Haberler
-
Isı Dağıtıcı Malzemeleri Değiştirin! Silisyum Karbür Alt Tabaka Talebi Patlamaya Hazır!
İçindekiler 1. Yapay Zeka Çiplerinde Isı Dağılımı Darboğazı ve Silisyum Karbür Malzemelerin Gelişmesi 2. Silisyum Karbür Alt Tabakaların Özellikleri ve Teknik Avantajları 3. NVIDIA ve TSMC Tarafından Stratejik Planlar ve İşbirlikçi Geliştirme 4. Uygulama Yolu ve Temel Teknik...Devamını oku -
12 İnçlik Silisyum Karbür Gofret Lazer Kaldırma Teknolojisinde Büyük Bir Atılım
İçindekiler 1.12 İnçlik Silisyum Karbür Gofret Lazer Kaldırma Teknolojisinde Büyük Atılım 2.Teknolojik Atılımın SiC Endüstrisi Gelişimi İçin Çoklu Önemi 3.Gelecek Beklentileri: XKH'nin Kapsamlı Gelişimi ve Endüstri İşbirliği Son zamanlarda,...Devamını oku -
Başlık: Çip Üretiminde FOUP Nedir?
İçindekiler 1.FOUP'un Genel Bakışı ve Temel Fonksiyonları 2.FOUP'un Yapısı ve Tasarım Özellikleri 3.FOUP'un Sınıflandırılması ve Uygulama Yönergeleri 4.FOUP'un Yarı İletken Üretiminde İşlemleri ve Önemi 5.Teknik Zorluklar ve Gelecekteki Geliştirme Trendleri 6.XKH'nin Müşteri...Devamını oku -
Yarı İletken Üretiminde Wafer Temizleme Teknolojisi
Yarı İletken Üretiminde Wafer Temizleme Teknolojisi Wafer temizliği, tüm yarı iletken üretim süreci boyunca kritik bir adımdır ve cihaz performansını ve üretim verimini doğrudan etkileyen temel faktörlerden biridir. Çip üretimi sırasında en ufak bir kirlenme bile...Devamını oku -
Wafer Temizleme Teknolojileri ve Teknik Dokümantasyon
İçindekiler 1.Gofret Temizliğinin Temel Amaçları ve Önemi 2.Kirlenme Değerlendirmesi ve Gelişmiş Analitik Teknikler 3.Gelişmiş Temizleme Yöntemleri ve Teknik Prensipler 4.Teknik Uygulama ve Proses Kontrol Temelleri 5.Gelecekteki Trendler ve Yenilikçi Yönler 6.X...Devamını oku -
Taze Yetiştirilmiş Tek Kristaller
Tek kristaller doğada nadir bulunur ve ortaya çıktıklarında bile genellikle çok küçüktürler (genellikle milimetre (mm) ölçeğinde) ve elde edilmesi zordur. Elmas, zümrüt, akik vb. gibi bilinen taşlar genellikle endüstriyel uygulamalara girmez, hatta piyasaya bile girmez; çoğu ...Devamını oku -
Yüksek Saflıkta Alüminanın En Büyük Alıcısı: Safir Hakkında Ne Kadar Bilginiz Var?
Safir kristalleri, %99,995'ten fazla saflığa sahip yüksek saflıkta alümina tozundan üretilir ve bu da onları yüksek saflıkta alüminaya olan en büyük talep alanı haline getirir. Yüksek mukavemet, yüksek sertlik ve kararlı kimyasal özellikler sergileyerek, yüksek sıcaklık gibi zorlu ortamlarda çalışabilirler.Devamını oku -
Wafer'larda TTV, BOW, WARP ve TIR Ne Anlama Geliyor?
Yarı iletken silikon gofretleri veya diğer malzemelerden yapılmış alt tabakaları incelerken, sıklıkla TTV, BOW, WARP ve muhtemelen TIR, STIR, LTV gibi teknik göstergelerle karşılaşırız. Bunlar hangi parametreleri temsil eder? TTV — Toplam Kalınlık Değişimi BOW — Bow WARP — Warp TIR — ...Devamını oku -
Yarı İletken Üretimi İçin Temel Hammaddeler: Gofret Alt Tabakalarının Türleri
Yarı İletken Cihazlarda Temel Malzeme Olarak Wafer Alt Tabakalar Wafer alt tabakaları, yarı iletken cihazların fiziksel taşıyıcılarıdır ve malzeme özellikleri, cihaz performansını, maliyetini ve uygulama alanlarını doğrudan belirler. Aşağıda, başlıca wafer alt tabaka türleri ve avantajları verilmiştir.Devamını oku -
8 İnçlik SiC Wafer'lar için Yüksek Hassasiyetli Lazer Dilimleme Ekipmanı: Gelecekteki SiC Wafer İşlemenin Temel Teknolojisi
Silisyum karbür (SiC), yalnızca ulusal savunma için kritik bir teknoloji değil, aynı zamanda küresel otomotiv ve enerji endüstrileri için de temel bir malzemedir. SiC tek kristal işleme sürecinin ilk kritik adımı olan yonga dilimleme, sonraki inceltme ve parlatma işlemlerinin kalitesini doğrudan belirler.Devamını oku -
Optik Sınıf Silisyum Karbür Dalga Kılavuzu AR Camları: Yüksek Saflıkta Yarı Yalıtkan Alt Tabakaların Hazırlanması
Yapay zeka devriminin arka planında, AR gözlükleri yavaş yavaş kamuoyunun bilincine giriyor. Sanal ve gerçek dünyaları kusursuz bir şekilde harmanlayan bir paradigma olan AR gözlükleri, kullanıcıların hem dijital olarak yansıtılan görüntüleri hem de ortam ışığını aynı anda algılamasına olanak tanıyarak VR cihazlarından farklılaşıyor.Devamını oku -
Farklı Yönlendirmelere Sahip Silisyum Alt Tabakalarda 3C-SiC'nin Heteroepitaksiyel Büyümesi
1. Giriş Onlarca yıllık araştırmalara rağmen, silikon alt tabakalar üzerine büyütülen heteroepitaksiyel 3C-SiC, endüstriyel elektronik uygulamaları için yeterli kristal kalitesine henüz ulaşamamıştır. Büyütme genellikle Si(100) veya Si(111) alt tabakalar üzerinde gerçekleştirilir ve her biri farklı zorluklar sunar: anti-faz ...Devamını oku