Özelleştirilmiş GaN-on-SiC Epitaksiyel Plakalar (100mm, 150mm) – Çoklu SiC Alt Tabaka Seçenekleri (4H-N, HPSI, 4H/6H-P)
Özellikler
●Epitaksiyel Tabaka Kalınlığı: Özelleştirilebilir1,0 µmile3,5 µmYüksek güç ve frekans performansı için optimize edilmiştir.
●SiC Alt Tabaka Seçenekleri: Çeşitli SiC alt tabakaları ile mevcuttur, bunlar şunları içerir:
- 4H-N: Yüksek frekanslı, yüksek güçlü uygulamalar için yüksek kaliteli Azot katkılı 4H-SiC.
- HPSI: Elektriksel izolasyon gerektiren uygulamalar için Yüksek Saflıkta Yarı Yalıtımlı SiC.
- 4H/6H-P: Yüksek verimlilik ve güvenilirlik dengesi için karışık 4H ve 6H-SiC.
●Wafer Boyutları: Mevcuttur100mmVe150mmCihaz ölçekleme ve entegrasyonunda çok yönlülük için çaplar.
●Yüksek Arıza Gerilimi:GaN on SiC teknolojisi yüksek arıza gerilimi sağlayarak yüksek güç uygulamalarında sağlam performansa olanak tanır.
●Yüksek Isı İletkenliği: SiC'nin doğal termal iletkenliği (yaklaşık olarak) 490 W/m·K) güç yoğun uygulamalar için mükemmel ısı dağılımı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
| Wafer Çapı | 100mm, 150mm |
| Epitaksiyel Tabaka Kalınlığı | 1,0 µm – 3,5 µm (özelleştirilebilir) |
| SiC Alt Tabaka Türleri | 4H-N, HPSI, 4H/6H-P |
| SiC Isıl İletkenlik | 490 W/m·K |
| SiC Direnci | 4H-N: 10^6 Ω·cm,HPSI: Yarı Yalıtımlı,4H/6H-P: Karışık 4H/6H |
| GaN Katman Kalınlığı | 1,0 µm – 2,0 µm |
| GaN Taşıyıcı Konsantrasyonu | 10^18 cm^-3 ila 10^19 cm^-3 (özelleştirilebilir) |
| Wafer Yüzey Kalitesi | RMS Pürüzlülüğü: < 1 mil |
| Çıkık Yoğunluğu | < 1 x 10^6 cm^-2 |
| Gofret Yay | < 50 µm |
| Wafer Düzlüğü | < 5 µm |
| Maksimum Çalışma Sıcaklığı | 400°C (GaN-on-SiC cihazları için tipik) |
Uygulamalar
●Güç Elektroniği:GaN-on-SiC yongalar yüksek verimlilik ve ısı dağılımı sağladığından, elektrikli araçlarda, yenilenebilir enerji sistemlerinde ve endüstriyel makinelerde kullanılan güç amplifikatörleri, güç dönüştürme cihazları ve güç invertör devreleri için idealdir.
●RF Güç Amplifikatörleri:GaN ve SiC kombinasyonu, telekomünikasyon, uydu haberleşmesi ve radar sistemleri gibi yüksek frekanslı, yüksek güçlü RF uygulamaları için mükemmeldir.
●Havacılık ve Savunma:Bu waferlar, zorlu koşullar altında çalışabilen, yüksek performanslı güç elektroniği ve haberleşme sistemleri gerektiren havacılık ve savunma teknolojileri için uygundur.
●Otomotiv Uygulamaları:Elektrikli araçlar (EV), hibrit araçlar (HEV) ve şarj istasyonlarındaki yüksek performanslı güç sistemleri için idealdir, verimli güç dönüşümü ve kontrolü sağlar.
●Askeri ve Radar Sistemleri:GaN-on-SiC yongalar, yüksek verimlilikleri, güç işleme kabiliyetleri ve zorlu ortamlardaki termal performansları nedeniyle radar sistemlerinde kullanılır.
●Mikrodalga ve Milimetre-Dalga Uygulamaları:5G de dahil olmak üzere yeni nesil iletişim sistemleri için GaN-on-SiC, yüksek güçlü mikrodalga ve milimetre dalga aralıklarında optimum performans sağlar.
Soru & Cevap
S1: GaN için alt tabaka olarak SiC kullanmanın faydaları nelerdir?
A1:Silisyum Karbür (SiC), silikon gibi geleneksel alt tabakalara kıyasla üstün termal iletkenlik, yüksek bozulma voltajı ve mekanik dayanıklılık sunar. Bu, GaN-on-SiC gofretlerini yüksek güç, yüksek frekans ve yüksek sıcaklık uygulamaları için ideal hale getirir. SiC alt tabakası, GaN cihazları tarafından üretilen ısının dağıtılmasına yardımcı olarak güvenilirliği ve performansı artırır.
S2: Epitaksiyel tabaka kalınlığı belirli uygulamalar için özelleştirilebilir mi?
A2:Evet, epitaksiyel tabaka kalınlığı belirli bir aralıkta özelleştirilebilir.1,0 µm ila 3,5 µm, uygulamanızın güç ve frekans gereksinimlerine bağlı olarak. Güç amplifikatörleri, RF sistemleri veya yüksek frekanslı devreler gibi belirli cihazlar için performansı optimize etmek üzere GaN katman kalınlığını özelleştirebiliriz.
S3: 4H-N, HPSI ve 4H/6H-P SiC alt tabakaları arasındaki fark nedir?
A3:
- 4H-N:Azot katkılı 4H-SiC, yüksek elektronik performans gerektiren yüksek frekanslı uygulamalarda yaygın olarak kullanılır.
- HPSI: Yüksek Saflıkta Yarı Yalıtkan SiC, minimum elektrik iletkenliği gerektiren uygulamalar için ideal olan elektriksel izolasyon sağlar.
- 4H/6H-P: Performansı dengeleyen, yüksek verimlilik ve sağlamlığı bir arada sunan, çeşitli güç elektroniği uygulamalarına uygun 4H ve 6H-SiC karışımı.
S4: Bu GaN-on-SiC yongalar elektrikli araçlar ve yenilenebilir enerji gibi yüksek güçlü uygulamalar için uygun mudur?
A4:Evet, GaN-on-SiC gofretleri elektrikli araçlar, yenilenebilir enerji ve endüstriyel sistemler gibi yüksek güç uygulamaları için oldukça uygundur. GaN-on-SiC aygıtlarının yüksek arıza gerilimi, yüksek termal iletkenliği ve güç işleme yetenekleri, zorlu güç dönüştürme ve kontrol devrelerinde etkili bir şekilde performans göstermelerini sağlar.
S5: Bu gofretler için tipik dislokasyon yoğunluğu nedir?
A5:Bu GaN-üzerindeki-SiC yongalarının dislokasyon yoğunluğu tipik olarak< 1 x 10^6 cm^-2Yüksek kaliteli epitaksiyel büyümeyi garanti altına alan, kusurları en aza indiren ve cihaz performansını ve güvenilirliğini artıran.
S6: Belirli bir gofret boyutu veya SiC alt tabaka türü talep edebilir miyim?
A6:Evet, uygulamanızın özel ihtiyaçlarını karşılamak için özelleştirilmiş gofret boyutları (100 mm ve 150 mm) ve SiC alt tabaka tipleri (4H-N, HPSI, 4H/6H-P) sunuyoruz. Daha fazla özelleştirme seçeneği için ve gereksinimlerinizi görüşmek için lütfen bizimle iletişime geçin.
S7: GaN-on-SiC yongalar aşırı ortamlarda nasıl performans gösterir?
A7:GaN-on-SiC wafer'lar, yüksek termal kararlılıkları, yüksek güç işleme kapasiteleri ve mükemmel ısı dağıtma kabiliyetleri nedeniyle aşırı ortamlar için idealdir. Bu wafer'lar, havacılık, savunma ve endüstriyel uygulamalarda yaygın olarak karşılaşılan yüksek sıcaklık, yüksek güç ve yüksek frekans koşullarında iyi performans gösterir.
Çözüm
Özelleştirilmiş GaN-on-SiC Epitaksiyel Plakalarımız, GaN ve SiC'nin gelişmiş özelliklerini bir araya getirerek yüksek güç ve yüksek frekans uygulamalarında üstün performans sağlar. Birden fazla SiC alt tabaka seçeneği ve özelleştirilebilir epitaksiyel katmanlarıyla bu plakalar, yüksek verimlilik, termal yönetim ve güvenilirlik gerektiren endüstriler için idealdir. İster güç elektroniği, ister RF sistemleri veya savunma uygulamaları olsun, GaN-on-SiC plakalarımız ihtiyaç duyduğunuz performansı ve esnekliği sunar.
Ayrıntılı Diyagram
