Haberler

  • Kristal düzlemleri ile kristal yönelimi arasındaki ilişki.

    Kristal düzlemleri ile kristal yönelimi arasındaki ilişki.

    Kristal düzlemler ve kristal yönelimi, kristalografide silikon tabanlı entegre devre teknolojisindeki kristal yapısıyla yakından ilişkili iki temel kavramdır. 1. Kristal Yönlendirmesinin Tanımı ve Özellikleri Kristal yönelimi, belirli bir yönü temsil eder...
    Devamını oku
  • Through Glass Via (TGV) ve Through Silicon Via, TSV (TSV) proseslerinin TGV proseslerine göre avantajları nelerdir?

    Through Glass Via (TGV) ve Through Silicon Via, TSV (TSV) proseslerinin TGV proseslerine göre avantajları nelerdir?

    Camdan Geçerek Geçiş (TGV) ve Silikondan Geçerek Geçiş (TSV) işlemlerinin TGV'ye göre başlıca avantajları şunlardır: (1) mükemmel yüksek frekanslı elektriksel özellikler. Cam malzeme bir yalıtkan malzemedir, dielektrik sabiti silikon malzemenin yalnızca yaklaşık 1/3'ü kadardır ve kayıp faktörü 2-...
    Devamını oku
  • İletken ve yarı yalıtımlı silisyum karbür alt tabaka uygulamaları

    İletken ve yarı yalıtımlı silisyum karbür alt tabaka uygulamaları

    Silisyum karbür alt tabaka, yarı yalıtkan tip ve iletken tip olmak üzere ikiye ayrılır. Şu anda, yarı yalıtımlı silisyum karbür alt tabaka ürünlerinin yaygın spesifikasyonu 4 inçtir. İletken silisyum karbür ma...
    Devamını oku
  • Safir gofretlerin farklı kristal yönelimlerine göre uygulanmasında da farklılıklar var mıdır?

    Safir gofretlerin farklı kristal yönelimlerine göre uygulanmasında da farklılıklar var mıdır?

    Safir, alüminyum oksitin tek kristalidir, üçlü kristal sistemine aittir, hekzagonal yapıdadır, kristal yapısı üç oksijen atomu ve iki alüminyum atomunun kovalent bağ tipinde, çok yakın bir şekilde dizilmesiyle oluşmuştur, güçlü bağ zinciri ve kafes enerjisine sahiptir, kristal yapısı ise ...
    Devamını oku
  • SiC iletken alt tabaka ile yarı yalıtımlı alt tabaka arasındaki fark nedir?

    SiC iletken alt tabaka ile yarı yalıtımlı alt tabaka arasındaki fark nedir?

    SiC silisyum karbür cihazı, hammadde olarak silisyum karbürden üretilen cihazı ifade eder. Farklı direnç özelliklerine göre iletken silisyum karbür güç cihazları ve yarı yalıtımlı silisyum karbür RF cihazları olarak ikiye ayrılır. Ana cihaz formları ve...
    Devamını oku
  • Bir makale sizi TGV'nin ustası haline getirir

    Bir makale sizi TGV'nin ustası haline getirir

    TGV nedir? TGV (Through-Glass via), cam bir alt tabaka üzerinde delikler oluşturma teknolojisidir. Basitçe ifade etmek gerekirse, TGV, camı delen, dolduran ve yukarı ve aşağı bağlayan ve cam zemin üzerinde entegre devreler oluşturan yüksek katlı bir binadır.
    Devamını oku
  • Gofret yüzey kalitesi değerlendirmesinin göstergeleri nelerdir?

    Gofret yüzey kalitesi değerlendirmesinin göstergeleri nelerdir?

    Yarı iletken teknolojisinin sürekli gelişmesiyle birlikte, yarı iletken endüstrisinde ve hatta fotovoltaik endüstrisinde, yonga plakası veya epitaksiyel levhanın yüzey kalitesi gereksinimleri de oldukça katı hale gelmiştir. Peki, kalite gereksinimleri nelerdir?
    Devamını oku
  • SiC tek kristal büyüme süreci hakkında ne kadar bilginiz var?

    SiC tek kristal büyüme süreci hakkında ne kadar bilginiz var?

    Silisyum karbür (SiC), geniş bant aralıklı bir yarı iletken malzeme türü olarak, modern bilim ve teknolojinin uygulanmasında giderek daha önemli bir rol oynamaktadır. Silisyum karbür, mükemmel termal kararlılığa, yüksek elektrik alan toleransına, kasıtlı iletkenliğe ve ...
    Devamını oku
  • Yerli SiC Alt Tabakalarının Çığır Açan Savaşı

    Yerli SiC Alt Tabakalarının Çığır Açan Savaşı

    Son yıllarda yeni enerji araçları, fotovoltaik güç üretimi ve enerji depolama gibi alt akım uygulamalarının giderek yaygınlaşmasıyla birlikte, yeni bir yarı iletken malzeme olarak SiC bu alanlarda önemli bir rol oynamaktadır.
    Devamını oku
  • SiC MOSFET, 2300 volt.

    SiC MOSFET, 2300 volt.

    Power Cube Semi, 26'sında Güney Kore'nin ilk 2300V SiC (Silisyum Karbür) MOSFET yarı iletkeninin başarılı bir şekilde geliştirildiğini duyurdu. Mevcut Si (Silisyum) bazlı yarı iletkenlerle karşılaştırıldığında, SiC (Silisyum Karbür) daha yüksek voltajlara dayanabilir ve bu nedenle en iyi olarak kabul edilir.
    Devamını oku
  • Yarı iletkenlerin kurtarılması sadece bir yanılsama mı?

    Yarı iletkenlerin kurtarılması sadece bir yanılsama mı?

    2021-2022 yılları arasında, COVID-19 salgınının yol açtığı özel taleplerin ortaya çıkması nedeniyle küresel yarı iletken pazarında hızlı bir büyüme yaşandı. Ancak, COVID-19 pandemisinin yol açtığı özel talepler 2022'nin ikinci yarısında sona erip ...
    Devamını oku
  • 2024 yılında yarı iletken sermaye harcamaları azaldı

    2024 yılında yarı iletken sermaye harcamaları azaldı

    Çarşamba günü Başkan Biden, Intel'e CHIPS ve Bilim Yasası kapsamında 8,5 milyar dolar doğrudan finansman ve 11 milyar dolar kredi sağlama konusunda bir anlaşma duyurdu. Intel bu finansmanı Arizona, Ohio, New Mexico ve Oregon'daki yonga fabrikaları için kullanacak. Bildirdiğimiz gibi...
    Devamını oku