Özelleştirilmiş GaN-on-SiC Epitaksiyel Gofretler (100 mm, 150 mm) – Çoklu SiC Alt Tabaka Seçenekleri (4H-N, HPSI, 4H/6H-P)
Özellikler
●Epitaksiyel Tabaka Kalınlığı: Özelleştirilebilir1,0 µmile3,5 µmYüksek güç ve frekans performansı için optimize edilmiştir.
●SiC Alt Tabaka Seçenekleri: Çeşitli SiC alt tabakalarıyla mevcuttur, bunlar şunlardır:
- 4H-N: Yüksek frekanslı, yüksek güçlü uygulamalar için yüksek kaliteli Azot katkılı 4H-SiC.
- HPSI: Elektriksel izolasyon gerektiren uygulamalar için Yüksek Saflıkta Yarı Yalıtkan SiC.
- 4H/6H-P: Yüksek verimlilik ve güvenilirlik dengesi için karışık 4H ve 6H-SiC.
●Gofret Boyutları: Mevcuttur100 mmVe150 mmCihaz ölçekleme ve entegrasyonunda çok yönlülük için çaplar.
●Yüksek Arıza Gerilimi: SiC üzerindeki GaN teknolojisi yüksek arıza gerilimi sağlayarak yüksek güç uygulamalarında sağlam performans sağlar.
●Yüksek Isı İletkenliği: SiC'nin doğal termal iletkenliği (yaklaşık olarak) 490 W/m·K) güç yoğun uygulamalar için mükemmel ısı dağılımı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
| Gofret Çapı | 100mm, 150mm |
| Epitaksiyel Tabaka Kalınlığı | 1,0 µm – 3,5 µm (özelleştirilebilir) |
| SiC Alt Tabaka Türleri | 4H-N, HPSI, 4H/6H-P |
| SiC Isıl İletkenliği | 490 W/m·K |
| SiC Direnci | 4H-N: 10^6 Ω·cm,HPSI: Yarı Yalıtımlı,4H/6H-P: Karışık 4H/6H |
| GaN Katman Kalınlığı | 1,0 µm – 2,0 µm |
| GaN Taşıyıcı Konsantrasyonu | 10^18 cm^-3 ila 10^19 cm^-3 (özelleştirilebilir) |
| Wafer Yüzey Kalitesi | RMS Pürüzlülüğü: < 1 nm |
| Çıkık Yoğunluğu | < 1 x 10^6 cm^-2 |
| Gofret Yay | < 50 µm |
| Gofret Düzlüğü | < 5 µm |
| Maksimum Çalışma Sıcaklığı | 400°C (GaN-on-SiC cihazları için tipik) |
Uygulamalar
●Güç Elektroniği:GaN-on-SiC gofretler yüksek verimlilik ve ısı dağılımı sağladığından, elektrikli araçlarda, yenilenebilir enerji sistemlerinde ve endüstriyel makinelerde kullanılan güç amplifikatörleri, güç dönüştürme cihazları ve güç çevirici devreleri için idealdir.
●RF Güç Amplifikatörleri:GaN ve SiC kombinasyonu, telekomünikasyon, uydu haberleşmesi ve radar sistemleri gibi yüksek frekanslı, yüksek güçlü RF uygulamaları için mükemmeldir.
●Havacılık ve Savunma:Bu gofretler, zorlu koşullar altında çalışabilen, yüksek performanslı güç elektroniği ve haberleşme sistemleri gerektiren havacılık ve savunma teknolojileri için uygundur.
●Otomotiv Uygulamaları:Elektrikli araçlar (EV), hibrit araçlar (HEV) ve şarj istasyonlarındaki yüksek performanslı güç sistemleri için idealdir, verimli güç dönüşümü ve kontrolü sağlar.
●Askeri ve Radar Sistemleri:GaN-on-SiC gofretler, yüksek verimlilikleri, güç işleme kabiliyetleri ve zorlu ortamlardaki termal performansları nedeniyle radar sistemlerinde kullanılır.
●Mikrodalga ve Milimetre Dalga Uygulamaları:5G de dahil olmak üzere yeni nesil iletişim sistemleri için GaN-on-SiC, yüksek güçlü mikrodalga ve milimetre dalga aralıklarında optimum performans sağlar.
Soru & Cevap
S1: GaN için alt tabaka olarak SiC kullanmanın faydaları nelerdir?
A1:Silisyum Karbür (SiC), silisyum gibi geleneksel alt tabakalara kıyasla üstün termal iletkenlik, yüksek kırılma gerilimi ve mekanik mukavemet sunar. Bu, GaN-on-SiC yongalarını yüksek güç, yüksek frekans ve yüksek sıcaklık uygulamaları için ideal hale getirir. SiC alt tabakası, GaN cihazlarının ürettiği ısının dağıtılmasına yardımcı olarak güvenilirliği ve performansı artırır.
S2: Epitaksiyel tabaka kalınlığı belirli uygulamalar için özelleştirilebilir mi?
A2:Evet, epitaksiyel tabaka kalınlığı belirli bir aralıkta özelleştirilebilir1,0 µm ila 3,5 µmUygulamanızın güç ve frekans gereksinimlerine bağlı olarak GaN katman kalınlığını, güç amplifikatörleri, RF sistemleri veya yüksek frekanslı devreler gibi belirli cihazların performansını optimize edecek şekilde ayarlayabiliriz.
S3: 4H-N, HPSI ve 4H/6H-P SiC alt tabakaları arasındaki fark nedir?
A3:
- 4H-N:Azot katkılı 4H-SiC, yüksek elektronik performans gerektiren yüksek frekanslı uygulamalar için yaygın olarak kullanılır.
- HPSI: Yüksek Saflıkta Yarı Yalıtkan SiC, minimum elektriksel iletkenlik gerektiren uygulamalar için ideal olan elektriksel izolasyon sağlar.
- 4H/6H-P: Performansı dengeleyen, yüksek verimlilik ve sağlamlığı bir arada sunan, çeşitli güç elektroniği uygulamalarına uygun 4H ve 6H-SiC karışımı.
S4: Bu GaN-on-SiC gofretler elektrikli araçlar ve yenilenebilir enerji gibi yüksek güçlü uygulamalar için uygun mudur?
A4:Evet, GaN-on-SiC yongaları, elektrikli araçlar, yenilenebilir enerji ve endüstriyel sistemler gibi yüksek güçlü uygulamalar için oldukça uygundur. GaN-on-SiC aygıtlarının yüksek arıza gerilimi, yüksek ısıl iletkenliği ve güç işleme yetenekleri, zorlu güç dönüştürme ve kontrol devrelerinde etkili bir performans göstermelerini sağlar.
S5: Bu gofretler için tipik dislokasyon yoğunluğu nedir?
A5:Bu GaN-üzerindeki-SiC yongalarının çıkık yoğunluğu tipik olarak< 1 x 10^6 cm^-2Yüksek kaliteli epitaksiyel büyümeyi garanti altına alan, kusurları en aza indiren ve cihaz performansını ve güvenilirliğini artıran.
S6: Belirli bir gofret boyutu veya SiC alt tabaka türü talep edebilir miyim?
A6:Evet, uygulamanızın özel ihtiyaçlarını karşılamak için özelleştirilmiş gofret boyutları (100 mm ve 150 mm) ve SiC alt tabaka tipleri (4H-N, HPSI, 4H/6H-P) sunuyoruz. Daha fazla özelleştirme seçeneği ve gereksinimlerinizi görüşmek için lütfen bizimle iletişime geçin.
S7: GaN-on-SiC yongaları aşırı ortamlarda nasıl performans gösterir?
A7:GaN-on-SiC yongalar, yüksek termal kararlılıkları, yüksek güç taşıma kapasiteleri ve mükemmel ısı dağılımı özellikleri sayesinde zorlu ortamlar için idealdir. Bu yongalar, havacılık, savunma ve endüstriyel uygulamalarda yaygın olarak karşılaşılan yüksek sıcaklık, yüksek güç ve yüksek frekans koşullarında iyi performans gösterir.
Çözüm
Özelleştirilmiş GaN-on-SiC Epitaksiyel Gofretlerimiz, GaN ve SiC'nin gelişmiş özelliklerini bir araya getirerek yüksek güç ve yüksek frekans uygulamalarında üstün performans sunar. Çoklu SiC alt tabaka seçenekleri ve özelleştirilebilir epitaksiyel katmanlarıyla bu gofretlerimiz, yüksek verimlilik, termal yönetim ve güvenilirlik gerektiren endüstriler için idealdir. İster güç elektroniği, ister RF sistemleri veya savunma uygulamaları olsun, GaN-on-SiC gofretlerimiz ihtiyaç duyduğunuz performans ve esnekliği sunar.
Ayrıntılı Diyagram
