Şirketimiz şu anda küçük partiler halinde 8 inç N tipi SiC gofret tedarik etmeye devam edebilir. Numune ihtiyacınız varsa lütfen benimle iletişime geçmekten çekinmeyin. Sevkiyata hazır bazı numune gofretlerimiz mevcuttur.
Yarı iletken malzemeler alanında şirket, büyük boyutlu SiC kristallerinin araştırma ve geliştirmesinde büyük bir atılım gerçekleştirmiştir. Şirket, birden fazla çap genişletme turundan sonra kendi tohum kristallerini kullanarak, 8 inçlik N tipi SiC kristallerini başarıyla büyütmüş ve bu sayede 8 inçlik SIC kristallerinin büyüme sürecinde eşit olmayan sıcaklık alanı, kristal çatlaması ve gaz fazı hammadde dağılımı gibi zorlu sorunları çözmüş ve büyük boyutlu SIC kristallerinin büyümesini ve otonom ve kontrol edilebilir işleme teknolojisini hızlandırmıştır. Bu, şirketin SiC tek kristal alt tabaka endüstrisindeki temel rekabet gücünü büyük ölçüde artırmıştır. Aynı zamanda şirket, büyük boyutlu silisyum karbür alt tabaka hazırlama deney hattının teknoloji ve süreçlerinin birikimini aktif olarak teşvik etmekte, yukarı ve aşağı akış alanlarındaki teknik alışverişi ve endüstriyel iş birliğini güçlendirmekte, ürün performansını sürekli olarak yinelemek için müşterilerle iş birliği yapmakta ve silisyum karbür malzemelerin endüstriyel uygulama hızını ortaklaşa artırmaktadır.
| 8 inç N tipi SiC DSP Özellikleri | |||||
| Sayı | Öğe | Birim | Üretme | Araştırma | Kukla |
| 1. Parametreler | |||||
| 1.1 | politip | -- | 4H | 4H | 4H |
| 1.2 | yüzey yönelimi | ° | <11-20>4±0,5 | <11-20>4±0,5 | <11-20>4±0,5 |
| 2. Elektriksel parametre | |||||
| 2.1 | katkı maddesi | -- | n tipi Azot | n tipi Azot | n tipi Azot |
| 2.2 | özdirenç | ohm ·cm | 0,015~0,025 | 0,01~0,03 | NA |
| 3. Mekanik parametre | |||||
| 3.1 | çap | mm | 200±0,2 | 200±0,2 | 200±0,2 |
| 3.2 | kalınlık | mikron | 500±25 | 500±25 | 500±25 |
| 3.3 | Çentik yönü | ° | [1- 100]±5 | [1- 100]±5 | [1- 100]±5 |
| 3.4 | Çentik Derinliği | mm | 1~1,5 | 1~1,5 | 1~1,5 |
| 3.5 | Ömür boyu değer | mikron | ≤5(10mm*10mm) | ≤5(10mm*10mm) | ≤10(10mm*10mm) |
| 3.6 | TTV | mikron | ≤10 | ≤10 | ≤15 |
| 3.7 | Yay | mikron | -25~25 | -45~45 | -65~65 |
| 3.8 | Çarpıtma | mikron | ≤30 | ≤50 | ≤70 |
| 3.9 | AFM | nm | Ra≤0.2 | Ra≤0.2 | Ra≤0.2 |
| 4. Yapı | |||||
| 4.1 | mikro boru yoğunluğu | ea/cm2 | ≤2 | ≤10 | ≤50 |
| 4.2 | metal içeriği | atomlar/cm2 | ≤1E11 | ≤1E11 | NA |
| 4.3 | TSD | ea/cm2 | ≤500 | ≤1000 | NA |
| 4.4 | Sınırda Kişilik Bozukluğu | ea/cm2 | ≤2000 | ≤5000 | NA |
| 4.5 | TED | ea/cm2 | ≤7000 | ≤10000 | NA |
| 5. Olumlu kalite | |||||
| 5.1 | ön | -- | Si | Si | Si |
| 5.2 | yüzey kalitesi | -- | Si-face CMP | Si-face CMP | Si-face CMP |
| 5.3 | parçacık | ea/gofret | ≤100(boyut≥0,3μm) | NA | NA |
| 5.4 | çizik | ea/gofret | ≤5,Toplam Uzunluk≤200mm | NA | NA |
| 5.5 | Kenar çentikler/girintiler/çatlaklar/lekeler/kirlenme | -- | Hiçbiri | Hiçbiri | NA |
| 5.6 | Politip alanları | -- | Hiçbiri | Alan ≤%10 | Alan ≤%30 |
| 5.7 | ön işaretleme | -- | Hiçbiri | Hiçbiri | Hiçbiri |
| 6. Sırt kalitesi | |||||
| 6.1 | arka bitiş | -- | C-yüzlü milletvekili | C-yüzlü milletvekili | C-yüzlü milletvekili |
| 6.2 | çizik | mm | NA | NA | NA |
| 6.3 | Arka kusurlar kenarı çipler/girintiler | -- | Hiçbiri | Hiçbiri | NA |
| 6.4 | Sırt pürüzlülüğü | nm | Ra≤5 | Ra≤5 | Ra≤5 |
| 6.5 | Arka işaretleme | -- | Çentik | Çentik | Çentik |
| 7. Kenar | |||||
| 7.1 | kenar | -- | Pah kırma | Pah kırma | Pah kırma |
| 8. Paket | |||||
| 8.1 | ambalajlama | -- | Vakumlu epi-hazır ambalajlama | Vakumlu epi-hazır ambalajlama | Vakumlu epi-hazır ambalajlama |
| 8.2 | ambalajlama | -- | Çoklu gofret kaset ambalajı | Çoklu gofret kaset ambalajı | Çoklu gofret kaset ambalajı |
Gönderim zamanı: 18 Nis 2023