nin benzersiz özellikleri, onu güç elektroniğinin geleceği için birincil aday yapar.
Ürün Parametreleri
| Ürün Özelliği | Şartname |
| Wafer Çapı | 50mm, 100mm, 50,8mm |
| Alt tabaka | Safir |
| GaN Katman Kalınlığı | 0,5 μm - 10 μm |
| GaN Tipi/Doping | N tipi (P tipi talep üzerine mevcuttur) |
| GaN Kristal Yönlendirmesi | <0001> |
| Parlatma Tipi | Tek Taraflı Cilalı (SSP), Çift Taraflı Cilalı (DSP) |
| Al2O3 Kalınlığı | 430 μm - 650 μm |
| TTV (Toplam Kalınlık Değişimi) | ≤ 10 μm |
| Yay | ≤ 10 μm |
| Çarpıtma | ≤ 10 μm |
| Yüzey Alanı | Kullanılabilir Yüzey Alanı > %90 |
Soru & Cevap
S1: Geleneksel silikon tabanlı yarı iletkenlere kıyasla GaN kullanmanın temel avantajları nelerdir?
A1: GaN, daha yüksek arıza voltajlarını idare etmesini ve daha yüksek sıcaklıklarda verimli bir şekilde çalışmasını sağlayan daha geniş bir bant aralığı da dahil olmak üzere silikona göre birkaç önemli avantaj sunar. Bu, GaN'ı RF modülleri, güç amplifikatörleri ve LED'ler gibi yüksek güçlü, yüksek frekanslı uygulamalar için ideal hale getirir. GaN'ın daha yüksek güç yoğunluklarını idare etme yeteneği, silikon tabanlı alternatiflere kıyasla daha küçük ve daha verimli cihazlara da olanak tanır.
S2: Safir yongalar üzerindeki GaN, MEMS (Mikro-Elektro-Mekanik Sistemler) uygulamalarında kullanılabilir mi?
A2: Evet, Sapphire yongalarındaki GaN, özellikle yüksek güç, sıcaklık kararlılığı ve düşük gürültünün gerektiği MEMS uygulamaları için uygundur. Malzemenin yüksek frekanslı ortamlardaki dayanıklılığı ve verimliliği, onu kablosuz iletişim, algılama ve radar sistemlerinde kullanılan MEMS cihazları için ideal hale getirir.
S3: GaN'ın kablosuz iletişimdeki potansiyel uygulamaları nelerdir?
A3: GaN, 5G altyapısı, radar sistemleri ve sinyal bozucular dahil olmak üzere kablosuz iletişim için RF ön uç modüllerinde yaygın olarak kullanılır. Yüksek güç yoğunluğu ve termal iletkenliği, onu yüksek güçlü, yüksek frekanslı cihazlar için mükemmel hale getirir ve silikon tabanlı çözümlere kıyasla daha iyi performans ve daha küçük form faktörleri sağlar.
S4: Safir yongalar üzerindeki GaN için teslim süreleri ve minimum sipariş miktarları nelerdir?
A4: Teslim süreleri ve minimum sipariş miktarları, gofret boyutuna, GaN kalınlığına ve belirli müşteri gereksinimlerine bağlı olarak değişir. Lütfen özelliklerinize göre ayrıntılı fiyatlandırma ve kullanılabilirlik için doğrudan bizimle iletişime geçin.
S5: Özel GaN katman kalınlığı veya doping seviyeleri alabilir miyim?
A5: Evet, belirli uygulama ihtiyaçlarını karşılamak için GaN kalınlığı ve doping seviyelerinin özelleştirilmesini sunuyoruz. Lütfen istediğiniz özellikleri bize bildirin, size özel bir çözüm sunalım.
Ayrıntılı Diyagram
