Safir Epi katmanlı gofret üzerinde 50,8 mm 2 inç GaN
Galyum nitrür GaN epitaksiyel levhanın uygulanması
Galyum nitrürün performansına dayanarak, galyum nitrür epitaksiyel yongalar esas olarak yüksek güç, yüksek frekans ve düşük voltaj uygulamaları için uygundur.
Bu durum şu şekilde yansır:
1) Yüksek bant aralığı: Yüksek bant aralığı, galyum nitrür cihazlarının voltaj seviyesini iyileştirir ve galyum arsenit cihazlarından daha yüksek güç çıkışı sağlayabilir, bu da özellikle 5G iletişim baz istasyonları, askeri radar ve diğer alanlar için uygundur;
2) Yüksek dönüşüm verimliliği: Galyum nitrür anahtarlama güç elektroniği cihazlarının açık direnci, silikon cihazlara göre 3 kat daha düşüktür, bu da açık anahtarlama kaybını önemli ölçüde azaltabilir;
3) Yüksek ısı iletkenliği: Galyum nitrürün yüksek ısı iletkenliği, yüksek güç, yüksek sıcaklık ve diğer cihaz alanlarının üretimi için uygun olan mükemmel ısı dağılımı performansına sahip olmasını sağlar;
4) Arıza elektrik alan şiddeti: Galyum nitrürün arıza elektrik alan şiddeti silisyum nitrürün şiddetine yakın olmasına rağmen, yarı iletken işlemi, malzeme kafes uyumsuzluğu ve diğer faktörler nedeniyle galyum nitrür aygıtlarının voltaj toleransı genellikle yaklaşık 1000 V'dur ve güvenli kullanım voltajı genellikle 650 V'un altındadır.
| Öğe | GaN-TCU-C50 | GaN-TCN-C50 | GaN-TCP-C50 |
| Boyutlar | e 50,8 mm ± 0,1 mm | ||
| Kalınlık | 4,5±0,5 um | 4,5±0,5um | |
| Oryantasyon | C-düzlemi(0001) ±0,5° | ||
| İletim Tipi | N-tipi (Katkılanmamış) | N-tipi (Si-katkılı) | P tipi (Mg katkılı) |
| Direnç(3O0K) | < 0,5 Q・cm | < 0,05 Q・cm | ~ 10 Q・cm |
| Taşıyıcı Konsantrasyonu | < 5x1017santimetre-3 | > 1x1018santimetre-3 | > 6x1016 cm-3 |
| Hareketlilik | ~300cm2/Karşı | ~ 200 cm2/Karşı | ~ 10cm2/Karşı |
| Çıkık Yoğunluğu | 5x10'dan az8santimetre-2(XRD'nin FWHM'leri ile hesaplanmıştır) | ||
| Alt tabaka yapısı | Sapphire Üzerindeki GaN (Standart: SSP Seçenek: DSP) | ||
| Kullanılabilir Yüzey Alanı | > %90 | ||
| Paket | Sınıf 100 temiz oda ortamında, 25'li kasetler veya tekli gofret kaplarında, azot atmosferinde paketlenmiştir. | ||
* Diğer kalınlıklar özelleştirilebilir
Ayrıntılı Diyagram
