6 inç GaN-Safir Üzerinde
Silisyum/Safir/SiC Epi-katmanlı gofret üzerinde 150 mm 6 inç GaN Galyum nitrür epitaksiyel gofret
6 inçlik safir alt tabaka gofreti, safir bir alt tabaka üzerine kaplanmış galyum nitrür (GaN) katmanlarından oluşan yüksek kaliteli bir yarı iletken malzemedir. Malzeme, mükemmel elektronik iletim özelliklerine sahiptir ve yüksek güçlü ve yüksek frekanslı yarı iletken cihazların üretimi için idealdir.
Üretim yöntemi: Üretim süreci, metal-organik kimyasal buhar biriktirme (MOCVD) veya moleküler ışın epitaksi (MBE) gibi gelişmiş teknikler kullanılarak safir bir alt tabaka üzerinde GaN katmanlarının büyütülmesini içerir. Biriktirme işlemi, yüksek kristal kalitesi ve homojen film sağlamak için kontrollü koşullar altında gerçekleştirilir.
6 inç GaN-Üzerinde-Safir uygulamaları: 6 inç safir alt tabaka çipleri mikrodalga iletişiminde, radar sistemlerinde, kablosuz teknolojide ve optoelektronikte yaygın olarak kullanılmaktadır.
Bazı yaygın uygulamalar şunlardır:
1. RF güç amplifikatörü
2. LED aydınlatma sektörü
3. Kablosuz ağ iletişim ekipmanı
4. Yüksek sıcaklık ortamındaki elektronik cihazlar
5. Optoelektronik cihazlar
Ürün özellikleri
- Boyut: Alt tabaka çapı 6 inçtir (yaklaşık 150 mm).
- Yüzey kalitesi: Mükemmel ayna kalitesi sağlamak için yüzey ince bir şekilde cilalanmıştır.
- Kalınlık: GaN tabakasının kalınlığı özel gereksinimlere göre özelleştirilebilir.
- Paketleme: Taşıma sırasında hasar görmesini önlemek için alt tabaka anti-statik malzemelerle dikkatlice paketlenir.
- Konumlandırma kenarları: Alt tabaka, cihaz hazırlığı sırasında hizalamayı ve çalışmayı kolaylaştıran özel konumlandırma kenarlarına sahiptir.
- Diğer parametreler: İncelik, özdirenç ve katkılama konsantrasyonu gibi özel parametreler müşteri isteklerine göre ayarlanabilir.
Üstün malzeme özellikleri ve çeşitli uygulama alanları ile 6 inç safir alt tabaka gofretleri, çeşitli endüstrilerde yüksek performanslı yarı iletken cihazların geliştirilmesi için güvenilir bir seçimdir.
| Alt tabaka | 6” 1mm <111> p tipi Si | 6” 1mm <111> p tipi Si |
| Epi KalınOrtalama | ~5um | ~7um |
| Epi ThickUnif | <2% | <2% |
| Yay | +/-45um | +/-45um |
| Çatlama | <5 mm | <5 mm |
| Dikey BV | >1000V | >1400V |
| HEMT Al% | %25-35 | %25-35 |
| HEMT KalınOrtalama | 20-30nm | 20-30nm |
| Yerinde SiN Kapağı | 5-60nm | 5-60nm |
| 2DEG kons. | ~1013cm-2 | ~1013cm-2 |
| Hareketlilik | ~2000 cm2/Karşı (<2%) | ~2000 cm2/Karşı (<2%) |
| Rsh | <330ohm/kare (<2%) | <330ohm/kare (<2%) |
Ayrıntılı Diyagram
