4 inç Safir Wafer C-Plane SSP/DSP 0,43 mm 0,65 mm
Uygulamalar
● III-V ve II-VI bileşikleri için büyüme substratı.
● Elektronik ve optoelektronik.
● IR uygulamaları.
● Safir Üzerinde Silikon Entegre Devre (SOS).
● Radyo Frekans Entegre Devre (RFIC).
LED üretiminde safir gofretler, elektrik akımı uygulandığında ışık yayan galyum nitrür (GaN) kristallerinin büyümesi için bir alt tabaka olarak kullanılır. Safir, GaN ile benzer bir kristal yapıya ve termal genleşme katsayısına sahip olması, kusurları en aza indirmesi ve kristal kalitesini iyileştirmesi nedeniyle GaN büyümesi için ideal bir alt tabaka malzemesidir.
Optikte safir levhalar, yüksek şeffaflık ve sertliklerinden dolayı yüksek basınç ve yüksek sıcaklık ortamlarında pencere ve mercek olarak, ayrıca kızılötesi görüntüleme sistemlerinde kullanılır.
Şartname
| Öğe | 4 inç C-düzlemi (0001) 650μm Safir Plakalar | |
| Kristal Malzemeler | %99,999, Yüksek Saflıkta, Monokristalin Al2O3 | |
| Seviye | Prime, Epi-Ready | |
| Yüzey Yönlendirmesi | C-düzlemi(0001) | |
| C düzlemi M eksenine doğru açılı 0,2 +/- 0,1° | ||
| Çap | 100,0 mm +/- 0,1 mm | |
| Kalınlık | 650 μm +/- 25 μm | |
| Birincil Düz Yönlendirme | A-düzlemi(11-20) +/- 0,2° | |
| Birincil Düz Uzunluk | 30,0 mm +/- 1,0 mm | |
| Tek Taraflı Cilalı | Ön Yüzey | Epi-cilalanmış, Ra < 0,2 nm (AFM ile) |
| (SSP) | Arka Yüzey | İnce öğütülmüş, Ra = 0,8 μm ila 1,2 μm |
| Çift Taraflı Cilalı | Ön Yüzey | Epi-cilalanmış, Ra < 0,2 nm (AFM ile) |
| (DSP) | Arka Yüzey | Epi-cilalanmış, Ra < 0,2 nm (AFM ile) |
| TTV | < 20 μm | |
| YAY | < 20 μm | |
| ÇARPIŞMA | < 20 μm | |
| Temizlik / Paketleme | Sınıf 100 temiz oda temizliği ve vakum paketleme, | |
| 25 adet kaset ambalajda veya tek parça ambalajda. | ||
Paketleme ve Gönderim
Genel olarak, paketi 25 adet kaset kutusu ile sağlıyoruz; ayrıca müşterinin ihtiyacına göre 100 dereceli temizleme odası altında tek gofret kabı ile paketleyebiliriz.
Ayrıntılı Diyagram
