Şu anda firmamız 8 inçN tipi SiC levhalardan oluşan küçük partileri tedarik etmeye devam edebilir, numune ihtiyaçlarınız varsa lütfen benimle iletişime geçmekten çekinmeyin.Gönderilmeye hazır bazı örnek gofretlerimiz var.
Yarı iletken malzemeler alanında şirket, büyük boyutlu SiC kristallerinin araştırılması ve geliştirilmesinde büyük bir atılım gerçekleştirdi.Şirket, birden fazla çap büyütme turundan sonra kendi tohum kristallerini kullanarak, büyüme sürecinde düzensiz sıcaklık alanı, kristal çatlaması ve gaz fazı hammadde dağılımı gibi zor sorunları çözen 8 inçlik N-tipi SiC kristallerini başarıyla büyüttü. 8 inçlik SIC kristalleri ve büyük boyutlu SIC kristallerinin büyümesini ve otonom ve kontrol edilebilir işleme teknolojisini hızlandırır.Şirketin SiC tek kristal substrat endüstrisindeki temel rekabet gücünü büyük ölçüde artırır.Aynı zamanda şirket, büyük boyutlu silisyum karbür substrat hazırlama deney hattının teknoloji birikimini ve sürecini aktif olarak teşvik ediyor, yukarı ve aşağı alanlarda teknik alışverişi ve endüstriyel işbirliğini güçlendiriyor ve ürün performansını sürekli olarak yinelemek için müşterilerle işbirliği yapıyor ve ortaklaşa çalışıyor silisyum karbür malzemelerin endüstriyel uygulama hızını arttırır.
| 8 inç N-tipi SiC DSP Özellikleri | |||||
| Sayı | Öğe | Birim | Üretme | Araştırma | kukla |
| 1. Parametreler | |||||
| 1.1 | çoktipli | -- | 4H | 4H | 4H |
| 1.2 | yüzey yönelimi | ° | <11-20>4±0,5 | <11-20>4±0,5 | <11-20>4±0,5 |
| 2. Elektrik parametresi | |||||
| 2.1 | katkı maddesi | -- | n-tipi Azot | n-tipi Azot | n-tipi Azot |
| 2.2 | direnç | ohm ·cm | 0,015~0,025 | 0,01~0,03 | NA |
| 3. Mekanik parametre | |||||
| 3.1 | çap | mm | 200±0,2 | 200±0,2 | 200±0,2 |
| 3.2 | kalınlık | μm | 500±25 | 500±25 | 500±25 |
| 3.3 | Çentik yönü | ° | [1- 100]±5 | [1- 100]±5 | [1- 100]±5 |
| 3.4 | Çentik Derinliği | mm | 1~1,5 | 1~1,5 | 1~1,5 |
| 3.5 | YBD | μm | ≤5(10mm*10mm) | ≤5(10mm*10mm) | ≤10(10mm*10mm) |
| 3.6 | TTV | μm | ≤10 | ≤10 | ≤15 |
| 3.7 | Yay | μm | -25~25 | -45~45 | -65~65 |
| 3.8 | Çözgü | μm | ≤30 | ≤50 | ≤70 |
| 3.9 | AFM | nm | Ra≤0,2 | Ra≤0,2 | Ra≤0,2 |
| 4. Yapı | |||||
| 4.1 | mikropipe yoğunluğu | adet/cm2 | ≤2 | ≤10 | ≤50 |
| 4.2 | metal içeriği | atom/cm2 | ≤1E11 | ≤1E11 | NA |
| 4.3 | TSD | adet/cm2 | ≤500 | ≤1000 | NA |
| 4.4 | BPD | adet/cm2 | ≤2000 | ≤5000 | NA |
| 4.5 | TED | adet/cm2 | ≤7000 | ≤10000 | NA |
| 5. Olumlu kalite | |||||
| 5.1 | ön | -- | Si | Si | Si |
| 5.2 | yüzey | -- | Si-yüzlü CMP | Si-yüzlü CMP | Si-yüzlü CMP |
| 5.3 | parçacık | adet/gofret | ≤100(boyut≥0,3μm) | NA | NA |
| 5.4 | çizik | adet/gofret | ≤5,Toplam Uzunluk≤200mm | NA | NA |
| 5.5 | Kenar talaşlar/girintiler/çatlaklar/lekeler/kirlilik | -- | Hiçbiri | Hiçbiri | NA |
| 5.6 | Çok tipli alanlar | -- | Hiçbiri | Alan ≤%10 | Alan ≤30% |
| 5.7 | ön işaretleme | -- | Hiçbiri | Hiçbiri | Hiçbiri |
| 6. Arka kalite | |||||
| 6.1 | arka kaplama | -- | C yüzlü MP | C yüzlü MP | C yüzlü MP |
| 6.2 | çizik | mm | NA | NA | NA |
| 6.3 | Arka kusurlar kenarı çipler/girintiler | -- | Hiçbiri | Hiçbiri | NA |
| 6.4 | Sırt pürüzlülüğü | nm | Ra≤5 | Ra≤5 | Ra≤5 |
| 6.5 | Geri işaretleme | -- | Çentik | Çentik | Çentik |
| 7. Kenar | |||||
| 7.1 | kenar | -- | Pah | Pah | Pah |
| 8. Paket | |||||
| 8.1 | ambalajlama | -- | Vakumlu epi hazır ambalajlama | Vakumlu epi hazır ambalajlama | Vakumlu epi hazır ambalajlama |
| 8.2 | ambalajlama | -- | Çoklu gofret kaset paketleme | Çoklu gofret kaset paketleme | Çoklu gofret kaset paketleme |
Gönderim zamanı: Nis-18-2023