8 inç 200 mm 4H-N SiC Wafer İletken Sahte Araştırma Sınıfı
Benzersiz fiziksel ve elektronik özellikleri sayesinde 200 mm SiC yonga yarı iletken malzemesi, yüksek performanslı, yüksek sıcaklıklı, radyasyona dayanıklı ve yüksek frekanslı elektronik cihazlar üretmek için kullanılır. 8 inç SiC alt tabaka fiyatı, teknoloji ilerledikçe ve talep arttıkça kademeli olarak düşmektedir. Son teknolojik gelişmeler, 200 mm SiC yongaların üretim ölçeğinde üretilmesine yol açmıştır. SiC yonga yarı iletken malzemelerinin Si ve GaAs yongalara kıyasla başlıca avantajları: Çığ kırılması sırasında 4H-SiC'nin elektrik alan şiddeti, Si ve GaAs için karşılık gelen değerlerden bir mertebeden daha yüksektir. Bu, Ron açık durum özdirencinde önemli bir azalmaya yol açar. Düşük açık durum özdirenci, yüksek akım yoğunluğu ve termal iletkenlikle birleştiğinde, güç cihazları için çok küçük kalıpların kullanılmasına olanak tanır. SiC'nin yüksek termal iletkenliği, çipin termal direncini azaltır. SiC yongalara dayalı cihazların elektronik özellikleri zaman içinde ve sıcaklıklarda oldukça kararlıdır, bu da ürünlerin yüksek güvenilirliğini sağlar. Silisyum karbür, sert radyasyona karşı son derece dirençlidir ve çipin elektronik özelliklerini bozmaz. Kristalin yüksek sınır çalışma sıcaklığı (6000°C'nin üzerinde), zorlu çalışma koşulları ve özel uygulamalar için son derece güvenilir cihazlar üretmenizi sağlar. Şu anda, sürekli ve istikrarlı bir şekilde küçük partiler halinde 200 mmSiC yonga levha tedarik edebiliyor ve depomuzda bir miktar stok bulunduruyoruz.
Şartname
| Sayı | Öğe | Birim | Üretme | Araştırma | Aptal |
| 1. Parametreler | |||||
| 1.1 | politip | -- | 4H | 4H | 4H |
| 1.2 | yüzey yönelimi | ° | <11-20>4±0,5 | <11-20>4±0,5 | <11-20>4±0,5 |
| 2. Elektriksel parametre | |||||
| 2.1 | katkı maddesi | -- | n tipi Azot | n tipi Azot | n tipi Azot |
| 2.2 | özdirenç | ohm ·cm | 0,015~0,025 | 0,01~0,03 | NA |
| 3. Mekanik parametre | |||||
| 3.1 | çap | mm | 200±0,2 | 200±0,2 | 200±0,2 |
| 3.2 | kalınlık | mikron | 500±25 | 500±25 | 500±25 |
| 3.3 | Çentik yönü | ° | [1- 100]±5 | [1- 100]±5 | [1- 100]±5 |
| 3.4 | Çentik Derinliği | mm | 1~1,5 | 1~1,5 | 1~1,5 |
| 3.5 | Ömür boyu fayda | mikron | ≤5(10mm*10mm) | ≤5(10mm*10mm) | ≤10(10mm*10mm) |
| 3.6 | Tv | mikron | ≤10 | ≤10 | ≤15 |
| 3.7 | Yay | mikron | -25~25 | -45~45 | -65~65 |
| 3.8 | Çarpıtma | mikron | ≤30 | ≤50 | ≤70 |
| 3.9 | AKM | nm | Ra≤0.2 | Ra≤0.2 | Ra≤0.2 |
| 4. Yapı | |||||
| 4.1 | mikro boru yoğunluğu | ea/cm2 | ≤2 | ≤10 | ≤50 |
| 4.2 | metal içeriği | atomlar/cm2 | ≤1E11 | ≤1E11 | NA |
| 4.3 | TSD | ea/cm2 | ≤500 | ≤1000 | NA |
| 4.4 | Sınırda Kişilik Bozukluğu | ea/cm2 | ≤2000 | ≤5000 | NA |
| 4.5 | TED | ea/cm2 | ≤7000 | ≤10000 | NA |
| 5. Olumlu kalite | |||||
| 5.1 | ön | -- | Si | Si | Si |
| 5.2 | yüzey bitirme | -- | Si-face CMP | Si-face CMP | Si-face CMP |
| 5.3 | parçacık | ea/gofret | ≤100(boyut≥0,3μm) | NA | NA |
| 5.4 | çizik | ea/gofret | ≤5,Toplam Uzunluk≤200mm | NA | NA |
| 5.5 | Kenar çentikler/girintiler/çatlaklar/lekeler/kirlenme | -- | Hiçbiri | Hiçbiri | NA |
| 5.6 | Politip alanları | -- | Hiçbiri | Alan ≤%10 | Alan ≤%30 |
| 5.7 | ön işaretleme | -- | Hiçbiri | Hiçbiri | Hiçbiri |
| 6. Sırt kalitesi | |||||
| 6.1 | arka bitiş | -- | C-yüzlü milletvekili | C-yüzlü milletvekili | C-yüzlü milletvekili |
| 6.2 | çizik | mm | NA | NA | NA |
| 6.3 | Arka kusurlar kenar cipsler/girintiler | -- | Hiçbiri | Hiçbiri | NA |
| 6.4 | Sırt pürüzlülüğü | nm | Ra≤5 | Ra≤5 | Ra≤5 |
| 6.5 | Geri işaretleme | -- | Çentik | Çentik | Çentik |
| 7. Kenar | |||||
| 7.1 | kenar | -- | Pah kırma | Pah kırma | Pah kırma |
| 8. Paket | |||||
| 8.1 | ambalajlama | -- | Vakumlu Epi-hazır ambalajlama | Vakumlu Epi-hazır ambalajlama | Vakumlu Epi-hazır ambalajlama |
| 8.2 | ambalajlama | -- | Çoklu gofret kaset ambalajı | Çoklu gofret kaset ambalajı | Çoklu gofret kaset ambalajı |
Ayrıntılı Diyagram
