6 inç GaN-On-Sapphire
150 mm 6 inç Silikon/Safir/SiC Epi-katmanlı GaN gofret Galyum nitrür epitaksiyel gofret
6 inçlik safir alt tabaka levhası, safir alt tabaka üzerine yetiştirilen galyum nitrür (GaN) katmanlarından oluşan yüksek kaliteli bir yarı iletken malzemedir. Bu malzeme mükemmel elektronik iletim özelliklerine sahiptir ve yüksek güçlü ve yüksek frekanslı yarı iletken cihazların üretimi için idealdir.
Üretim yöntemi: Üretim süreci, metal-organik kimyasal buhar biriktirme (MOCVD) veya moleküler ışın epitaksisi (MBE) gibi gelişmiş teknikler kullanılarak safir alt tabaka üzerine GaN katmanlarının büyütülmesini içerir. Biriktirme işlemi, yüksek kristal kalitesi ve düzgün film sağlamak için kontrollü koşullar altında gerçekleştirilir.
6 inç GaN-On-Sapphire uygulamaları: 6 inç safir alt tabakalı çipler, mikrodalga iletişiminde, radar sistemlerinde, kablosuz teknolojide ve optoelektronikte yaygın olarak kullanılmaktadır.
Bazı yaygın uygulamalar şunlardır:
1. RF güç amplifikatörü
2. LED aydınlatma sektörü
3. Kablosuz ağ iletişim ekipmanı
4. Yüksek sıcaklık ortamındaki elektronik cihazlar
5. Optoelektronik cihazlar
Ürün özellikleri
- Boyut: Yüzeyin çapı 6 inç (yaklaşık 150 mm) dir.
- Yüzey kalitesi: Mükemmel ayna kalitesi sağlamak için yüzey ince bir şekilde parlatılmıştır.
- Kalınlık: GaN katmanının kalınlığı, özel gereksinimlere göre özelleştirilebilir.
- Ambalaj: Taşıma sırasında hasarı önlemek için alt tabaka, antistatik malzemelerle özenle paketlenmiştir.
- Konumlandırma kenarları: Alt tabaka, cihaz hazırlığı sırasında hizalamayı ve çalışmayı kolaylaştıran özel konumlandırma kenarlarına sahiptir.
- Diğer parametreler: İncelik, direnç ve katkı konsantrasyonu gibi belirli parametreler müşteri gereksinimlerine göre ayarlanabilir.
Üstün malzeme özellikleri ve çeşitli uygulama alanlarıyla 6 inçlik safir alt tabaka levhaları, çeşitli sektörlerde yüksek performanslı yarı iletken cihazların geliştirilmesi için güvenilir bir tercihtir.
| Alt tabaka | 6” 1mm <111> p-tipi Si | 6” 1mm <111> p-tipi Si |
| Epi Kalın Ortalama | ~5um | ~7um |
| Epi ThickUnif | <%2 | <%2 |
| Yay | +/-45um | +/-45um |
| Çatlama | <5mm | <5mm |
| Vertical BV | >1000V | >1400V |
| HEMT Al% | %25-35 | %25-35 |
| HEMT KalınOrtalama | 20-30nm | 20-30nm |
| Yerinde SiN Kapağı | 5-60nm | 5-60nm |
| 2DEG konsantresi. | ~1013cm-2 | ~1013cm-2 |
| Hareketlilik | ~2000cm2/Vs (<2%) | ~2000cm2/Vs (<2%) |
| Rsh | <330ohm/sq (<2%) | <330ohm/sq (<2%) |
Ayrıntılı Diyagram
