Haberler
-
8 İnçlik SiC Wafer'lar için Yüksek Hassasiyetli Lazer Dilimleme Ekipmanı: Gelecekteki SiC Wafer İşlemenin Temel Teknolojisi
Silisyum karbür (SiC), yalnızca ulusal savunma için kritik bir teknoloji değil, aynı zamanda küresel otomotiv ve enerji endüstrileri için de temel bir malzemedir. SiC tek kristal işleme sürecinin ilk kritik adımı olan yonga dilimleme, sonraki inceltme ve parlatma işlemlerinin kalitesini doğrudan belirler.Devamını oku -
Optik Sınıf Silisyum Karbür Dalga Kılavuzu AR Camları: Yüksek Saflıkta Yarı Yalıtkan Alt Tabakaların Hazırlanması
Yapay zeka devriminin arka planında, AR gözlükleri yavaş yavaş kamuoyunun bilincine giriyor. Sanal ve gerçek dünyaları kusursuz bir şekilde harmanlayan bir paradigma olan AR gözlükleri, kullanıcıların hem dijital olarak yansıtılan görüntüleri hem de ortam ışığını algılamasına olanak tanıyarak VR cihazlarından farklılaşıyor...Devamını oku -
Farklı Yönlendirmelere Sahip Silisyum Alt Tabakalarda 3C-SiC'nin Heteroepitaksiyel Büyümesi
1. Giriş Onlarca yıllık araştırmalara rağmen, silikon alt tabakalar üzerine büyütülen heteroepitaksiyel 3C-SiC, endüstriyel elektronik uygulamaları için yeterli kristal kalitesine henüz ulaşamamıştır. Büyütme işlemi genellikle Si(100) veya Si(111) alt tabakalar üzerinde gerçekleştirilir ve her biri farklı zorluklar sunar: anti-faz d...Devamını oku -
Silisyum Karbür Seramikler ve Yarı İletken Silisyum Karbür: İki Farklı Kadere Sahip Aynı Malzeme
Silisyum karbür (SiC), hem yarı iletken endüstrisinde hem de gelişmiş seramik ürünlerinde bulunabilen dikkat çekici bir bileşiktir. Bu durum, sıradan insanların bunları aynı ürün türü sanmasına yol açarak sıklıkla kafa karışıklığına neden olur. Gerçekte, aynı kimyasal bileşime sahip olmasına rağmen, SiC...Devamını oku -
Yüksek Saflıkta Silisyum Karbür Seramik Hazırlama Teknolojilerindeki Gelişmeler
Yüksek saflıkta silisyum karbür (SiC) seramikler, olağanüstü termal iletkenlikleri, kimyasal kararlılıkları ve mekanik dayanıklılıkları sayesinde yarı iletken, havacılık ve kimya endüstrilerindeki kritik bileşenler için ideal malzemeler olarak ortaya çıkmıştır. Yüksek performanslı, düşük polimerli ürünlere olan talep arttıkça,...Devamını oku -
LED Epitaksiyel Gofretlerin Teknik Prensipleri ve İşlemleri
LED'lerin çalışma prensibinden, epitaksiyel gofret malzemesinin bir LED'in temel bileşeni olduğu açıktır. Aslında, dalga boyu, parlaklık ve ileri gerilim gibi temel optoelektronik parametreler büyük ölçüde epitaksiyel malzeme tarafından belirlenir. Epitaksiyel gofret teknolojisi ve ekipmanları...Devamını oku -
Yüksek Kaliteli Silisyum Karbür Tek Kristal Hazırlamada Temel Hususlar
Silisyum tek kristal hazırlamanın başlıca yöntemleri şunlardır: Fiziksel Buhar Taşıma (PVT), Üstten Tohumlu Çözelti Büyümesi (TSSG) ve Yüksek Sıcaklıkta Kimyasal Buhar Biriktirme (HT-CVD). Bunlar arasında, PVT yöntemi basit ekipmanı, kolay uygulanabilirliği ve yüksek sıcaklık dayanımı nedeniyle endüstriyel üretimde yaygın olarak kullanılmaktadır.Devamını oku -
Yalıtkan Üzerindeki Lityum Niyobat (LNOI): Fotonik Entegre Devrelerin İlerlemesini Sağlıyor
Giriş Elektronik entegre devrelerin (EIC'ler) başarısından ilham alan fotonik entegre devreler (PIC'ler) alanı, 1969'daki kuruluşundan bu yana gelişmeye devam etmektedir. Ancak, EIC'lerin aksine, çeşitli fotonik uygulamaları destekleyebilen evrensel bir platformun geliştirilmesi ...Devamını oku -
Yüksek Kaliteli Silisyum Karbür (SiC) Tek Kristallerinin Üretiminde Temel Hususlar
Yüksek Kaliteli Silisyum Karbür (SiC) Tek Kristalleri Üretmek İçin Temel Hususlar Silisyum karbür tek kristallerini büyütmenin temel yöntemleri arasında Fiziksel Buhar Taşıma (PVT), Üstten Tohumlanmış Çözelti Büyümesi (TSSG) ve Yüksek Sıcaklık Kimyasal...Devamını oku -
Yeni Nesil LED Epitaksiyel Wafer Teknolojisi: Aydınlatmanın Geleceğine Güç Veriyor
LED'ler dünyamızı aydınlatıyor ve her yüksek performanslı LED'in kalbinde, parlaklığını, rengini ve verimliliğini belirleyen kritik bir bileşen olan epitaksiyel gofret yer alıyor. Epitaksiyel büyüme biliminde uzmanlaşarak, ...Devamını oku -
Bir Dönemin Sonu mu? Wolfspeed'in İflası SiC Manzarasını Yeniden Şekillendiriyor
Wolfspeed'in İflası, SiC Yarı İletken Endüstrisi İçin Önemli Bir Dönüm Noktasının İşaretini Veriyor Silisyum karbür (SiC) teknolojisinde köklü bir lider olan Wolfspeed, bu hafta iflas başvurusunda bulunarak küresel SiC yarı iletken sektöründe önemli bir değişime işaret etti. Şirket...Devamını oku -
Erimiş Kuvarsda Stres Oluşumunun Kapsamlı Analizi: Nedenleri, Mekanizmaları ve Etkileri
1. Soğuma Sırasında Isıl Gerilim (Birincil Neden) Erimiş kuvars, düzensiz sıcaklık koşullarında gerilim üretir. Herhangi bir sıcaklıkta, erimiş kuvarsın atomik yapısı nispeten "optimum" bir uzamsal konfigürasyona ulaşır. Sıcaklık değiştikçe, atomik hız...Devamını oku