Safir Epi katmanlı gofret üzerinde 50,8 mm 2 inç GaN

Kısa Açıklama:

Üçüncü nesil yarı iletken malzeme olan galyum nitrür, yüksek sıcaklık dayanımı, yüksek uyumluluk, yüksek ısı iletkenliği ve geniş bant aralığı gibi avantajlara sahiptir. Farklı altlık malzemelerine göre, galyum nitrür epitaksiyel levhalar dört kategoriye ayrılabilir: galyum nitrür bazlı galyum nitrür, silisyum karbür bazlı galyum nitrür, safir bazlı galyum nitrür ve silisyum bazlı galyum nitrür. Silisyum bazlı galyum nitrür epitaksiyel levha, düşük üretim maliyeti ve gelişmiş üretim teknolojisiyle en yaygın kullanılan üründür.

Bize e-posta gönderin

Özellikler

Galyum nitrür GaN epitaksiyel levhanın uygulanması

Galyum nitrürün performansına dayanarak, galyum nitrür epitaksiyel yongaları esas olarak yüksek güç, yüksek frekans ve düşük voltaj uygulamaları için uygundur.

Bu durum şu şekilde yansır:

1) Yüksek bant aralığı: Yüksek bant aralığı, galyum nitrür cihazlarının voltaj seviyesini iyileştirir ve galyum arsenit cihazlarından daha yüksek güç çıkışı sağlayabilir; bu da özellikle 5G iletişim baz istasyonları, askeri radar ve diğer alanlar için uygundur;

2) Yüksek dönüşüm verimliliği: Galyum nitrür anahtarlama güç elektroniği cihazlarının açık direnci, silikon cihazlara göre 3 kat daha düşüktür, bu da açık anahtarlama kaybını önemli ölçüde azaltabilir;

3) Yüksek ısı iletkenliği: Galyum nitrürün yüksek ısı iletkenliği, yüksek güç, yüksek sıcaklık ve diğer cihaz alanlarının üretimi için uygun olan mükemmel ısı dağılımı performansına sahip olmasını sağlar;

4) Arıza elektrik alan şiddeti: Galyum nitrürün arıza elektrik alan şiddeti silisyum nitrürün şiddetine yakın olmasına rağmen, yarı iletken işlemi, malzeme kafes uyumsuzluğu ve diğer faktörler nedeniyle galyum nitrür cihazlarının voltaj toleransı genellikle yaklaşık 1000 V'dur ve güvenli kullanım voltajı genellikle 650 V'un altındadır.

Öğe	GaN-TCU-C50	GaN-TCN-C50	GaN-TCP-C50
Boyutlar	e 50,8 mm ± 0,1 mm
Kalınlık	4,5±0,5 um		4,5±0,5um
Oryantasyon	C-düzlemi(0001) ±0,5°
İletim Tipi	N tipi (Katkılanmamış)	N tipi (Si katkılı)	P tipi (Mg katkılı)
Direnç(3O0K)	< 0,5 Q・cm	< 0,05 Q・cm	~ 10 Q・cm
Taşıyıcı Konsantrasyonu	< 5x10¹⁷santimetre^-3	> 1x10¹⁸santimetre^-3	> 6x1016 cm^-3
Hareketlilik	~ 300 cm²/Karşı	~ 200 cm²/Karşı	~ 10 cm²/Karşı
Çıkık Yoğunluğu	5x10'dan az⁸santimetre^-2(XRD'nin FWHM'leri ile hesaplanmıştır)
Alt tabaka yapısı	Sapphire üzerinde GaN (Standart: SSP Seçenek: DSP)
Kullanılabilir Yüzey Alanı	> %90
Paket	Sınıf 100 temiz oda ortamında, 25'li kasetler veya tekli gofret kaplarda, azot atmosferinde paketlenmiştir.