GaAs lazer epitaksiyel gofret 4 inç 6 inç VCSEL dikey boşluklu yüzey emisyonlu lazer dalga boyu 940nm tek bağlantılı

Kısa Açıklama:

Müşteri tarafından belirtilen tasarıma sahip, yüksek homojenlikte 6 inçlik wafer'lar için Gigabit Ethernet lazer dizileri, 850/940 nm merkez optik dalga boyu, oksit sınırlı veya proton implantlı VCSEL, dijital veri bağlantısı iletişimi, lazer fare, elektriksel ve optik özellikler, düşük sıcaklık hassasiyeti. VCSEL-940 Tek Bağlantılı, tipik olarak 940 nanometre civarında emisyon dalga boyuna sahip dikey boşluklu yüzeyden yayılan bir lazerdir (VCSEL). Bu tür lazerler tipik olarak tek bir kuantum kuyusundan oluşur ve verimli ışık emisyonu sağlayabilir. 940 nanometrelik dalga boyu, onu kızılötesi spektrumda yer almasını sağlar ve çeşitli uygulamalar için uygundur. Diğer lazer türleriyle karşılaştırıldığında, VCSEL'ler daha yüksek elektro-optik dönüşüm verimliliğine sahiptir. VCSEL paketi nispeten küçüktür ve entegre edilmesi kolaydır. VCSEL-940'ın geniş uygulama alanı, modern teknolojide önemli bir rol oynamasını sağlamıştır.

Bize e-posta gönderin

Özellikler

GaAs lazer epitaksiyel tabakasının temel özellikleri şunlardır:

1. Tek bağlantılı yapı: Bu lazer genellikle verimli ışık yayılımı sağlayabilen tek bir kuantum kuyusundan oluşur.
2. Dalga Boyu: 940 nm'lik dalga boyu, onu kızılötesi spektrum aralığına yerleştirir ve çeşitli uygulamalar için uygun hale getirir.
3. Yüksek verimlilik: Diğer lazer türleriyle karşılaştırıldığında, VCSEL yüksek elektro-optik dönüşüm verimliliğine sahiptir.
4. Kompaktlık: VCSEL paketi nispeten küçüktür ve entegre edilmesi kolaydır.

5. Düşük eşik akımı ve yüksek verimlilik: Gömülü heteroyapı lazerler, son derece düşük lazer eşik akım yoğunluğu (örneğin 4mA/cm²) ve yüksek harici diferansiyel kuantum verimliliği (örneğin %36) sergiler ve doğrusal çıkış gücü 15mW'ı aşar.
6. Dalga kılavuzu modu kararlılığı: Gömülü heteroyapı lazeri, kırılma indisi yönlendirmeli dalga kılavuzu mekanizması ve dar aktif şerit genişliği (yaklaşık 2 μm) sayesinde dalga kılavuzu modu kararlılığı avantajına sahiptir.
7. Mükemmel fotoelektrik dönüşüm verimliliği: Epitaksiyel büyüme sürecinin optimize edilmesiyle, iç kayıpları azaltmak için yüksek iç kuantum verimliliği ve fotoelektrik dönüşüm verimliliği elde edilebilir.
8. Yüksek güvenilirlik ve kullanım ömrü: Yüksek kaliteli epitaksiyel büyüme teknolojisi, iyi yüzey görünümüne ve düşük kusur yoğunluğuna sahip epitaksiyel levhalar hazırlayarak ürün güvenilirliğini ve kullanım ömrünü artırır.
9. Çeşitli uygulamalar için uygundur: GAAS tabanlı lazer diyot epitaksiyel levha, optik fiber iletişim, endüstriyel uygulamalar, kızılötesi ve fotodedektörler ve diğer alanlarda yaygın olarak kullanılmaktadır.

GaAs lazer epitaksiyel levhaların başlıca uygulama alanları şunlardır:

1. Optik iletişim ve veri iletişimi: GaAs epitaksiyel levhalar, özellikle yüksek hızlı optik iletişim sistemlerinde, lazerler ve dedektörler gibi optoelektronik cihazların üretiminde yaygın olarak kullanılmaktadır.

2. Endüstriyel uygulamalar: GaAs lazer epitaksiyel levhalar, lazer işleme, ölçüm ve algılama gibi endüstriyel uygulamalarda da önemli kullanım alanlarına sahiptir.

3. Tüketici elektroniği: Tüketici elektroniğinde, GaAs epitaksiyel levhalar, akıllı telefonlarda ve diğer tüketici elektroniği ürünlerinde yaygın olarak kullanılan VCSEL'lerin (dikey boşluklu yüzeyden yayılan lazerler) üretiminde kullanılır.

4. RF uygulamaları: GaAs malzemeleri RF alanında önemli avantajlara sahiptir ve yüksek performanslı RF cihazlarının üretiminde kullanılır.

5. Kuantum nokta lazerleri: GAAS tabanlı kuantum nokta lazerleri, özellikle 1,31 µm optik iletişim bandında olmak üzere, iletişim, tıp ve askeri alanlarda yaygın olarak kullanılmaktadır.

6. Pasif Q anahtarı: GaAs soğurucu, mikro işleme, mesafe ölçümü ve mikro cerrahi için uygun olan pasif Q anahtarlı diyot pompalamalı katı hal lazerlerinde kullanılır.

Bu uygulamalar, GaAs lazer epitaksiyel levhaların çok çeşitli yüksek teknoloji uygulamalarındaki potansiyelini göstermektedir.

XKH, VCSEL/HCSEL, WLAN, 4G/5G baz istasyonları gibi geniş bir uygulama yelpazesini kapsayan, müşteri gereksinimlerine göre uyarlanmış farklı yapı ve kalınlıklarda GaAs epitaksiyel gofretler sunmaktadır. XKH ürünleri, yüksek performans ve güvenilirlik sağlamak için gelişmiş MOCVD ekipmanları kullanılarak üretilmektedir. Lojistik açısından, geniş bir uluslararası tedarik kanalına sahibiz, sipariş sayısını esnek bir şekilde karşılayabiliyoruz ve inceltme, segmentasyon vb. katma değerli hizmetler sunuyoruz. Verimli teslimat süreçleri, zamanında teslimatı garanti eder ve müşteri kalite ve teslimat süreleri gereksinimlerini karşılar. Ürünler teslim edildikten sonra, müşteriler ürünün sorunsuz bir şekilde kullanıma alınmasını sağlamak için kapsamlı teknik destek ve satış sonrası hizmet alabilirler.