NPSS/FSS Üzerinde 50,8 mm/100 mm AlN Şablonu Safir üzerinde AlN şablonu
AlN-Safir Üzerinde
AlN-Üzerinde-Safir, aşağıdakiler gibi çeşitli fotoelektrik cihazlar yapmak için kullanılabilir:
1. LED çipleri: LED çipleri genellikle alüminyum nitrür filmlerden ve diğer malzemelerden yapılır. LED çiplerinin alt tabakası olarak AlN-On-Sapphire gofretleri kullanılarak LED'lerin verimliliği ve kararlılığı artırılabilir.
2. Lazerler: AlN-Üzerinde-Safir yongalar, tıp, iletişim ve malzeme işlemede yaygın olarak kullanılan lazerler için alt tabaka olarak da kullanılabilir.
3. Güneş hücreleri: Güneş hücrelerinin üretimi alüminyum nitrür gibi malzemelerin kullanımını gerektirir. Bir alt tabaka olarak AlN-On-Sapphire güneş hücrelerinin verimliliğini ve ömrünü artırabilir.
4. Diğer optoelektronik cihazlar: AlN-Üzerinde-Safir yonga levhalar ayrıca fotodedektörler, optoelektronik cihazlar ve diğer optoelektronik cihazların üretiminde de kullanılabilir.
Sonuç olarak, AlN-Üzerinde-Safir yongalar, yüksek ısı iletkenliği, yüksek kimyasal kararlılığı, düşük kaybı ve mükemmel optik özellikleri nedeniyle opto-elektrik alanında yaygın olarak kullanılmaktadır.
NPSS/FSS üzerinde 50,8 mm/100 mm AlN Şablonu
Öğe | Notlar | |||
Tanım | AlN-üzerinde-NPSS şablonu | AlN-on-FSS şablonu | ||
Gofret çapı | 50,8 mm, 100 mm | |||
Alt tabaka | c-düzlem NPSS | c-düzlem Planar Safir (FSS) | ||
Alt tabaka kalınlığı | 50,8 mm, 100 mmc-düzlem Düzlemsel Safir (FSS) 100 mm : 650 um | |||
AIN epi-katmanının kalınlığı | 3~4 um (hedef: 3.3 um) | |||
İletkenlik | Yalıtım | |||
Yüzey | Büyüdükçe | |||
RMS<1nm | RMS<2nm | |||
Arka taraf | Öğütülmüş | |||
FWHM(002)XRC | < 150 yay saniyesi | < 150 yay saniyesi | ||
FWHM(102)XRC | < 300 yay saniyesi | < 300 yay saniyesi | ||
Kenar Dışlama | < 2mm | < 3mm | ||
Birincil düz yönelim | a-düzlem+0.1° | |||
Birincil düz uzunluk | 50,8 mm: 16+/-1 mm 100 mm: 30+/-1 mm | |||
Paket | Nakliye kutusu veya tekli gofret kabında paketlenmiştir |
Ayrıntılı Diyagram

