Yarı iletken endüstrisinin hızla gelişen gelişim sürecinde, cilalı tek kristalsilikon gofretlerÇok önemli bir rol oynarlar. Çeşitli mikroelektronik cihazların üretimi için temel malzeme görevi görürler. Karmaşık ve hassas entegre devrelerden yüksek hızlı mikroişlemcilere ve çok işlevli sensörlere kadar, cilalı tek kristalsilikon gofretlerPerformans ve teknik özelliklerindeki farklılıklar, nihai ürünlerin kalitesini ve performansını doğrudan etkiler. Cilalı tek kristal silikon gofretlerin genel teknik özellikleri ve parametreleri aşağıdadır:

Çap: Yarı iletken tek kristal silisyum gofretlerin boyutu çaplarıyla ölçülür ve çeşitli özelliklerde gelirler. Yaygın çaplar arasında 2 inç (50,8 mm), 3 inç (76,2 mm), 4 inç (100 mm), 5 inç (125 mm), 6 inç (150 mm), 8 inç (200 mm), 12 inç (300 mm) ve 18 inç (450 mm) bulunur. Farklı çaplar çeşitli üretim ihtiyaçları ve süreç gereksinimleri için uygundur. Örneğin, daha küçük çaplı gofretler genellikle özel, küçük hacimli mikroelektronik cihazlar için kullanılırken, daha büyük çaplı gofretler büyük ölçekli entegre devre üretiminde daha yüksek üretim verimliliği ve maliyet avantajları gösterir. Yüzey gereksinimleri tek taraflı cilalı (SSP) ve çift taraflı cilalı (DSP) olarak kategorize edilir. Tek taraflı cilalı gofretler, belirli sensörler gibi bir tarafında yüksek düzlük gerektiren cihazlar için kullanılır. Çift taraflı cilalı gofretler, genellikle entegre devreler ve her iki yüzeyinde de yüksek hassasiyet gerektiren diğer ürünler için kullanılır. Yüzey Gereksinimi (Bitiş): Tek taraflı cilalı SSP / Çift taraflı cilalı DSP.

Tip/Katkı Maddesi: (1) N-tipi Yarıiletken: İçsel yarıiletkene belirli safsızlık atomları eklendiğinde, iletkenliği değişir. Örneğin, azot (N), fosfor (P), arsenik (As) veya antimon (Sb) gibi beş değerlikli elementler eklendiğinde, değerlik elektronları çevredeki silikon atomlarının değerlik elektronlarıyla kovalent bağlar oluşturur ve kovalent bağla bağlanmamış fazladan bir elektron bırakır. Bu, boşluk konsantrasyonundan daha büyük bir elektron konsantrasyonuyla sonuçlanarak, elektron tipi yarıiletken olarak da bilinen N-tipi bir yarıiletken oluşturur. N-tipi yarıiletkenler, bazı güç aygıtları gibi ana yük taşıyıcıları olarak elektron gerektiren aygıtların üretiminde kritik öneme sahiptir. (2) P Tipi Yarı İletken: Bor (B), galyum (Ga) veya indiyum (In) gibi üç değerlikli safsızlık elementleri silisyum yarı iletkene eklendiğinde, safsızlık atomlarının değerlik elektronları çevredeki silisyum atomlarıyla kovalent bağlar oluşturur, ancak en az bir değerlik elektronundan yoksun oldukları için tam bir kovalent bağ oluşturamazlar. Bu durum, elektron konsantrasyonundan daha büyük bir boşluk konsantrasyonuna yol açarak, delik tipi yarı iletken olarak da bilinen P tipi bir yarı iletken oluşturur. P tipi yarı iletkenler, diyotlar ve bazı transistörler gibi boşlukların ana yük taşıyıcısı olarak görev yaptığı cihazların üretiminde önemli bir rol oynar.

Özdirenç: Özdirenç, cilalı tek kristal silisyum yongaların elektriksel iletkenliğini ölçen önemli bir fiziksel niceliktir. Değeri, malzemenin iletkenlik performansını yansıtır. Özdirenç ne kadar düşükse, silisyum yonganın iletkenliği o kadar iyidir; tersine, özdirenç ne kadar yüksekse, iletkenlik o kadar zayıftır. Silisyum yongaların özdirenci, doğal malzeme özellikleri tarafından belirlenir ve sıcaklığın da önemli bir etkisi vardır. Genellikle, silisyum yongaların özdirenci sıcaklıkla artar. Pratik uygulamalarda, farklı mikroelektronik cihazların silisyum yongalar için farklı özdirenç gereksinimleri vardır. Örneğin, entegre devre üretiminde kullanılan yongalar, kararlı ve güvenilir cihaz performansı sağlamak için özdirencin hassas bir şekilde kontrol edilmesini gerektirir.

Oryantasyon: Gofretin kristal oryantasyonu, silikon kafesin kristalografik yönünü temsil eder ve genellikle (100), (110), (111) vb. Miller indeksleri ile belirlenir. Farklı kristal oryantasyonlarının, oryantasyona bağlı olarak değişen çizgi yoğunluğu gibi farklı fiziksel özellikleri vardır. Bu fark, gofretin sonraki işlem adımlarındaki performansını ve mikroelektronik cihazların nihai performansını etkileyebilir. Üretim sürecinde, farklı cihaz gereksinimleri için uygun oryantasyona sahip bir silikon gofret seçmek, cihaz performansını optimize edebilir, üretim verimliliğini artırabilir ve ürün kalitesini artırabilir.

Düz/Çentik: Silikon gofretin çevresindeki düz kenar (Flat) veya V çentik (Çentik), kristal yönelim hizalamasında kritik bir rol oynar ve gofretin üretim ve işlenmesinde önemli bir belirleyicidir. Farklı çaplardaki gofretlerin Düz veya Çentik uzunluğu için farklı standartlar geçerlidir. Hizalama kenarları, birincil düz ve ikincil düz olarak sınıflandırılır. Birincil düz, esas olarak gofretin temel kristal yönelimini ve işleme referansını belirlemek için kullanılırken, ikincil düz, gofretin üretim hattı boyunca doğru çalışmasını ve tutarlılığını sağlayarak hassas hizalama ve işlemeye yardımcı olur.

Kalınlık: Bir yonga plakasının kalınlığı genellikle mikrometre (µm) cinsinden belirtilir ve yaygın kalınlık aralıkları 100µm ile 1000µm arasındadır. Farklı kalınlıklardaki yonga plakaları, farklı mikroelektronik cihaz türleri için uygundur. Daha ince yonga plakaları (örneğin, 100µm - 300µm), sıkı kalınlık kontrolü gerektiren çip üretiminde sıklıkla kullanılır. Bu sayede yonga boyutu ve ağırlığı azaltılır ve entegrasyon yoğunluğu artırılır. Daha kalın yonga plakaları (örneğin, 500µm - 1000µm), çalışma sırasında kararlılığı sağlamak için güç yarı iletken cihazları gibi daha yüksek mekanik mukavemet gerektiren cihazlarda yaygın olarak kullanılır.

Yüzey Pürüzlülüğü: Yüzey pürüzlülüğü, yonga plakası kalitesinin değerlendirilmesinde temel parametrelerden biridir ve yonga plakası ile daha sonra biriktirilen ince film malzemeleri arasındaki yapışmayı ve cihazın elektriksel performansını doğrudan etkiler. Genellikle ortalama karekök (RMS) pürüzlülüğü (nm cinsinden) olarak ifade edilir. Daha düşük yüzey pürüzlülüğü, yonga plakası yüzeyinin daha pürüzsüz olduğu anlamına gelir ve bu da elektron saçılması gibi olayları azaltmaya yardımcı olur ve cihaz performansını ve güvenilirliğini artırır. Gelişmiş yarı iletken üretim süreçlerinde, özellikle yüzey pürüzlülüğünün birkaç nanometre veya daha düşük değerlerde kontrol edilmesi gereken üst düzey entegre devre üretimi için, yüzey pürüzlülüğü gereklilikleri giderek daha katı hale gelmektedir.

Toplam Kalınlık Değişimi (TTV): Toplam kalınlık değişimi, yonga yüzeyinde birden fazla noktada ölçülen maksimum ve minimum kalınlıklar arasındaki farkı ifade eder ve genellikle μm cinsinden ifade edilir. Yüksek bir TTV, fotolitografi ve aşındırma gibi işlemlerde sapmalara yol açarak cihaz performans tutarlılığını ve verimini etkileyebilir. Bu nedenle, yonga üretimi sırasında TTV'yi kontrol etmek, ürün kalitesini sağlamada önemli bir adımdır. Yüksek hassasiyetli mikroelektronik cihaz üretimi için TTV'nin genellikle birkaç mikrometre içinde olması gerekir.

Yay: Yay, genellikle μm cinsinden ölçülen, gofret yüzeyi ile ideal düz yüzey arasındaki sapmayı ifade eder. Aşırı yaylanma gösteren gofretler, sonraki işlemler sırasında kırılabilir veya dengesiz gerilime maruz kalabilir, bu da üretim verimliliğini ve ürün kalitesini etkiler. Özellikle fotolitografi gibi yüksek düzlük gerektiren işlemlerde, fotolitografik desenin doğruluğunu ve tutarlılığını sağlamak için yaylanmanın belirli bir aralıkta kontrol edilmesi gerekir.

Eğrilme: Eğrilme, yonga plakası yüzeyi ile ideal küresel şekil arasındaki sapmayı ifade eder ve yine μm cinsinden ölçülür. Yay gibi, eğrilme de yonga plakasının düzlüğünün önemli bir göstergesidir. Aşırı eğrilme, yonga plakasının işleme ekipmanına yerleştirilme doğruluğunu etkilemekle kalmaz, aynı zamanda yonga paketleme işlemi sırasında yonga ile paketleme malzemesi arasındaki zayıf bağlanma gibi sorunlara da yol açabilir ve bu da cihazın güvenilirliğini etkiler. Üst düzey yarı iletken üretiminde, gelişmiş yonga üretim ve paketleme süreçlerinin gereksinimlerini karşılamak için eğrilme gereklilikleri giderek daha katı hale gelmektedir.

Kenar Profili: Bir gofretin kenar profili, sonraki işleme ve elleçleme işlemleri için kritik öneme sahiptir. Genellikle, gofret kenarından işlemeye izin verilmeyen mesafeyi tanımlayan Kenar Hariç Tutma Bölgesi (EEZ) ile belirlenir. Doğru tasarlanmış bir kenar profili ve hassas EEZ kontrolü, işleme sırasında kenar kusurlarını, gerilim yoğunlaşmalarını ve diğer sorunları önlemeye yardımcı olarak gofretin genel kalitesini ve verimini artırır. Bazı gelişmiş üretim süreçlerinde, kenar profili hassasiyetinin mikron altı seviyesinde olması gerekir.

Parçacık Sayısı: Gofret yüzeyindeki parçacıkların sayısı ve boyut dağılımı, mikroelektronik cihazların performansını önemli ölçüde etkiler. Aşırı veya büyük parçacıklar, kısa devre veya sızıntı gibi cihaz arızalarına yol açarak ürün verimini düşürebilir. Bu nedenle, parçacık sayısı genellikle birim alandaki parçacıkların sayılmasıyla, örneğin 0,3 μm'den büyük parçacıkların sayısıyla ölçülür. Gofret üretimi sırasında parçacık sayısının sıkı bir şekilde kontrol edilmesi, ürün kalitesinin sağlanması için önemli bir önlemdir. Gofret yüzeyindeki parçacık kontaminasyonunu en aza indirmek için gelişmiş temizlik teknolojileri ve temiz bir üretim ortamı kullanılır.

İlgili üretim

Tek Kristal Silisyum Plaka Si Alt Tabaka Tipi N/P İsteğe Bağlı Silisyum Karbür Plaka

Stokta FZ CZ Si gofret 12 inç Silikon gofret Prime veya Test