4H-N 8 inç SiC alt tabaka gofreti Silisyum Karbür Sahte Araştırma sınıfı 500um kalınlık

Kısa Açıklama:

Silisyum karbür gofretler, güç diyotları, MOSFET'ler, yüksek güçlü mikrodalga cihazları ve RF transistörleri gibi elektronik cihazlarda kullanılır ve verimli enerji dönüşümü ve güç yönetimi sağlar. SiC gofretler ve alt tabakalar ayrıca otomotiv elektroniği, havacılık sistemleri ve yenilenebilir enerji teknolojilerinde de kullanım alanı bulur.


Özellikler

Silisyum Karbür Gofretler ve SiC Alt Tabakalar Nasıl Seçilir?

Silisyum karbür (SiC) yongaları ve alt tabakaları seçerken göz önünde bulundurulması gereken birkaç faktör vardır. İşte bazı önemli kriterler:

Malzeme Türü: Uygulamanıza uygun SiC malzeme türünü belirleyin (örneğin 4H-SiC veya 6H-SiC). En yaygın kullanılan kristal yapı 4H-SiC'dir.

Katkılama Türü: Katkılı mı yoksa katkısız bir SiC alt tabakasına mı ihtiyacınız olduğuna karar verin. Yaygın katkılama türleri, özel gereksinimlerinize bağlı olarak N tipi (n-katkılı) veya P tipi (p-katkılı) olabilir.

Kristal Kalitesi: SiC yonga plakalarının veya alt tabakalarının kristal kalitesini değerlendirin. İstenilen kalite, kusur sayısı, kristalografik yönelim ve yüzey pürüzlülüğü gibi parametrelerle belirlenir.

Gofret Çapı: Uygulamanıza göre uygun gofret boyutunu seçin. Yaygın boyutlar 2 inç, 3 inç, 4 inç ve 6 inçtir. Çap ne kadar büyükse, gofret başına o kadar fazla verim elde edebilirsiniz.

Kalınlık: SiC yonga plakalarının veya alt tabakalarının istenen kalınlığını göz önünde bulundurun. Tipik kalınlık seçenekleri birkaç mikrometreden birkaç yüz mikrometreye kadar değişir.

Yönlendirme: Uygulamanızın gereksinimlerine uygun kristalografik yönlendirmeyi belirleyin. Yaygın yönlendirmeler arasında 4H-SiC için (0001) ve 6H-SiC için (0001) veya (0001̅) bulunur.

Yüzey Kaplaması: SiC yonga plakalarının veya alt tabakaların yüzey kaplamasını değerlendirin. Yüzey pürüzsüz, cilalı ve çizik veya kirleticilerden arındırılmış olmalıdır.

Tedarikçi İtibarı: Yüksek kaliteli SiC gofret ve alt tabaka üretiminde kapsamlı deneyime sahip saygın bir tedarikçi seçin. Üretim olanakları, kalite kontrol ve müşteri yorumları gibi faktörleri göz önünde bulundurun.

Maliyet: Plaka veya alt tabaka başına fiyat ve ek özelleştirme masrafları dahil olmak üzere maliyet etkilerini göz önünde bulundurun.

Seçilen SiC gofretlerin ve alt tabakaların özel uygulama gereksinimlerinizi karşıladığından emin olmak için bu faktörleri dikkatlice değerlendirmek ve sektör uzmanları veya tedarikçilerle görüşmek önemlidir.

Ayrıntılı Diyagram

4H-N 8 inç SiC alt tabaka gofreti Silisyum Karbür Sahte Araştırma sınıfı 500um kalınlık (1)
4H-N 8 inç SiC alt tabaka gofreti Silisyum Karbür Sahte Araştırma sınıfı 500um kalınlık (2)
4H-N 8 inç SiC alt tabaka gofreti Silisyum Karbür Sahte Araştırma sınıfı 500um kalınlık (3)
4H-N 8 inç SiC alt tabaka gofreti Silisyum Karbür Sahte Araştırma sınıfı 500um kalınlık (4)

  • Öncesi:
  • Sonraki:

  • Mesajınızı buraya yazın ve bize gönderin