8 inç 200 mm 4H-N SiC Gofret İletken kukla araştırma sınıfı

Kısa Açıklama:

Ulaşım, enerji ve endüstriyel pazarlar geliştikçe güvenilir, yüksek performanslı güç elektroniğine olan talep artmaya devam ediyor. Gelişmiş yarı iletken performansına yönelik ihtiyaçları karşılamak için cihaz üreticileri, 4H n-tipi silisyum karbür (SiC) levhalardan oluşan 4H SiC Prime Grade portföyümüz gibi geniş bant aralıklı yarı iletken malzemeler arıyor.

Bize e-posta gönder

Ürün Detayı

Ürün Etiketleri

Eşsiz fiziksel ve elektronik özellikleri nedeniyle 200 mm SiC levha yarı iletken malzemesi, yüksek performanslı, yüksek sıcaklığa dayanıklı, radyasyona dayanıklı ve yüksek frekanslı elektronik cihazlar oluşturmak için kullanılır. Teknoloji ilerledikçe ve talep arttıkça 8 inç SiC substrat fiyatı giderek düşüyor. Son teknoloji gelişmeleri, 200 mm SiC plakaların üretim ölçeğinde üretilmesine yol açmaktadır. SiC levha yarı iletken malzemelerinin Si ve GaAs levhalarla karşılaştırıldığında ana avantajları: Çığ kırılması sırasında 4H-SiC'nin elektrik alan kuvveti, Si ve GaAs için karşılık gelen değerlerden çok daha yüksektir. Bu, durum içi direnç Ron'da önemli bir azalmaya yol açar. Yüksek akım yoğunluğu ve termal iletkenlik ile birlikte düşük durum direnci, güç cihazları için çok küçük kalıpların kullanılmasına olanak tanır. SiC'nin yüksek termal iletkenliği çipin termal direncini azaltır. SiC plakalara dayalı cihazların elektronik özellikleri zaman içinde ve sıcaklıkta oldukça stabildir, bu da ürünlerin yüksek güvenilirliğini sağlar. Silisyum karbür sert radyasyona karşı son derece dayanıklıdır ve bu da çipin elektronik özelliklerini bozmaz. Kristalin yüksek sınırlayıcı çalışma sıcaklığı (6000C'den fazla), zorlu çalışma koşulları ve özel uygulamalar için son derece güvenilir cihazlar oluşturmanıza olanak tanır. Şu anda, 200 mmSiC levhaları küçük partiler halinde istikrarlı ve sürekli olarak tedarik edebiliyoruz ve depoda bir miktar stok bulundurabiliyoruz.

Şartname

Sayı	Öğe	Birim	Üretme	Araştırma	kukla
1. Parametreler
1.1	çoktipli	--	4H	4H	4H
1.2	yüzey yönelimi	°	<11-20>4±0,5	<11-20>4±0,5	<11-20>4±0,5
2. Elektrik parametresi
2.1	katkı maddesi	--	n-tipi Azot	n-tipi Azot	n-tipi Azot
2.2	direnç	ohm ·cm	0,015~0,025	0,01~0,03	NA
3. Mekanik parametre
3.1	çap	mm	200±0,2	200±0,2	200±0,2
3.2	kalınlık	μm	500±25	500±25	500±25
3.3	Çentik yönü	°	[1- 100]±5	[1- 100]±5	[1- 100]±5
3.4	Çentik Derinliği	mm	1~1,5	1~1,5	1~1,5
3.5	YBD	μm	≤5(10mm*10mm)	≤5(10mm*10mm)	≤10(10mm*10mm)
3.6	TTV	μm	≤10	≤10	≤15
3.7	Yay	μm	-25~25	-45~45	-65~65
3.8	Çözgü	μm	≤30	≤50	≤70
3.9	AFM	nm	Ra≤0,2	Ra≤0,2	Ra≤0,2
4. Yapı
4.1	mikropipe yoğunluğu	adet/cm2	≤2	≤10	≤50
4.2	metal içeriği	atom/cm2	≤1E11	≤1E11	NA
4.3	TSD	adet/cm2	≤500	≤1000	NA
4.4	BPD	adet/cm2	≤2000	≤5000	NA
4.5	TED	adet/cm2	≤7000	≤10000	NA
5. Olumlu kalite
5.1	ön	--	Si	Si	Si
5.2	yüzey kalitesi	--	Si-yüzlü CMP	Si-yüzlü CMP	Si-yüzlü CMP
5.3	parçacık	adet/gofret	≤100(boyut≥0,3μm)	NA	NA
5.4	çizik	adet/gofret	≤5,Toplam Uzunluk≤200mm	NA	NA
5.5	Kenar talaşlar/girintiler/çatlaklar/lekeler/kirlenme	--	Hiçbiri	Hiçbiri	NA
5.6	Çok tipli alanlar	--	Hiçbiri	Alan ≤%10	Alan ≤30%
5.7	ön işaretleme	--	Hiçbiri	Hiçbiri	Hiçbiri
6. Arka kalite
6.1	arka kaplama	--	C yüzlü MP	C yüzlü MP	C yüzlü MP
6.2	çizik	mm	NA	NA	NA
6.3	Arka kusurlar kenarı çipler/girintiler	--	Hiçbiri	Hiçbiri	NA
6.4	Sırt pürüzlülüğü	nm	Ra≤5	Ra≤5	Ra≤5
6.5	Geri işaretleme	--	Çentik	Çentik	Çentik
7. Kenar
7.1	kenar	--	Pah	Pah	Pah
8. Paket
8.1	ambalajlama	--	Vakumlu epi hazır ambalajlama	Vakumlu epi hazır ambalajlama	Vakumlu epi hazır ambalajlama
8.2	ambalajlama	--	Çoklu gofret kaset paketleme	Çoklu gofret kaset paketleme	Çoklu gofret kaset paketleme