English

SiC levha 4H-N 6H-N HPSI 4H-yarı 6H-yarı 4H-P 6H-P 3C tipi 2 inç 3 inç 4 inç 6 inç 8 inç

SiC levha 4H-N 6H-N HPSI 4H-yarı 6H-yarı 4H-P 6H-P 3C tipi 2 inç 3 inç 4 inç 6 inç 8 inç Öne Çıkan Resim
  • SiC levha 4H-N 6H-N HPSI 4H-yarı 6H-yarı 4H-P 6H-P 3C tipi 2 inç 3 inç 4 inç 6 inç 8 inç
  • SiC levha 4H-N 6H-N HPSI 4H-yarı 6H-yarı 4H-P 6H-P 3C tipi 2 inç 3 inç 4 inç 6 inç 8 inç
  • SiC levha 4H-N 6H-N HPSI 4H-yarı 6H-yarı 4H-P 6H-P 3C tipi 2 inç 3 inç 4 inç 6 inç 8 inç
  • SiC levha 4H-N 6H-N HPSI 4H-yarı 6H-yarı 4H-P 6H-P 3C tipi 2 inç 3 inç 4 inç 6 inç 8 inç
  • SiC levha 4H-N 6H-N HPSI 4H-yarı 6H-yarı 4H-P 6H-P 3C tipi 2 inç 3 inç 4 inç 6 inç 8 inç
  • SiC levha 4H-N 6H-N HPSI 4H-yarı 6H-yarı 4H-P 6H-P 3C tipi 2 inç 3 inç 4 inç 6 inç 8 inç

Kısa Açıklama:

Gelişmiş optoelektronik, güç cihazları ve yüksek sıcaklık ortamlarındaki uygulamalar için ideal olan N tipi 4H-N ve 6H-N wafer'lara özel bir odaklanma ile, yüksek kaliteli SiC (Silisyum Karbür) wafer'lardan oluşan geniş bir yelpaze sunuyoruz. Bu N tipi wafer'lar, olağanüstü termal iletkenlikleri, üstün elektriksel kararlılıkları ve dikkat çekici dayanıklılıklarıyla bilinir ve güç elektroniği, elektrikli araç tahrik sistemleri, yenilenebilir enerji invertörleri ve endüstriyel güç kaynakları gibi yüksek performanslı uygulamalar için mükemmeldir. N tipi ürünlerimize ek olarak, yüksek frekanslı ve RF cihazları ile fotonik uygulamalar da dahil olmak üzere özel ihtiyaçlar için P tipi 4H/6H-P ve 3C SiC wafer'lar da sunuyoruz. Wafer'larımız 2 inçten 8 inçe kadar değişen boyutlarda mevcuttur ve çeşitli endüstriyel sektörlerin özel gereksinimlerini karşılamak için özel çözümler sunuyoruz. Daha fazla bilgi veya sorularınız için lütfen bizimle iletişime geçmekten çekinmeyin.


Özellikler

Özellikler

4H-N ve 6H-N (N tipi SiC Levhalar)

Başvuru:Başlıca güç elektroniği, optoelektronik ve yüksek sıcaklık uygulamalarında kullanılır.

Çap Aralığı:50,8 mm ile 200 mm arası.

Kalınlık:350 μm ± 25 μm, isteğe bağlı olarak 500 μm ± 25 μm kalınlık seçenekleriyle.

Öz direnç:N tipi 4H/6H-P: ≤ 0,1 Ω·cm (Z sınıfı), ≤ 0,3 Ω·cm (P sınıfı); N tipi 3C-N: ≤ 0,8 mΩ·cm (Z sınıfı), ≤ 1 mΩ·cm (P sınıfı).

Pürüzlülük:Ra ≤ 0,2 nm (CMP veya MP).

Mikroboru Yoğunluğu (MPD):< 1 adet/cm².

TTV: Tüm çaplar için ≤ 10 μm.

Çarpıtma: ≤ 30 μm (8 inçlik wafer'lar için ≤ 45 μm).

Kenar Hariç Tutma:Yonga levhasının türüne bağlı olarak 3 mm ile 6 mm arasında değişir.

Ambalajlama:Çoklu wafer kaseti veya tek wafer kabı.

Diğer mevcut boyutlar: 3 inç, 4 inç, 6 inç, 8 inç

HPSI (Yüksek Saflıkta Yarı Yalıtkan SiC Levhalar)

Başvuru:Radyo frekansı cihazları, fotonik uygulamalar ve sensörler gibi yüksek direnç ve istikrarlı performans gerektiren cihazlarda kullanılır.

Çap Aralığı:50,8 mm ile 200 mm arası.

Kalınlık:Standart kalınlık 350 μm ± 25 μm olup, 500 μm'ye kadar daha kalın plakalar için de seçenekler mevcuttur.

Pürüzlülük:Ra ≤ 0,2 nm.

Mikroboru Yoğunluğu (MPD): ≤ 1 adet/cm².

Öz direnç:Yüksek direnç, genellikle yarı yalıtkan uygulamalarda kullanılır.

Çarpıtma: ≤ 30 μm (daha küçük boyutlar için), ≤ 45 μm (daha büyük çaplar için).

TTV: ≤ 10 μm.

Diğer mevcut boyutlar: 3 inç, 4 inç, 6 inç, 8 inç

4H-P、6H-P&3C SiC gofret(P tipi SiC levhalar)

Başvuru:Öncelikle güç ve yüksek frekanslı cihazlar için.

Çap Aralığı:50,8 mm ile 200 mm arası.

Kalınlık:350 μm ± 25 μm veya özelleştirilmiş seçenekler.

Öz direnç:P tipi 4H/6H-P: ≤ 0,1 Ω·cm (Z sınıfı), ≤ 0,3 Ω·cm (P sınıfı).

Pürüzlülük:Ra ≤ 0,2 nm (CMP veya MP).

Mikroboru Yoğunluğu (MPD):< 1 adet/cm².

TTV: ≤ 10 μm.

Kenar Hariç Tutma:3 mm ile 6 mm arası.

Çarpıtma: Daha küçük boyutlar için ≤ 30 μm, daha büyük boyutlar için ≤ 45 μm.

Diğer mevcut boyutlar: 3 inç, 4 inç, 6 inç5×5 10×10

Kısmi Veri Parametreleri Tablosu

Mülk

2 inç

3 inç

4 inç

6 inç

8 inç

Tip

4H-N/HPSI/
6H-N/4H/6H-P/3C;

4H-N/HPSI/
6H-N/4H/6H-P/3C;

4H-N/HPSI//4H/6H-P/3C;

4H-N/HPSI//4H/6H-P/3C;

4H-N/HPSI/4H-SEMI

Çap

50,8 ± 0,3 mm

76,2±0,3 mm

100±0,3 mm

150±0,3 mm

200 ± 0,3 mm

Kalınlık

330 ± 25 µm

350 ±25 µm

350 ±25 µm

350 ±25 µm

350 ±25 µm

350±25um;

500±25µm

500±25µm

500±25µm

500±25µm

veya özelleştirilmiş

veya özelleştirilmiş

veya özelleştirilmiş

veya özelleştirilmiş

veya özelleştirilmiş

Pürüzlülük

Ra ≤ 0,2 nm

Ra ≤ 0,2 nm

Ra ≤ 0,2 nm

Ra ≤ 0,2 nm

Ra ≤ 0,2 nm

Çarpıtma

≤ 30 µm

≤ 30 µm

≤ 30 µm

≤ 30 µm

≤45um

TTV

≤ 10 µm

≤ 10 µm

≤ 10 µm

≤ 10 µm

≤ 10 µm

Kazmak/Çizmek

CMP/MP

MPD

<1ea/cm-2

<1ea/cm-2

<1ea/cm-2

<1ea/cm-2

<1ea/cm-2

Şekil

Yuvarlak, Düz 16 mm; Uzunluk 22 mm; Uzunluk 30/32,5 mm; Uzunluk 47,5 mm; Çentik; Çentik;

Eğim

45°, Yarı Özellikli; C Şekli

 Seviye

MOS ve SBD için üretim sınıfı; Araştırma sınıfı; Deneme sınıfı, Tohum gofret sınıfı

Notlar

Çap, kalınlık, yönlendirme gibi yukarıdaki özellikler isteğiniz üzerine özelleştirilebilir.

 

Uygulamalar

·Güç Elektroniği

N tipi SiC levhalar, yüksek voltaj ve yüksek akımı kaldırabilme yetenekleri nedeniyle güç elektroniği cihazlarında çok önemlidir. Yenilenebilir enerji, elektrikli araçlar ve endüstriyel otomasyon gibi sektörlerde güç dönüştürücülerde, invertörlerde ve motor sürücülerinde yaygın olarak kullanılırlar.

· Optoelektronik
Özellikle optoelektronik uygulamalar için N tipi SiC malzemeleri, ışık yayan diyotlar (LED'ler) ve lazer diyotlar gibi cihazlarda kullanılır. Yüksek termal iletkenlikleri ve geniş bant aralıkları, onları yüksek performanslı optoelektronik cihazlar için ideal hale getirir.

·Yüksek Sıcaklık Uygulamaları
4H-N ve 6H-N SiC levhalar, yüksek sıcaklık ortamları için oldukça uygundur; örneğin, havacılık, otomotiv ve endüstriyel uygulamalarda kullanılan sensörler ve güç cihazlarında ısı dağılımı ve yüksek sıcaklıklarda kararlılık kritik öneme sahiptir.

·RF Cihazları
4H-N ve 6H-N SiC levhalar, yüksek frekans aralıklarında çalışan radyo frekansı (RF) cihazlarında kullanılır. Yüksek güç verimliliği ve performansın gerekli olduğu iletişim sistemlerinde, radar teknolojisinde ve uydu iletişiminde uygulama alanları bulurlar.

·Fotonik Uygulamalar
Fotonikte, SiC levhalar fotodedektörler ve modülatörler gibi cihazlar için kullanılır. Malzemenin benzersiz özellikleri, optik iletişim sistemlerinde ve görüntüleme cihazlarında ışık üretimi, modülasyonu ve algılamasında etkili olmasını sağlar.

·Sensörler
SiC levhalar, özellikle diğer malzemelerin yetersiz kalabileceği zorlu ortamlarda, çeşitli sensör uygulamalarında kullanılır. Bunlar arasında otomotiv, petrol ve gaz ve çevre izleme gibi alanlarda hayati öneme sahip sıcaklık, basınç ve kimyasal sensörler yer almaktadır.

·Elektrikli Araç Tahrik Sistemleri
SiC teknolojisi, tahrik sistemlerinin verimliliğini ve performansını artırarak elektrikli araçlarda önemli bir rol oynamaktadır. SiC güç yarı iletkenleri sayesinde elektrikli araçlar daha uzun pil ömrü, daha hızlı şarj süreleri ve daha yüksek enerji verimliliği elde edebilirler.

·Gelişmiş Sensörler ve Fotonik Dönüştürücüler
Gelişmiş sensör teknolojilerinde, SiC levhalar robotik, tıbbi cihazlar ve çevre izleme uygulamaları için yüksek hassasiyetli sensörler oluşturmak amacıyla kullanılmaktadır. Fotonik dönüştürücülerde ise SiC'nin özellikleri, elektrik enerjisinin optik sinyallere verimli bir şekilde dönüştürülmesini sağlamak için kullanılır; bu da telekomünikasyon ve yüksek hızlı internet altyapısı için hayati önem taşır.

Soru-Cevap

Q4H SiC'deki 4H nedir?
A4H SiC'deki "4H" ifadesi, silisyum karbürün kristal yapısını, özellikle dört katmanlı (H) altıgen bir formu ifade eder. "H" harfi, altıgen polimorf tipini belirterek, 6H veya 3C gibi diğer SiC polimorf tiplerinden ayırt eder.

Q4H-SiC'nin termal iletkenliği nedir?
A4H-SiC'nin (Silisyum Karbür) oda sıcaklığındaki ısı iletkenliği yaklaşık 490-500 W/m·K'dir. Bu yüksek ısı iletkenliği, verimli ısı dağılımının çok önemli olduğu güç elektroniği ve yüksek sıcaklık ortamlarındaki uygulamalar için ideal olmasını sağlar.

  • Öncesi:
  • Sonraki:

    • İlgili Ürünler

    Mesajınızı buraya yazın ve bize gönderin.
    Arama yapmak için Enter tuşuna, kapatmak için ESC tuşuna basın.