6 inç GaN-Safir Üzerinde
150mm 6 inç GaN Silisyum/Safir/SiC Epi-katmanlı yonga Galyum nitrür epitaksiyel yonga
6 inçlik safir alt tabaka gofreti, safir alt tabaka üzerinde büyütülmüş galyum nitrür (GaN) katmanlarından oluşan yüksek kaliteli bir yarı iletken malzemedir. Malzeme mükemmel elektronik taşıma özelliklerine sahiptir ve yüksek güçlü ve yüksek frekanslı yarı iletken cihazlar üretmek için idealdir.
Üretim yöntemi: Üretim süreci, metal-organik kimyasal buhar biriktirme (MOCVD) veya moleküler ışın epitaksi (MBE) gibi gelişmiş teknikler kullanılarak safir bir alt tabaka üzerinde GaN katmanlarının büyütülmesini içerir. Biriktirme süreci, yüksek kristal kalitesi ve düzgün film sağlamak için kontrollü koşullar altında gerçekleştirilir.
6 inç GaN-Üzerinde-Safir uygulamaları: 6 inç safir alt tabaka çipleri mikrodalga iletişiminde, radar sistemlerinde, kablosuz teknolojide ve optoelektronikte yaygın olarak kullanılmaktadır.
Bazı yaygın uygulamalar şunlardır:
1. RF güç amplifikatörü
2. LED aydınlatma sektörü
3. Kablosuz ağ iletişim ekipmanları
4. Yüksek sıcaklık ortamındaki elektronik cihazlar
5. Optoelektronik cihazlar
Ürün özellikleri
- Boyut: Alt tabaka çapı 6 inçtir (yaklaşık 150 mm).
- Yüzey kalitesi: Mükemmel ayna kalitesi sağlamak için yüzey ince bir şekilde cilalanmıştır.
- Kalınlık: GaN tabakasının kalınlığı özel gereksinimlere göre özelleştirilebilir.
- Paketleme: Taşıma esnasında hasar görmesini önlemek için alt tabaka antistatik malzemelerle dikkatlice paketlenir.
- Konumlandırma kenarları: Alt tabaka, cihaz hazırlığı sırasında hizalamayı ve çalışmayı kolaylaştıran özel konumlandırma kenarlarına sahiptir.
- Diğer parametreler: İncelik, özdirenç ve doping konsantrasyonu gibi özel parametreler müşteri gereksinimlerine göre ayarlanabilir.
Üstün malzeme özellikleri ve çeşitli uygulama alanları ile 6 inç safir alt tabaka levhaları, çeşitli endüstrilerde yüksek performanslı yarı iletken cihazların geliştirilmesi için güvenilir bir seçimdir.
| Alt tabaka | 6” 1mm <111> p tipi Si | 6” 1mm <111> p tipi Si |
| Epi KalınOrt. | ~5 dakika | ~7m |
| Epi KalınUnif | <2% | <2% |
| Yay | +/-45um | +/-45um |
| Çatlama | <5mm | <5mm |
| Dikey BV | >1000V | >1400V |
| HEMT Al% | %25-35 | %25-35 |
| HEMT KalınOrt. | 20-30nm | 20-30nm |
| Yerinde SiN Kapağı | 5-60nm | 5-60nm |
| 2DEG kons. | ~1013cm-2 | ~1013cm-2 |
| Hareketlilik | ~2000cm2/Karşı (<2%) | ~2000cm2/Karşı (<2%) |
| Rş | <330ohm/metrekare (<2%) | <330ohm/metrekare (<2%) |
Ayrıntılı Diyagram
