8 inç 200 mm 4H-N SiC Wafer İletken kukla araştırma sınıfı
Benzersiz fiziksel ve elektronik özellikleri nedeniyle, 200 mm SiC yonga yarı iletken malzemesi yüksek performanslı, yüksek sıcaklığa dayanıklı, radyasyona dayanıklı ve yüksek frekanslı elektronik cihazlar oluşturmak için kullanılır. 8 inç SiC alt tabaka fiyatı, teknoloji daha da ilerledikçe ve talep arttıkça kademeli olarak azalmaktadır. Son teknoloji gelişmeleri, 200 mm SiC yongaların üretim ölçeğinde üretilmesine yol açmaktadır. SiC yonga yarı iletken malzemelerinin Si ve GaAs yongalara kıyasla başlıca avantajları: Çığ kırılması sırasında 4H-SiC'nin elektrik alan şiddeti, Si ve GaAs için karşılık gelen değerlerden bir mertebeden daha yüksektir. Bu, açık durum özdirencinde Ron önemli bir azalmaya yol açar. Düşük açık durum özdirenci, yüksek akım yoğunluğu ve termal iletkenlikle birleştiğinde, güç cihazları için çok küçük kalıp kullanımına izin verir. SiC'nin yüksek termal iletkenliği, çipin termal direncini azaltır. SiC yongalara dayalı cihazların elektronik özellikleri zamanla ve sıcaklığa karşı çok kararlıdır, bu da ürünlerin yüksek güvenilirliğini sağlar. Silisyum karbür, çipin elektronik özelliklerini bozmayan sert radyasyona karşı son derece dirençlidir. Kristalin yüksek sınırlayıcı çalışma sıcaklığı (6000C'den fazla), zorlu çalışma koşulları ve özel uygulamalar için son derece güvenilir cihazlar oluşturmanıza olanak tanır. Şu anda, küçük parti 200mmSiC gofretleri istikrarlı ve sürekli olarak tedarik edebiliyoruz ve depoda biraz stok bulunduruyoruz.
Şartname
| Sayı | Öğe | Birim | Üretme | Araştırma | Aptal |
| 1. Parametreler | |||||
| 1.1 | politip | -- | 4H | 4H | 4H |
| 1.2 | yüzey yönelimi | ° | <11-20>4±0,5 | <11-20>4±0,5 | <11-20>4±0,5 |
| 2. Elektriksel parametre | |||||
| 2.1 | katkı maddesi | -- | n-tipi Azot | n-tipi Azot | n-tipi Azot |
| 2.2 | özdirenç | ohm ·cm | 0,015~0,025 | 0,01~0,03 | NA |
| 3. Mekanik parametre | |||||
| 3.1 | çap | mm | 200±0,2 | 200±0,2 | 200±0,2 |
| 3.2 | kalınlık | mikron | 500±25 | 500±25 | 500±25 |
| 3.3 | Çentik yönelimi | ° | [1- 100]±5 | [1- 100]±5 | [1- 100]±5 |
| 3.4 | Çentik Derinliği | mm | 1~1,5 | 1~1,5 | 1~1,5 |
| 3.5 | Ömür boyu fayda | mikron | ≤5(10mm*10mm) | ≤5(10mm*10mm) | ≤10(10mm*10mm) |
| 3.6 | Tv | mikron | ≤10 | ≤10 | ≤15 |
| 3.7 | Yay | mikron | -25~25 | -45~45 | -65~65 |
| 3.8 | Çarpıtma | mikron | ≤30 | ≤50 | ≤70 |
| 3.9 | AKM | nm | Ra≤0.2 | Ra≤0.2 | Ra≤0.2 |
| 4. Yapı | |||||
| 4.1 | mikro boru yoğunluğu | adet/cm2 | ≤2 | ≤10 | ≤50 |
| 4.2 | metal içeriği | atomlar/cm2 | ≤1E11 | ≤1E11 | NA |
| 4.3 | TSD | adet/cm2 | ≤500 | ≤1000 | NA |
| 4.4 | Sınırda Kişilik Bozukluğu | adet/cm2 | ≤2000 | ≤5000 | NA |
| 4.5 | TED | adet/cm2 | ≤7000 | ≤10000 | NA |
| 5. Olumlu kalite | |||||
| 5.1 | ön | -- | Si | Si | Si |
| 5.2 | yüzey bitirme | -- | Si-yüz CMP | Si-yüz CMP | Si-yüz CMP |
| 5.3 | parçacık | ea/gofret | ≤100(boyut≥0,3μm) | NA | NA |
| 5.4 | çizik | ea/gofret | ≤5,Toplam Uzunluk≤200mm | NA | NA |
| 5.5 | Kenar çentikler/girintiler/çatlaklar/lekeler/kirlenme | -- | Hiçbiri | Hiçbiri | NA |
| 5.6 | Politip alanları | -- | Hiçbiri | Alan ≤%10 | Alan ≤%30 |
| 5.7 | ön işaretleme | -- | Hiçbiri | Hiçbiri | Hiçbiri |
| 6. Sırt kalitesi | |||||
| 6.1 | arka bitiş | -- | C-yüzlü milletvekili | C-yüzlü milletvekili | C-yüzlü milletvekili |
| 6.2 | çizik | mm | NA | NA | NA |
| 6.3 | Arka kusurlar kenar cipsler/girintiler | -- | Hiçbiri | Hiçbiri | NA |
| 6.4 | Sırt pürüzlülüğü | nm | Ra≤5 | Ra≤5 | Ra≤5 |
| 6.5 | Geri işaretleme | -- | Çentik | Çentik | Çentik |
| 7. Kenar | |||||
| 7.1 | kenar | -- | Pah kırma | Pah kırma | Pah kırma |
| 8. Paket | |||||
| 8.1 | ambalajlama | -- | Vakumlu Epi-hazır ambalajlama | Vakumlu Epi-hazır ambalajlama | Vakumlu Epi-hazır ambalajlama |
| 8.2 | ambalajlama | -- | Çoklu gofret kaset ambalajı | Çoklu gofret kaset ambalajı | Çoklu gofret kaset ambalajı |
Ayrıntılı Diyagram
