Özelleştirilmiş GaN-on-SiC Epitelyal Levhalar (100 mm, 150 mm) – Çoklu SiC Alt Tabaka Seçenekleri (4H-N, HPSI, 4H/6H-P)
Özellikler
●Epitaksiyel Tabaka Kalınlığı: Özelleştirilebilir1,0 µmile3,5 µmYüksek güç ve frekans performansı için optimize edilmiştir.
●SiC Alt Tabaka SeçenekleriÇeşitli SiC alt tabakalarıyla birlikte mevcuttur, bunlar arasında şunlar bulunur:
- 4H-NYüksek frekanslı, yüksek güçlü uygulamalar için yüksek kaliteli azot katkılı 4H-SiC.
- HPSIElektriksel izolasyon gerektiren uygulamalar için yüksek saflıkta yarı iletken SiC.
- 4H/6H-PYüksek verimlilik ve güvenilirlik dengesi için 4H ve 6H-SiC karışımı kullanılmıştır.
●Gifter BoyutlarıMevcuttur100 mmVe150 mmCihaz ölçeklendirme ve entegrasyonunda çok yönlülük için çaplar.
●Yüksek Arıza GerilimiGaN on SiC teknolojisi, yüksek kırılma gerilimi sağlayarak yüksek güçlü uygulamalarda sağlam performans imkanı sunar.
●Yüksek Isı İletkenliğiSiC'nin doğal termal iletkenliği (yaklaşık olarak) 490 W/m·KBu, yüksek güç gerektiren uygulamalar için mükemmel ısı dağılımı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
| Yonga Çapı | 100 mm, 150 mm |
| Epitaksiyel Tabaka Kalınlığı | 1,0 µm – 3,5 µm (özelleştirilebilir) |
| SiC Alt Tabaka Türleri | 4H-N, HPSI, 4H/6H-P |
| SiC Isı İletkenliği | 490 W/m·K |
| SiC Direnci | 4H-N: 10^6 Ω·cm,HPSIYarı Yalıtkan,4H/6H-P: Karışık 4H/6H |
| GaN Katman Kalınlığı | 1,0 µm – 2,0 µm |
| GaN Taşıyıcı Konsantrasyonu | 10^18 cm^-3 ila 10^19 cm^-3 (özelleştirilebilir) |
| Yonga Yüzey Kalitesi | RMS Pürüzlülüğü: < 1 nm |
| Dislokasyon Yoğunluğu | < 1 x 10^6 cm^-2 |
| Gofret Yay | < 50 µm |
| Gofretin Düzlüğü | < 5 µm |
| Maksimum Çalışma Sıcaklığı | 400°C (GaN-on-SiC cihazları için tipik) |
Uygulamalar
●Güç Elektroniği:GaN-on-SiC levhalar yüksek verimlilik ve ısı dağılımı sağlayarak elektrikli araçlarda, yenilenebilir enerji sistemlerinde ve endüstriyel makinelerde kullanılan güç amplifikatörleri, güç dönüştürme cihazları ve güç invertör devreleri için idealdir.
●RF Güç Amplifikatörleri:GaN ve SiC'nin birleşimi, telekomünikasyon, uydu iletişimi ve radar sistemleri gibi yüksek frekanslı, yüksek güçlü RF uygulamaları için mükemmeldir.
●Havacılık ve Savunma:Bu silikon levhalar, zorlu koşullar altında çalışabilen yüksek performanslı güç elektroniği ve iletişim sistemleri gerektiren havacılık ve savunma teknolojileri için uygundur.
●Otomotiv Uygulamaları:Elektrikli araçlar (EV'ler), hibrit araçlar (HEV'ler) ve şarj istasyonlarındaki yüksek performanslı güç sistemleri için idealdir; verimli güç dönüşümü ve kontrolü sağlar.
●Askeri ve Radar Sistemleri:GaN-on-SiC levhalar, yüksek verimlilikleri, güç işleme kapasiteleri ve zorlu ortamlardaki termal performansları nedeniyle radar sistemlerinde kullanılmaktadır.
●Mikrodalga ve Milimetre Dalga Uygulamaları:5G dahil olmak üzere yeni nesil iletişim sistemleri için GaN-on-SiC, yüksek güçlü mikrodalga ve milimetre dalga aralıklarında optimum performans sağlar.
Soru-Cevap
S1: GaN için altlık olarak SiC kullanmanın faydaları nelerdir?
A1:Silisyum karbür (SiC), silisyum gibi geleneksel alt tabakalara kıyasla üstün termal iletkenlik, yüksek kırılma gerilimi ve mekanik dayanıklılık sunar. Bu da GaN-on-SiC plakalarını yüksek güç, yüksek frekans ve yüksek sıcaklık uygulamaları için ideal hale getirir. SiC alt tabaka, GaN cihazları tarafından üretilen ısının dağıtılmasına yardımcı olarak güvenilirliği ve performansı artırır.
S2: Epitelyal tabaka kalınlığı belirli uygulamalar için özelleştirilebilir mi?
A2:Evet, epitaksiyel katman kalınlığı belirli bir aralıkta özelleştirilebilir.1,0 µm ila 3,5 µmUygulamanızın güç ve frekans gereksinimlerine bağlı olarak, GaN katman kalınlığını, güç amplifikatörleri, RF sistemleri veya yüksek frekanslı devreler gibi belirli cihazlar için performansı optimize edecek şekilde özelleştirebiliriz.
S3: 4H-N, HPSI ve 4H/6H-P SiC alt tabakaları arasındaki fark nedir?
A3:
- 4H-NAzot katkılı 4H-SiC, yüksek elektronik performans gerektiren yüksek frekanslı uygulamalar için yaygın olarak kullanılmaktadır.
- HPSIYüksek saflıkta yarı yalıtkan SiC, minimum elektrik iletkenliği gerektiren uygulamalar için ideal olan elektriksel izolasyon sağlar.
- 4H/6H-P4H ve 6H-SiC'nin bir karışımı olan bu malzeme, performans dengesi sağlayarak yüksek verimlilik ve sağlamlığı bir arada sunar ve çeşitli güç elektroniği uygulamaları için uygundur.
S4: Bu GaN-on-SiC levhalar, elektrikli araçlar ve yenilenebilir enerji gibi yüksek güç gerektiren uygulamalar için uygun mudur?
A4:Evet, GaN-on-SiC levhalar elektrikli araçlar, yenilenebilir enerji ve endüstriyel sistemler gibi yüksek güç gerektiren uygulamalar için oldukça uygundur. GaN-on-SiC cihazlarının yüksek kırılma gerilimi, yüksek termal iletkenliği ve güç işleme kapasitesi, zorlu güç dönüştürme ve kontrol devrelerinde etkili bir şekilde çalışmalarını sağlar.
S5: Bu levhalar için tipik dislokasyon yoğunluğu nedir?
A5:Bu GaN-on-SiC levhaların dislokasyon yoğunluğu tipik olarak şöyledir:< 1 x 10^6 cm^-2Bu yöntem, yüksek kaliteli epitaksiyel büyümeyi sağlayarak kusurları en aza indirir ve cihaz performansını ve güvenilirliğini artırır.
S6: Belirli bir gofret boyutu veya SiC alt tabaka türü talep edebilir miyim?
A6:Evet, uygulamanızın özel ihtiyaçlarını karşılamak için özelleştirilmiş wafer boyutları (100 mm ve 150 mm) ve SiC alt tabaka tipleri (4H-N, HPSI, 4H/6H-P) sunuyoruz. Daha fazla özelleştirme seçeneği ve gereksinimlerinizi görüşmek için lütfen bizimle iletişime geçin.
S7: GaN-on-SiC levhalar aşırı ortamlarda nasıl performans gösterir?
A7:GaN-on-SiC levhalar, yüksek termal kararlılıkları, yüksek güç taşıma kapasiteleri ve mükemmel ısı dağıtım yetenekleri nedeniyle aşırı ortamlar için idealdir. Bu levhalar, havacılık, savunma ve endüstriyel uygulamalarda yaygın olarak karşılaşılan yüksek sıcaklık, yüksek güç ve yüksek frekans koşullarında iyi performans gösterir.
Çözüm
Özelleştirilmiş GaN-on-SiC epitaksiyel plakalarımız, yüksek güç ve yüksek frekans uygulamalarında üstün performans sağlamak için GaN ve SiC'nin gelişmiş özelliklerini bir araya getiriyor. Çoklu SiC alt tabaka seçenekleri ve özelleştirilebilir epitaksiyel katmanlarıyla bu plakalar, yüksek verimlilik, termal yönetim ve güvenilirlik gerektiren sektörler için idealdir. İster güç elektroniği, ister RF sistemleri veya savunma uygulamaları olsun, GaN-on-SiC plakalarımız ihtiyacınız olan performansı ve esnekliği sunar.
Ayrıntılı Diyagram
