Ev
Şirket
Xinkehui hakkında
Ürünler
Yüzey
Safir
SiC
Silikon
LiTaO3_LiNbO3
Optik Ürünler
Epi-katman
Seramik ürünler
Sentetik mücevher kristali
Gofret Taşıyıcı
Yarı iletken ekipman
Metal tek kristal malzeme
Haberler
Temas etmek
English
Ev
Haberler
Haberler
LiTaO3 Gofret PIC — Çip Üzerinde Doğrusal Olmayan Fotonikler için Düşük Kayıplı Lityum Tantalat-İzolatör Dalga Kılavuzu
admin tarafından 24-11-20 tarihinde
Özet: 0,28 dB/cm kayıp ve 1,1 milyon halka rezonatör kalite faktörüne sahip 1550 nm yalıtkan bazlı lityum tantalat dalga kılavuzu geliştirdik. Doğrusal olmayan fotonikte χ(3) doğrusal olmama durumunun uygulanması incelenmiştir. Lityum niyobatın avantajları...
Devamını oku
XKH-Bilgi Paylaşımı-Gofret dilimleme teknolojisi nedir?
admin tarafından 24-11-19 tarihinde
Yarı iletken üretim sürecinde kritik bir adım olan gofret dilimleme teknolojisi doğrudan çip performansı, verim ve üretim maliyetleriyle bağlantılıdır. #01 Gofret Dilimlemenin Arka Planı ve Önemi 1.1 Gofret Dilimlemenin Tanımı Gofret dilimleme (çizgi olarak da bilinir)
Devamını oku
İnce film lityum tantalat (LTOI): Yüksek Hızlı Modülatörler için Bir Sonraki Yıldız Malzeme mi?
admin tarafından 24-11-08 tarihinde
İnce film lityum tantalat (LTOI) malzemesi, entegre optik alanında önemli bir yeni güç olarak ortaya çıkıyor. Bu yıl, Shanghai Ins'den Profesör Xin Ou tarafından sağlanan yüksek kaliteli LTOI yongaları ile LTOI modülatörleri üzerine birkaç üst düzey çalışma yayınlandı.
Devamını oku
Gofret Üretiminde SPC Sisteminin Derinlemesine Anlaşılması
admin tarafından 24-10-16 tarihinde
SPC (İstatistiksel Proses Kontrolü), gofret üretim sürecinde, üretimdeki çeşitli aşamaların stabilitesini izlemek, kontrol etmek ve geliştirmek için kullanılan çok önemli bir araçtır. 1. SPC Sistemine Genel Bakış SPC, sta...
Devamını oku
Epitaksi neden bir gofret substratı üzerinde gerçekleştirilir?
admin tarafından 24-10-16 tarihinde
Bir silikon levha substratı üzerinde ek bir silikon atomu katmanının büyütülmesinin çeşitli avantajları vardır: CMOS silikon işlemlerinde, levha substratı üzerinde epitaksiyel büyüme (EPI) kritik bir işlem adımıdır. 1、Kristal kalitesinin iyileştirilmesi...
Devamını oku
Gofret Temizleme Prensipleri, Süreçleri, Yöntemleri ve Ekipmanları
admin tarafından 24-10-08 tarihinde
Islak temizleme (Wet Clean), sonraki işlem adımlarının temiz bir yüzey üzerinde gerçekleştirilebilmesini sağlamak için levhanın yüzeyinden çeşitli kirletici maddelerin uzaklaştırılmasını amaçlayan yarı iletken üretim süreçlerindeki kritik adımlardan biridir. ...
Devamını oku
Kristal düzlemleri ve kristal oryantasyonu arasındaki ilişki.
admin tarafından 24-10-08 tarihinde
Kristal düzlemleri ve kristal oryantasyonu, kristalografide silikon bazlı entegre devre teknolojisindeki kristal yapıyla yakından ilişkili iki temel kavramdır. 1. Kristal Yöneliminin Tanımı ve Özellikleri Kristal yönelimi belirli bir yönü temsil eder...
Devamını oku
Through Glass Via(TGV) ve Through Silicon Via, TSV (TSV) işlemlerinin TGV'ye göre avantajları nelerdir?
admin tarafından 24-07-16 tarihinde
Through Glass Via (TGV) ve Through Silicon Via(TSV) işlemlerinin TGV'ye göre avantajları temel olarak şunlardır: (1) mükemmel yüksek frekanslı elektriksel özellikler. Cam malzeme yalıtkan bir malzemedir, dielektrik sabiti silikon malzemeninkinin yalnızca 1/3'ü kadardır ve kayıp faktörü 2-...
Devamını oku
İletken ve yarı yalıtımlı silisyum karbür substrat uygulamaları
admin tarafından 24-07-16 tarihinde
Silisyum karbür substrat yarı yalıtkan tipe ve iletken tipe ayrılmıştır. Şu anda yarı yalıtımlı silisyum karbür substrat ürünlerinin ana spesifikasyonu 4 inçtir. İletken silisyum karbür ma...
Devamını oku
Farklı kristal yönelimlerine sahip safir levhaların uygulanmasında da farklılıklar var mı?
admin tarafından 24-07-16 tarihinde
Safir, üçlü kristal sistemine ait, altıgen yapılı, tek bir alümina kristalidir, kristal yapısı, güçlü bağ zinciri ve kafes enerjisi ile çok yakın düzenlenmiş kovalent bağ tipinde üç oksijen atomu ve iki alüminyum atomundan oluşur. kristal iç...
Devamını oku
SiC iletken substrat ile yarı yalıtımlı substrat arasındaki fark nedir?
admin tarafından 24-07-16 tarihinde
SiC silisyum karbür cihazı, hammadde olarak silisyum karbürden yapılmış cihazı ifade eder. Farklı direnç özelliklerine göre iletken silisyum karbür güç cihazlarına ve yarı yalıtımlı silisyum karbür RF cihazlarına ayrılır. Ana cihaz formları ve...
Devamını oku
Bir makale sizi TGV konusunda uzmanlığa yönlendirir
admin tarafından 24-06-25 tarihinde
TGV nedir? TGV, (Through-Glass via), cam alt tabaka üzerinde açık delikler oluşturma teknolojisi. Basit bir ifadeyle TGV, cam üzerinde entegre devreler oluşturmak için camı delebilen, dolduran ve yukarı ve aşağı bağlayan yüksek katlı bir binadır. fl...
Devamını oku
1
2
3
Sonraki >
>>
Sayfa 1 / 3
Aramak için enter'a, kapatmak için ESC'ye basın
English
French
German
Portuguese
Spanish
Russian
Japanese
Korean
Arabic
Irish
Greek
Turkish
Italian
Danish
Romanian
Indonesian
Czech
Afrikaans
Swedish
Polish
Basque
Catalan
Esperanto
Hindi
Lao
Albanian
Amharic
Armenian
Azerbaijani
Belarusian
Bengali
Bosnian
Bulgarian
Cebuano
Chichewa
Corsican
Croatian
Dutch
Estonian
Filipino
Finnish
Frisian
Galician
Georgian
Gujarati
Haitian
Hausa
Hawaiian
Hebrew
Hmong
Hungarian
Icelandic
Igbo
Javanese
Kannada
Kazakh
Khmer
Kurdish
Kyrgyz
Latin
Latvian
Lithuanian
Luxembou..
Macedonian
Malagasy
Malay
Malayalam
Maltese
Maori
Marathi
Mongolian
Burmese
Nepali
Norwegian
Pashto
Persian
Punjabi
Serbian
Sesotho
Sinhala
Slovak
Slovenian
Somali
Samoan
Scots Gaelic
Shona
Sindhi
Sundanese
Swahili
Tajik
Tamil
Telugu
Thai
Ukrainian
Urdu
Uzbek
Vietnamese
Welsh
Xhosa
Yiddish
Yoruba
Zulu
Kinyarwanda
Tatar
Oriya
Turkmen
Uyghur