150 mm 200 mm 6 inç 8 inç GaN, Silikon Epi katmanlı levha Galyum nitrür epitaksiyel levha
Üretim yöntemi
Üretim süreci, metal-organik kimyasal buhar biriktirme (MOCVD) veya moleküler ışın epitaksi (MBE) gibi ileri teknikler kullanılarak safir bir substrat üzerinde GaN katmanlarının büyütülmesini içerir. Biriktirme işlemi, yüksek kristal kalitesi ve tekdüze film sağlamak için kontrollü koşullar altında gerçekleştirilir.
6 inçlik Safir Üzerinde GaN uygulamaları: 6 inçlik safir alt tabaka çipleri, mikrodalga iletişiminde, radar sistemlerinde, kablosuz teknolojide ve optoelektronikte yaygın olarak kullanılmaktadır.
Bazı yaygın uygulamalar şunları içerir:
1. RF güç amplifikatörü
2. LED aydınlatma endüstrisi
3. Kablosuz ağ iletişim ekipmanı
4. Yüksek sıcaklık ortamındaki elektronik cihazlar
5. Optoelektronik cihazlar
Ürün özellikleri
- Boyut: Alt tabaka çapı 6 inçtir (yaklaşık 150 mm).
- Yüzey kalitesi: Mükemmel ayna kalitesi sağlamak için yüzey ince bir şekilde parlatılmıştır.
- Kalınlık: GaN katmanının kalınlığı özel gereksinimlere göre özelleştirilebilir.
- Paketleme: Taşıma sırasında hasar görmesini önlemek için alt tabaka antistatik malzemelerle dikkatlice paketlenir.
- Konumlandırma kenarları: Alt tabaka, cihazın hazırlanması sırasında hizalamayı ve çalışmayı kolaylaştıran özel konumlandırma kenarlarına sahiptir.
- Diğer parametreler: İncelik, direnç ve katkı konsantrasyonu gibi spesifik parametreler müşteri gereksinimlerine göre ayarlanabilir.
Üstün malzeme özellikleri ve çeşitli uygulamalarıyla 6 inçlik safir alt tabaka plakaları, çeşitli endüstrilerde yüksek performanslı yarı iletken cihazların geliştirilmesi için güvenilir bir seçimdir.
| Yüzey | 6” 1mm <111> p-tipi Si | 6” 1mm <111> p-tipi Si |
| Epi KalınOrtalama | ~5um | ~7um |
| Epi KalınUnif | <%2 | <%2 |
| Yay | +/-45um | +/-45um |
| Çatlama | <5 mm | <5 mm |
| Dikey BV | >1000V | >1400V |
| HEMT Al% | %25-35 | %25-35 |
| HEMT KalınOrtalama | 20-30 nm | 20-30 nm |
| Insitu SiN Kapağı | 5-60nm | 5-60nm |
| 2DEG kons. | ~1013cm-2 | ~1013cm-2 |
| Hareketlilik | ~2000cm2/Vs (<%2) | ~2000cm2/Vs (<%2) |
| Rş | <330ohm/metrekare (<%2) | <330ohm/metrekare (<%2) |
Detaylı Diyagram
