Şu anda, firmamız 8 inçN tipi SiC gofretlerin küçük partilerini tedarik etmeye devam edebilir, numune ihtiyaçlarınız varsa lütfen benimle iletişime geçmekten çekinmeyin. Göndermeye hazır bazı numune gofretlerimiz var.
Yarı iletken malzemeler alanında, şirket büyük boyutlu SiC kristallerinin araştırma ve geliştirmesinde büyük bir atılım yapmıştır. Şirket, birden fazla çap büyütme turundan sonra kendi tohum kristallerini kullanarak, 8 inçlik N tipi SiC kristallerini başarıyla büyütmüş, bu da 8 inçlik SIC kristallerinin büyüme sürecinde düzensiz sıcaklık alanı, kristal çatlaması ve gaz fazı hammadde dağılımı gibi zor sorunları çözmüş ve büyük boyutlu SIC kristallerinin büyümesini ve otonom ve kontrol edilebilir işleme teknolojisini hızlandırmıştır. Şirketin SiC tek kristal alt tabaka endüstrisindeki temel rekabet gücünü büyük ölçüde artırır. Aynı zamanda, şirket büyük boyutlu silisyum karbür alt tabaka hazırlama deneysel hattının teknolojisinin ve sürecinin birikimini aktif olarak teşvik eder, yukarı ve aşağı akış alanlarında teknik değişimi ve endüstriyel iş birliğini güçlendirir ve ürün performansını sürekli olarak yinelemek için müşterilerle iş birliği yapar ve silisyum karbür malzemelerin endüstriyel uygulama hızını ortaklaşa teşvik eder.
| 8 inç N tipi SiC DSP Özellikleri | |||||
| Sayı | Öğe | Birim | Üretme | Araştırma | Aptal |
| 1. Parametreler | |||||
| 1.1 | politip | -- | 4H | 4H | 4H |
| 1.2 | yüzey yönelimi | ° | <11-20>4±0,5 | <11-20>4±0,5 | <11-20>4±0,5 |
| 2. Elektriksel parametre | |||||
| 2.1 | katkı maddesi | -- | n-tipi Azot | n-tipi Azot | n-tipi Azot |
| 2.2 | özdirenç | ohm ·cm | 0,015~0,025 | 0,01~0,03 | NA |
| 3. Mekanik parametre | |||||
| 3.1 | çap | mm | 200±0,2 | 200±0,2 | 200±0,2 |
| 3.2 | kalınlık | mikron | 500±25 | 500±25 | 500±25 |
| 3.3 | Çentik yönelimi | ° | [1- 100]±5 | [1- 100]±5 | [1- 100]±5 |
| 3.4 | Çentik Derinliği | mm | 1~1,5 | 1~1,5 | 1~1,5 |
| 3.5 | Ömür boyu fayda | mikron | ≤5(10mm*10mm) | ≤5(10mm*10mm) | ≤10(10mm*10mm) |
| 3.6 | Tv | mikron | ≤10 | ≤10 | ≤15 |
| 3.7 | Yay | mikron | -25~25 | -45~45 | -65~65 |
| 3.8 | Çarpıtma | mikron | ≤30 | ≤50 | ≤70 |
| 3.9 | AKM | nm | Ra≤0.2 | Ra≤0.2 | Ra≤0.2 |
| 4. Yapı | |||||
| 4.1 | mikro boru yoğunluğu | adet/cm2 | ≤2 | ≤10 | ≤50 |
| 4.2 | metal içeriği | atomlar/cm2 | ≤1E11 | ≤1E11 | NA |
| 4.3 | TSD | adet/cm2 | ≤500 | ≤1000 | NA |
| 4.4 | Sınırda Kişilik Bozukluğu | adet/cm2 | ≤2000 | ≤5000 | NA |
| 4.5 | TED | adet/cm2 | ≤7000 | ≤10000 | NA |
| 5. Olumlu kalite | |||||
| 5.1 | ön | -- | Si | Si | Si |
| 5.2 | yüzey bitirme | -- | Si-yüz CMP | Si-yüz CMP | Si-yüz CMP |
| 5.3 | parçacık | ea/gofret | ≤100(boyut≥0,3μm) | NA | NA |
| 5.4 | çizik | ea/gofret | ≤5,Toplam Uzunluk≤200mm | NA | NA |
| 5.5 | Kenar çentikler/girintiler/çatlaklar/lekeler/kirlenme | -- | Hiçbiri | Hiçbiri | NA |
| 5.6 | Politip alanları | -- | Hiçbiri | Alan ≤%10 | Alan ≤%30 |
| 5.7 | ön işaretleme | -- | Hiçbiri | Hiçbiri | Hiçbiri |
| 6. Sırt kalitesi | |||||
| 6.1 | arka bitiş | -- | C-yüzlü milletvekili | C-yüzlü milletvekili | C-yüzlü milletvekili |
| 6.2 | çizik | mm | NA | NA | NA |
| 6.3 | Arka kusurlar kenar cipsler/girintiler | -- | Hiçbiri | Hiçbiri | NA |
| 6.4 | Sırt pürüzlülüğü | nm | Ra≤5 | Ra≤5 | Ra≤5 |
| 6.5 | Geri işaretleme | -- | Çentik | Çentik | Çentik |
| 7. Kenar | |||||
| 7.1 | kenar | -- | Pah kırma | Pah kırma | Pah kırma |
| 8. Paket | |||||
| 8.1 | ambalajlama | -- | Vakumlu Epi-hazır ambalajlama | Vakumlu Epi-hazır ambalajlama | Vakumlu Epi-hazır ambalajlama |
| 8.2 | ambalajlama | -- | Çoklu gofret kaset ambalajı | Çoklu gofret kaset ambalajı | Çoklu gofret kaset ambalajı |
Gönderi zamanı: 18-Nis-2023