6 inç GaN-Safir Üzerinde

Kısa Açıklama:

Silikon/Safir/SiC üzerinde 150 mm 6 inç GaN Epi katmanlı levha Galyum nitrür epitaksiyel levha

6 inçlik safir substrat plakası, safir bir substrat üzerinde büyütülmüş galyum nitrür (GaN) katmanlarından oluşan yüksek kaliteli bir yarı iletken malzemedir. Malzeme mükemmel elektronik taşıma özelliklerine sahiptir ve yüksek güçlü ve yüksek frekanslı yarı iletken cihazların üretimi için idealdir.

Bize e-posta gönder

Ürün Detayı

Ürün Etiketleri

Silikon/Safir/SiC üzerinde 150 mm 6 inç GaN Epi katmanlı levha Galyum nitrür epitaksiyel levha

Üretim yöntemi: Üretim süreci, metal-organik kimyasal buhar biriktirme (MOCVD) veya moleküler ışın epitaksi (MBE) gibi ileri teknikler kullanılarak safir bir substrat üzerinde GaN katmanlarının büyütülmesini içerir. Biriktirme işlemi, yüksek kristal kalitesi ve tekdüze film sağlamak için kontrollü koşullar altında gerçekleştirilir.

6 inçlik Safir Üzerinde GaN uygulamaları: 6 inçlik safir alt tabaka çipleri, mikrodalga iletişiminde, radar sistemlerinde, kablosuz teknolojide ve optoelektronikte yaygın olarak kullanılmaktadır.

Bazı yaygın uygulamalar şunları içerir:

1. RF güç amplifikatörü

2. LED aydınlatma endüstrisi

3. Kablosuz ağ iletişim ekipmanı

4. Yüksek sıcaklık ortamındaki elektronik cihazlar

5. Optoelektronik cihazlar

Ürün özellikleri

- Boyut: Alt tabaka çapı 6 inçtir (yaklaşık 150 mm).

- Yüzey kalitesi: Mükemmel ayna kalitesi sağlamak için yüzey ince bir şekilde parlatılmıştır.

- Kalınlık: GaN katmanının kalınlığı özel gereksinimlere göre özelleştirilebilir.

- Paketleme: Taşıma sırasında hasar görmesini önlemek için alt tabaka anti-statik malzemelerle dikkatlice paketlenir.

- Konumlandırma kenarları: Alt tabaka, cihazın hazırlanması sırasında hizalamayı ve çalışmayı kolaylaştıran özel konumlandırma kenarlarına sahiptir.

- Diğer parametreler: İncelik, direnç ve katkı konsantrasyonu gibi spesifik parametreler müşteri gereksinimlerine göre ayarlanabilir.

Üstün malzeme özellikleri ve çeşitli uygulamalarıyla 6 inçlik safir alt tabaka plakaları, çeşitli endüstrilerde yüksek performanslı yarı iletken cihazların geliştirilmesi için güvenilir bir seçimdir.

Yüzey	6” 1mm <111> p-tipi Si	6” 1mm <111> p-tipi Si
Epi KalınOrtalama	~5um	~7um
Epi KalınUnif	<%2	<%2
Yay	+/-45um	+/-45um
Çatlama	<5 mm	<5 mm
Dikey BV	>1000V	>1400V
HEMT Al%	%25-35	%25-35
HEMT KalınOrtalama	20-30 nm	20-30 nm
Insitu SiN Kapağı	5-60nm	5-60nm
2DEG kons.	~10¹³cm^-2	~10¹³cm^-2
Hareketlilik	~2000cm²/Vs (<%2)	~2000cm²/Vs (<%2)
Rş	<330ohm/metrekare (<%2)	<330ohm/metrekare (<%2)