GaAs yüksek güçlü epitaksiyel gofret alt tabakası galyum arsenit gofret gücü lazer dalga boyu 905 nm lazer tıbbi tedavisi için
GaAs lazer epitaksiyel levhanın temel özellikleri şunlardır:
1. Yüksek elektron hareketliliği: Galyum arsenit yüksek elektron hareketliliğine sahiptir, bu da GaAs lazer epitaksiyel gofretlerin yüksek frekanslı cihazlarda ve yüksek hızlı elektronik cihazlarda iyi uygulamalara sahip olmasını sağlar.
2.Doğrudan bant aralığı geçişli lüminesans: Doğrudan bant aralığı malzemesi olan galyum arsenit, optoelektronik cihazlarda elektrik enerjisini ışık enerjisine verimli bir şekilde dönüştürebildiğinden lazer üretimi için idealdir.
3.Dalga Boyu: GaAs 905 lazerler genellikle 905 nm'de çalışır ve bu da onları biyomedikal dahil olmak üzere birçok uygulama için uygun hale getirir.
4. Yüksek verimlilik: Yüksek fotoelektrik dönüşüm verimliliği ile elektrik enerjisini lazer çıkışına etkili bir şekilde dönüştürebilir.
5. Yüksek güç çıkışı: Yüksek güç çıkışı elde edebilir ve güçlü bir ışık kaynağı gerektiren uygulama senaryoları için uygundur.
6.İyi termal performans: GaAs malzemesi iyi termal iletkenliğe sahiptir, lazerin çalışma sıcaklığını düşürmeye ve kararlılığı artırmaya yardımcı olur.
7. Geniş ayarlanabilirlik: Çıkış gücü, farklı uygulama gereksinimlerine uyum sağlamak için sürücü akımını değiştirerek ayarlanabilir.
GaAs lazer epitaksiyel tabletlerin başlıca uygulamaları şunlardır:
1. Optik fiber iletişimi: GaAs lazer epitaksiyel levha, yüksek hızlı ve uzun mesafeli optik sinyal iletimi elde etmek için optik fiber iletişiminde lazer üretmek için kullanılabilir.
2. Endüstriyel uygulamalar: Endüstriyel alanda GaAs lazer epitaksiyel levhalar lazerle mesafe ölçümü, lazerle işaretleme ve diğer uygulamalar için kullanılabilir.
3. VCSEL: Dikey boşluklu yüzey yayıcı lazer (VCSEL), optik iletişim, optik depolama ve optik algılamada yaygın olarak kullanılan GaAs lazer epitaksiyel levhalarının önemli bir uygulama alanıdır.
4. Kızılötesi ve nokta alanı: GaAs lazer epitaksiyel levha ayrıca kızılötesi lazerler, nokta jeneratörleri ve diğer cihazların üretiminde de kullanılabilir ve kızılötesi algılama, ışık gösterimi ve diğer alanlarda önemli bir rol oynar.
GaAs lazer epitaksiyel levhaların hazırlanması, esas olarak metal-organik kimyasal buhar biriktirme (MOCVD), moleküler ışın epitaksiyel (MBE) ve diğer yöntemler de dahil olmak üzere epitaksiyel büyüme teknolojisine dayanır. Bu teknikler, epitaksiyel tabakanın kalınlığını, bileşimini ve kristal yapısını hassas bir şekilde kontrol ederek yüksek kaliteli GaAs lazer epitaksiyel levhalar elde edilmesini sağlar.
XKH, optik haberleşme, VCSEL, kızılötesi ve ışık spot alanlarında geniş bir uygulama yelpazesini kapsayan, farklı yapı ve kalınlıklarda GaAs epitaksiyel levhaların özelleştirilmesini sunar. XKH ürünleri, yüksek performans ve güvenilirlik sağlamak için gelişmiş MOCVD ekipmanlarıyla üretilir. Lojistik açısından XKH, sipariş sayısını esnek bir şekilde karşılayabilen ve rafinasyon ve alt bölümleme gibi katma değerli hizmetler sunabilen geniş bir uluslararası tedarik kanalı yelpazesine sahiptir. Verimli teslimat süreçleri, zamanında teslimatı garanti eder ve müşterilerin kalite ve teslimat süreleri gereksinimlerini karşılar. Müşteriler, ürünün sorunsuz bir şekilde kullanıma alınmasını sağlamak için varıştan sonra kapsamlı teknik destek ve satış sonrası hizmet alabilirler.
Ayrıntılı Diyagram


