GaAs lazer epitaksiyel gofret 4 inç 6 inç VCSEL dikey boşluk yüzey emisyon lazer dalga boyu 940nm tek bağlantı

Kısa Açıklama:

Müşteri tarafından belirlenen tasarım Yüksek düzgünlük için Gigabit Ethernet lazer dizileri 6 inçlik gofretler 850/940 nm merkez optik dalga boyu oksit sınırlı veya proton implante edilmiş VCSEL dijital veri bağlantısı iletişimi, lazer fare elektriksel ve optik özellikleri sıcaklığa karşı düşük hassasiyet. VCSEL-940 Tek Kavşak, tipik olarak yaklaşık 940 nanometrelik bir emisyon dalga boyuna sahip dikey boşluk yüzey yayan lazerdir (VCSEL). Bu tür lazerler tipik olarak tek bir kuantum kuyusundan oluşur ve verimli ışık emisyonu sağlayabilir. 940 nanometrelik dalga boyu, onu kızılötesi spektrumda yapar ve çeşitli uygulamalar için uygundur. Diğer lazer türleriyle karşılaştırıldığında, VCsel'ler daha yüksek elektro-optik dönüşüm verimliliğine sahiptir. VCSEL paketi nispeten küçüktür ve entegre edilmesi kolaydır. VCSEL-940'ın geniş uygulaması, onu modern teknolojide önemli bir rol oynamıştır.

Bize e-posta gönderin

Ürün Detayı

Ürün Etiketleri

GaAs lazer epitaksiyel levhanın temel özellikleri şunlardır:

1. Tek kavşak yapısı: Bu lazer genellikle verimli ışık emisyonu sağlayabilen tek bir kuantum kuyusundan oluşur.
2. Dalga Boyu: 940 nm dalga boyu, onu kızılötesi spektrum aralığında yapar ve çeşitli uygulamalar için uygundur.
3. Yüksek verimlilik: Diğer lazer tipleriyle karşılaştırıldığında VCSEL, yüksek elektro-optik dönüşüm verimliliğine sahiptir.
4. Kompaktlık: VCSEL paketi nispeten küçüktür ve entegrasyonu kolaydır.

5. Düşük eşik akımı ve yüksek verimlilik: Gömülü hetero yapı lazerleri, son derece düşük lazer eşik akım yoğunluğu (örn. 4mA/cm²) ve yüksek harici diferansiyel kuantum verimliliği (örn. %36) sergiler ve doğrusal çıkış gücü 15mW'ı aşar.
6. Dalga kılavuzu mod kararlılığı: Gömülü hetero yapı lazeri, kırılma indisi kılavuzlu dalga kılavuzu mekanizması ve dar aktif şerit genişliği (yaklaşık 2 μm) nedeniyle dalga kılavuzu mod kararlılığı avantajına sahiptir.
7. Mükemmel fotoelektrik dönüşüm verimliliği: Epitaksiyel büyüme sürecinin optimize edilmesiyle, iç kayıpları azaltmak için yüksek iç kuantum verimliliği ve fotoelektrik dönüşüm verimliliği elde edilebilir.
8. Yüksek güvenilirlik ve ömür: Yüksek kaliteli epitaksiyel büyüme teknolojisi, iyi yüzey görünümüne ve düşük hata yoğunluğuna sahip epitaksiyel levhalar hazırlayarak ürün güvenilirliğini ve ömrünü artırabilir.
9. Çeşitli uygulamalar için uygundur: GAAS tabanlı lazer diyot epitaksiyel levha, optik fiber iletişiminde, endüstriyel uygulamalarda, kızılötesi ve fotodedektörlerde ve diğer alanlarda yaygın olarak kullanılmaktadır.

GaAs lazer epitaksiyel levhanın başlıca uygulama yolları şunlardır:

1. Optik haberleşme ve veri haberleşmesi: GaAs epitaksiyel gofretler, özellikle yüksek hızlı optik haberleşme sistemlerinde, lazerler ve dedektörler gibi optoelektronik cihazların üretiminde optik haberleşme alanında yaygın olarak kullanılmaktadır.

2. Endüstriyel uygulamalar: GaAs lazer epitaksiyel levhalar lazer işleme, ölçüm ve algılama gibi endüstriyel uygulamalarda da önemli kullanımlara sahiptir.

3. Tüketici elektroniği: Tüketici elektroniğinde GaAs epitaksiyel yongalar, akıllı telefonlarda ve diğer tüketici elektroniğinde yaygın olarak kullanılan VCsel'leri (dikey boşluklu yüzey yayıcı lazerler) üretmek için kullanılır.

4. RF uygulamaları: GaAs malzemeleri RF alanında önemli avantajlara sahiptir ve yüksek performanslı RF cihazlarının üretiminde kullanılır.

5. Kuantum nokta lazerler: GAAS tabanlı kuantum nokta lazerler, özellikle 1,31 µm optik iletişim bandında, iletişim, tıbbi ve askeri alanlarda yaygın olarak kullanılmaktadır.

6. Pasif Q anahtarı: GaAs soğurucu, mikro işleme, menzil belirleme ve mikro cerrahi için uygun olan pasif Q anahtarlı diyot pompalı katı hal lazerlerinde kullanılır.

Bu uygulamalar, GaAs lazer epitaksiyel yongaların çok çeşitli yüksek teknoloji uygulamalarındaki potansiyelini göstermektedir.

XKH, VCSEL/HCSEL, WLAN, 4G/5G baz istasyonları vb. gibi geniş bir uygulama yelpazesini kapsayan, müşteri gereksinimlerine göre uyarlanmış farklı yapı ve kalınlıklarda GaAs epitaksiyel gofretler sunar. XKH'nin ürünleri, yüksek performans ve güvenilirlik sağlamak için gelişmiş MOCVD ekipmanı kullanılarak üretilir. Lojistik açısından, çok çeşitli uluslararası kaynak kanallarına sahibiz, sipariş sayısını esnek bir şekilde idare edebiliyoruz ve inceltme, segmentasyon vb. gibi katma değerli hizmetler sunabiliyoruz. Verimli teslimat süreçleri, zamanında teslimatı garanti eder ve kalite ve teslimat süreleri için müşteri gereksinimlerini karşılar. Müşteriler, varıştan sonra ürünün sorunsuz bir şekilde kullanıma alınmasını sağlamak için kapsamlı teknik destek ve satış sonrası hizmet alabilirler.