Yüksek Sıcaklık Dirençli Silikon Karbür Seramik Plaka Taşıyıcı Tepsi
Silisyum Karbür Seramik Tepsi (SiC Tepsi)
Silisyum karbür (SiC) malzemesine dayalı, yüksek performanslı bir seramik bileşen olup, yarı iletken üretimi ve LED üretimi gibi gelişmiş endüstriyel uygulamalar için tasarlanmıştır. Temel işlevleri arasında, olağanüstü termal iletkenlik, yüksek sıcaklık direnci ve kimyasal kararlılıktan yararlanarak proses homojenliğini ve ürün verimliliğini sağlamak üzere, gofret taşıyıcı, aşındırma proses platformu veya yüksek sıcaklık proses desteği olarak hizmet vermek yer almaktadır.
Başlıca Özellikler
1. Termal Performans
- Yüksek Isı İletkenliği: 140–300 W/m·K, geleneksel grafitin (85 W/m·K) çok üzerinde olup, hızlı ısı dağılımı ve düşük termal stres sağlar.
- Düşük Termal Genleşme Katsayısı: 4,0×10⁻⁶/℃ (25–1000℃), silikonunkine (2,6×10⁻⁶/℃) oldukça yakın, termal deformasyon risklerini en aza indirir.
2. Mekanik Özellikler
- Yüksek Mukavemet: Eğilme mukavemeti ≥320 MPa (20℃), sıkıştırmaya ve darbeye dayanıklı.
- Yüksek Sertlik: Mohs sertlik derecesi 9,5 olup, elmastan sonra ikinci sırada yer alır ve üstün aşınma direnci sunar.
3. Kimyasal Kararlılık
- Korozyon Direnci: Güçlü asitlere (örneğin, HF, H₂SO₄) karşı dayanıklıdır, aşındırma işlemi ortamları için uygundur.
- Manyetik Olmayan: İçsel manyetik duyarlılık <1×10⁻⁶ emu/g, hassas aletlerle etkileşimi önler.
4. Aşırı Çevre Koşullarına Dayanıklılık
- Yüksek Sıcaklık Dayanıklılığı: Uzun süreli çalışma sıcaklığı 1600–1900℃'ye kadar; kısa süreli dayanıklılık 2200℃'ye kadar (oksijensiz ortam).
- Isıl Şok Direnci: Ani sıcaklık değişimlerine (ΔT >1000℃) çatlamadan dayanır.
Uygulamalar
| Uygulama Alanı | Belirli Senaryolar | Teknik Değer |
| Yarı İletken Üretimi | Yonga aşındırma (ICP), ince film biriktirme (MOCVD), CMP parlatma | Yüksek ısı iletkenliği, düzgün sıcaklık alanları sağlar; düşük termal genleşme ise yonga levhasının bükülmesini en aza indirir. |
| LED Üretimi | Epitaksiyel büyüme (örneğin, GaN), gofret kesimi, paketleme | Çeşitli arıza türlerini bastırarak LED ışık verimliliğini ve kullanım ömrünü artırır. |
| Fotovoltaik Endüstrisi | Silikon levha sinterleme fırınları, PECVD ekipman destekleri | Yüksek sıcaklık ve termal şok direnci, ekipmanın kullanım ömrünü uzatır. |
| Lazer ve Optik | Yüksek güçlü lazer soğutma altlıkları, optik sistem destekleri | Yüksek ısı iletkenliği, hızlı ısı dağılımı sağlayarak optik bileşenlerin stabilitesini artırır. |
| Analitik Cihazlar | TGA/DSC numune tutucuları | Düşük ısı kapasitesi ve hızlı termal tepki, ölçüm doğruluğunu artırır. |
Ürün Avantajları
- Kapsamlı Performans: Isı iletkenliği, mukavemet ve korozyon direnci, alümina ve silisyum nitrür seramiklerini çok aşarak, aşırı operasyonel talepleri karşılar.
- Hafif Tasarım: 3,1–3,2 g/cm³ yoğunluk (çeliğin %40'ı), atalet yükünü azaltır ve hareket hassasiyetini artırır.
- Uzun Ömür ve Güvenilirlik: 1600℃'de 5 yılı aşan hizmet ömrü, arıza sürelerini azaltır ve işletme maliyetlerini %30 düşürür.
- Özelleştirme: Hassas uygulamalar için 15 μm'den daha düşük düzlük hatasıyla karmaşık geometrileri (örneğin, gözenekli vantuzlar, çok katmanlı tepsiler) destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre Kategorisi | Gösterge |
| Fiziksel Özellikler | |
| Yoğunluk | ≥3,10 g/cm³ |
| Eğilme Dayanımı (20℃) | 320–410 MPa |
| Isı İletkenliği (20℃) | 140–300 W/(m·K) |
| Termal Genleşme Katsayısı (25–1000℃) | 4,0×10⁻⁶/℃ |
| Kimyasal Özellikler | |
| Asit Direnci (HF/H₂SO₄) | 24 saatlik suya daldırma sonrasında korozyon oluşmadı. |
| Hassas İşleme | |
| Düzlük | ≤15 μm (300×300 mm) |
| Yüzey Pürüzlülüğü (Ra) | ≤0,4 μm |
XKH'nin Hizmetleri
XKH, özel geliştirme, hassas işleme ve titiz kalite kontrolünü kapsayan kapsamlı endüstriyel çözümler sunmaktadır. Özel geliştirme alanında, yarı iletkenler ve havacılık gibi uygulamalar için karmaşık geometrileri optimize etmek amacıyla 3D modelleme ve simülasyon ile birlikte yüksek saflıkta (>%99,999) ve gözenekli (%30-50 gözeneklilik) malzeme çözümleri sunmaktadır. Hassas işleme, toz işleme → izostatik/kuru presleme → 2200°C sinterleme → CNC/elmas taşlama → muayene aşamalarından oluşan, nanometre düzeyinde parlatma ve ±0,01 mm boyutsal tolerans sağlayan akıcı bir süreç izler. Kalite kontrolü, tam süreç testini (XRD bileşimi, SEM mikroyapı, 3 noktalı bükme) ve teknik desteği (süreç optimizasyonu, 7/24 danışmanlık, 48 saat içinde numune teslimi) içererek, gelişmiş endüstriyel ihtiyaçlar için güvenilir, yüksek performanslı bileşenler sunar.
Sıkça Sorulan Sorular (SSS)
1. S: Silisyum karbür seramik tepsileri hangi sektörler kullanıyor?
A: Aşırı ısıya dayanıklılıkları ve kimyasal kararlılıkları nedeniyle yarı iletken üretiminde (yonga levha işleme), güneş enerjisinde (PECVD süreçleri), tıbbi ekipmanlarda (MRI bileşenleri) ve havacılıkta (yüksek sıcaklık parçaları) yaygın olarak kullanılırlar.
2. S: Silisyum karbür, kuvars/cam tepsilere göre nasıl daha üstün performans gösterir?
A: Daha yüksek termal şok direnci (kuvarsın 1100°C'sine karşılık 1800°C'ye kadar), sıfır manyetik girişim ve daha uzun kullanım ömrü (kuvarsın 6-12 ayına karşılık 5+ yıl).
3. S: Silisyum karbür tepsiler asidik ortamlara dayanabilir mi?
A: Evet. HF, H2SO4 ve NaOH'ye karşı yıllık <0,01 mm korozyon direnciyle kimyasal aşındırma ve wafer temizliği için idealdirler.
4. S: Silisyum karbür tepsiler otomasyonla uyumlu mu?
A: Evet. Otomatik üretim tesislerinde partikül kontaminasyonunu önlemek için yüzey düzlüğü <0,01 mm olacak şekilde vakumla alma ve robotik taşıma için tasarlanmıştır.
5. S: Geleneksel malzemelerle karşılaştırıldığında maliyet farkı nedir?
A: Daha yüksek başlangıç maliyeti (kuvarsa göre 3-5 kat daha fazla), ancak daha uzun kullanım ömrü, daha az arıza süresi ve üstün ısı iletkenliğinden kaynaklanan enerji tasarrufu sayesinde %30-50 daha düşük toplam sahip olma maliyeti (TCO).
