4 inç Safir Wafer C-Plane SSP/DSP 0,43 mm 0,65 mm
Uygulamalar
● III-V ve II-VI bileşikleri için büyüme substratı.
● Elektronik ve optoelektronik.
● IR uygulamaları.
● Safir Üzerinde Silikon Entegre Devre (SOS).
● Radyo Frekans Entegre Devre (RFIC).
LED üretiminde safir gofretler, elektrik akımı uygulandığında ışık yayan galyum nitrür (GaN) kristallerinin büyümesi için bir alt tabaka olarak kullanılır. Safir, GaN büyümesi için ideal bir alt tabaka malzemesidir çünkü GaN'ye benzer bir kristal yapıya ve termal genleşme katsayısına sahiptir, bu da kusurları en aza indirir ve kristal kalitesini artırır.
Optikte safir levhalar, yüksek şeffaflık ve sertliklerinden dolayı yüksek basınç ve sıcaklık ortamlarında pencere ve mercek olarak, ayrıca kızılötesi görüntüleme sistemlerinde kullanılır.
Şartname
| Öğe | 4 inç C-düzlem(0001) 650μm Safir Plakalar | |
| Kristal Malzemeler | %99,999, Yüksek Saflıkta, Monokristalin Al2O3 | |
| Seviye | Prime, Epi-Hazır | |
| Yüzey Yönlendirmesi | C-düzlemi(0001) | |
| C düzlemi M eksenine doğru açılı 0,2 +/- 0,1° | ||
| Çap | 100,0 mm +/- 0,1 mm | |
| Kalınlık | 650 μm +/- 25 μm | |
| Birincil Düz Yönlendirme | A-düzlemi(11-20) +/- 0,2° | |
| Birincil Düz Uzunluk | 30,0 mm +/- 1,0 mm | |
| Tek Taraflı Cilalı | Ön Yüzey | Epi-cilalı, Ra < 0,2 nm (AFM ile) |
| (SSP) | Arka Yüzey | İnce öğütülmüş, Ra = 0,8 μm ila 1,2 μm |
| Çift Taraflı Cilalı | Ön Yüzey | Epi-cilalı, Ra < 0,2 nm (AFM ile) |
| (DSP) | Arka Yüzey | Epi-cilalı, Ra < 0,2 nm (AFM ile) |
| Tv | < 20 μm | |
| YAY | < 20 μm | |
| ÇARPIŞTIRMA | < 20 μm | |
| Temizlik / Paketleme | Sınıf 100 temiz oda temizliği ve vakum paketleme, | |
| 1 kaset ambalajda veya tek parça ambalajda 25 adet. | ||
Paketleme ve Kargolama
Genel olarak konuşursak, paketi 25 adet kaset kutusu ile sağlıyoruz; ayrıca müşterinin ihtiyacına göre 100 dereceli temizleme odası altında tek gofret kabı ile paketleyebiliriz.
Ayrıntılı Diyagram
