NPSS/FSS üzerinde 50,8 mm/100 mm AlN Şablonu Safir üzerinde AlN şablonu
AlN-Safir Üzerinde
AlN-On-Sapphire, aşağıdakiler gibi çeşitli fotoelektrik cihazlar yapmak için kullanılabilir:
1. LED çipler: LED çipler genellikle alüminyum nitrür filmlerden ve diğer malzemelerden yapılır. LED çiplerin alt tabakası olarak AlN-On-Sapphire yongalar kullanılarak LED'lerin verimliliği ve kararlılığı artırılabilir.
2. Lazerler: AlN-Üzerinde-Safir gofretler, tıp, iletişim ve malzeme işlemede yaygın olarak kullanılan lazerler için alt tabaka olarak da kullanılabilir.
3. Güneş pilleri: Güneş pillerinin üretimi, alüminyum nitrür gibi malzemelerin kullanımını gerektirir. AlN-On-Sapphire alttaş, güneş pillerinin verimliliğini ve ömrünü artırabilir.
4. Diğer optoelektronik cihazlar: AlN-Üzerinde-Safir gofretler ayrıca fotodedektörler, optoelektronik cihazlar ve diğer optoelektronik cihazların üretiminde de kullanılabilir.
Sonuç olarak, AlN-Üzerinde-Safir gofretler, yüksek ısıl iletkenliği, yüksek kimyasal kararlılığı, düşük kaybı ve mükemmel optik özellikleri nedeniyle opto-elektrik alanında yaygın olarak kullanılmaktadır.
NPSS/FSS Üzerinde 50,8 mm/100 mm AlN Şablonu
| Öğe | Notlar | |||
| Tanım | AlN-on-NPSS şablonu | AlN-on-FSS şablonu | ||
| Gofret çapı | 50,8 mm, 100 mm | |||
| Alt tabaka | c-düzlemi NPSS | c-düzlemi Planar Sapphire (FSS) | ||
| Alt Tabaka Kalınlığı | 50,8 mm, 100 mmc-düzlem Düzlemsel Safir (FSS) 100 mm : 650 um | |||
| AIN epi-katmanının kalınlığı | 3~4 um (hedef: 3,3 um) | |||
| İletkenlik | Yalıtım | |||
| Yüzey | Büyüdükçe | |||
| RMS<1nm | RMS<2nm | |||
| Arka taraf | Öğütülmüş | |||
| FWHM(002)XRC | < 150 yay saniyesi | < 150 yay saniyesi | ||
| FWHM(102)XRC | < 300 yay saniyesi | < 300 yay saniyesi | ||
| Kenar Dışlama | < 2 mm | < 3 mm | ||
| Birincil düz yönelim | a-düzlemi+0,1° | |||
| Birincil düz uzunluk | 50,8 mm: 16+/-1 mm 100 mm: 30+/-1 mm | |||
| Paket | Nakliye kutusunda veya tek gofret kabında paketlenmiştir | |||
Ayrıntılı Diyagram






