Ar Camları İçin Yüksek Saflıkta Yarı Yalıtkan Silisyum Karbür (SiC) Altlık

Yarı Yalıtkan Silisyum Karbür (SiC) Altlık, Ar Camları İçin Yüksek Saflıkta (Öne Çıkan Görsel)

Kısa Açıklama:

Yüksek saflıkta yarı iletken silisyum karbür (SiC) alt tabakalar, silisyum karbürden üretilen ve güç elektroniği, radyo frekansı (RF) cihazları ve yüksek frekanslı, yüksek sıcaklıklı yarı iletken bileşenlerin üretiminde yaygın olarak kullanılan özel malzemelerdir. Geniş bant aralıklı bir yarı iletken malzeme olan silisyum karbür, mükemmel elektriksel, termal ve mekanik özellikler sunarak yüksek voltajlı, yüksek frekanslı ve yüksek sıcaklıklı ortamlardaki uygulamalar için son derece uygundur.

Bize e-posta gönderin

Özellikler

Ayrıntılı Diyagram

Yarı Yalıtkan SiC Levhaların Ürün Genel Bakışı

Yüksek saflıkta yarı iletken SiC levhalarımız, gelişmiş güç elektroniği, RF/mikrodalga bileşenleri ve optoelektronik uygulamalar için tasarlanmıştır. Bu levhalar, rafine edilmiş Fiziksel Buhar Taşıma (PVT) büyüme yöntemi kullanılarak, yüksek kaliteli 4H veya 6H SiC tek kristallerinden üretilir ve ardından derin seviye dengeleme tavlaması uygulanır. Sonuç olarak, aşağıdaki olağanüstü özelliklere sahip bir levha elde edilir:

Ultra Yüksek Direnç: ≥1×10¹² Ω·cm, yüksek voltajlı anahtarlama cihazlarındaki kaçak akımları etkili bir şekilde en aza indirir.
Geniş Bant Aralığı (~3,2 eV)Yüksek sıcaklık, yüksek manyetik alan ve yoğun radyasyon ortamlarında mükemmel performans sağlar.
Olağanüstü Isı İletkenliği: >4,9 W/cm·K, yüksek güçlü uygulamalarda verimli ısı dağılımı sağlar.
Üstün Mekanik MukavemetMohs sertlik derecesi 9.0 (elmasın ardından ikinci sırada), düşük termal genleşme ve güçlü kimyasal kararlılığa sahiptir.
Atomik Olarak Pürüzsüz YüzeyRa < 0,4 nm ve kusur yoğunluğu < 1/cm², MOCVD/HVPE epitaksi ve mikro-nano üretim için idealdir.

Mevcut BedenlerStandart boyutlar 50, 75, 100, 150 ve 200 mm (2"–8") olup, 250 mm'ye kadar özel çaplar da mevcuttur.
Kalınlık Aralığı: 200–1.000 μm, ±5 μm toleransla.

Yarı İletken SiC Levhaların Üretim Süreci

Yüksek Saflıkta SiC Tozu Hazırlama

Başlangıç Malzemesi: Çok aşamalı vakumlu süblimasyon ve ısıl işlemler kullanılarak saflaştırılmış, düşük metal kirliliği (Fe, Cr, Ni < 10 ppb) ve minimum polikristalin inklüzyon sağlayan 6N sınıfı SiC tozu.

Modifiye PVT Tek Kristal Büyütme

Çevre: Neredeyse vakum (10⁻³–10⁻² Torr).
SıcaklıkGrafit pota, ΔT ≈ 10–20 °C/cm'lik kontrollü bir termal gradyan ile ~2500 °C'ye ısıtıldı.
Gaz Akışı ve Pota TasarımıÖzel olarak tasarlanmış pota ve gözenekli ayırıcılar, homojen buhar dağılımını sağlar ve istenmeyen çekirdeklenmeyi engeller.
Dinamik Besleme ve DöndürmeSiC tozunun periyodik olarak yenilenmesi ve kristal çubukların döndürülmesi, düşük dislokasyon yoğunluklarına (<3.000 cm⁻²) ve tutarlı 4H/6H yönelimine yol açar.

Derin Seviye Telafi Tavlaması

Hidrojen TavlamasıDerin seviye tuzaklarını aktive etmek ve içsel taşıyıcıları stabilize etmek için 600–1400 °C arasındaki sıcaklıklarda H₂ atmosferinde gerçekleştirilir.
N/Al Eş Katkılaması (İsteğe Bağlı)Büyüme sırasında veya büyüme sonrası CVD işleminde Al (alıcı) ve N (verici) elementlerinin katılımıyla kararlı verici-alıcı çiftlerinin oluşması ve direnç zirvelerinin ortaya çıkması.

Hassas Dilimleme ve Çok Aşamalı Taşlama

Elmas Tel TestereDilimlenmiş wafer'lar, minimum hasarla ve ±5 μm toleransla 200–1.000 μm kalınlığındadır.
Taşlama İşlemi: Sıralı olarak kaba-ince elmas aşındırıcılar, testere hasarını gidererek plakayı parlatmaya hazırlar.

Kimyasal Mekanik Parlatma (CMP)

Parlatma Ortamı: Hafif alkali çözelti içinde nano-oksit (SiO₂ veya CeO₂) bulamacı.
Proses KontrolüDüşük gerilimli parlatma, pürüzlülüğü en aza indirerek 0,2–0,4 nm RMS pürüzlülüğüne ulaşır ve mikro çizikleri ortadan kaldırır.

Son Temizlik ve Paketleme

Ultrasonik Temizleme: Sınıf 100 temiz oda ortamında çok aşamalı temizleme işlemi (organik çözücü, asit/baz işlemleri ve deiyonize su ile durulama).
Sızdırmazlık ve PaketlemeYonga levhalar azot gazı ile kurutulur, azot dolu koruyucu torbalara kapatılır ve antistatik, titreşim önleyici dış kutulara paketlenir.

Yarı İletken SiC Levhaların Özellikleri

Ürün Performansı	P Sınıfı	D Sınıfı
I. Kristal Parametreleri	I. Kristal Parametreleri	I. Kristal Parametreleri
Kristal Politip	4H	4H
Kırılma İndeksi a	>2.6 @589nm	>2.6 @589nm
Emilim Oranı a	≤0,5% @450-650nm	≤1,5% @450-650nm
MP Geçirgenliği a (Kaplamasız)	≥%66,5	≥%66,2
Sis	≤0,3%	≤%1,5
Polytip Dahil Etme a	İzin verilmiyor	Kümülatif alan ≤%20
Mikroboru Yoğunluğu a	≤0,5 /cm²	≤2 /cm²
Altıgen Boşluk a	İzin verilmiyor	Yok
Çok Yönlü Kapsayıcılık	İzin verilmiyor	Yok
Milletvekillerinin Dahil Edilmesi	İzin verilmiyor	Yok
II. Mekanik Parametreler	II. Mekanik Parametreler	II. Mekanik Parametreler
Çap	150,0 mm +0,0 mm / -0,2 mm	150,0 mm +0,0 mm / -0,2 mm
Yüzey Yönelimi	{0001} ±0.3°	{0001} ±0.3°
Birincil Düz Uzunluk	Çentik	Çentik
İkincil Düz Uzunluk	İkinci daire yok.	İkinci daire yok.
Çentik Yönlendirmesi	<1-100> ±2°	<1-100> ±2°
Çentik Açısı	90° +5° / -1°	90° +5° / -1°
Çentik Derinliği	Kenardan 1 mm +0,25 mm / -0,0 mm	Kenardan 1 mm +0,25 mm / -0,0 mm
Yüzey İşlemi	C-yüzey, Si-yüzey: Kimyasal-Mekanik Parlatma (CMP)	C-yüzey, Si-yüzey: Kimyasal-Mekanik Parlatma (CMP)
Gofret Kenarı	Pahlanmış (Yuvarlak)	Pahlanmış (Yuvarlak)
Yüzey Pürüzlülüğü (AFM) (5μm x 5μm)	Si yüzü, C yüzü: Ra ≤ 0,2 nm	Si yüzü, C yüzü: Ra ≤ 0,2 nm
Kalınlık a (Tropel)	500,0 μm ± 25,0 μm	500,0 μm ± 25,0 μm
LTV (Tropel) (40mm x 40mm) a	≤ 2 μm	≤ 4 μm
Toplam Kalınlık Değişimi (TTV) a (Tropel)	≤ 3 μm	≤ 5 μm
Yay (Mutlak Değer) a (Tropel)	≤ 5 μm	≤ 15 μm
(Tropel)'i çarpıt	≤ 15 μm	≤ 30 μm
III. Yüzey Parametreleri	III. Yüzey Parametreleri	III. Yüzey Parametreleri
Çip/Çentik	İzin verilmiyor	≤ 2 adet, her birinin uzunluğu ve genişliği ≤ 1,0 mm
(Si-face, CS8520) cihazını çizin.	Toplam uzunluk ≤ 1 x Çap	Toplam uzunluk ≤ 3 x Çap
Parçacık a (Si-yüzey, CS8520)	≤ 500 adet	Yok
Çatırtı	İzin verilmiyor	İzin verilmiyor
Kirlenme a	İzin verilmiyor	İzin verilmiyor

Yarı İletken SiC Levhaların Başlıca Uygulamaları

Yüksek Güçlü ElektronikSiC tabanlı MOSFET'ler, Schottky diyotlar ve elektrikli araçlar (EV'ler) için güç modülleri, SiC'nin düşük açık devre direnci ve yüksek voltaj kapasitesinden faydalanmaktadır.
RF ve MikrodalgaSiC'nin yüksek frekans performansı ve radyasyona dayanıklılığı, 5G baz istasyonu amplifikatörleri, radar modülleri ve uydu iletişimi için idealdir.
OptoelektronikUV-LED'ler, mavi lazer diyotlar ve fotodedektörler, düzgün epitaksiyel büyüme için atomik olarak pürüzsüz SiC alt tabakaları kullanır.
Aşırı Ortam AlgılamaSilisyum karbürün yüksek sıcaklıklarda (>600 °C) kararlılığı, onu gaz türbinleri ve nükleer dedektörler de dahil olmak üzere zorlu ortamlardaki sensörler için mükemmel kılar.
Havacılık ve SavunmaSiC, uydularda, füze sistemlerinde ve havacılık elektroniğinde güç elektroniği için dayanıklılık sunar.
İleri AraştırmaKuantum hesaplama, mikro optik ve diğer özel araştırma uygulamaları için özel çözümler.

Sıkça Sorulan Sorular

İletken SiC yerine yarı iletken SiC neden tercih edilmeli?
Yarı iletken SiC, çok daha yüksek direnç sunarak yüksek voltajlı ve yüksek frekanslı cihazlarda kaçak akımları azaltır. İletken SiC ise elektriksel iletkenliğin gerekli olduğu uygulamalar için daha uygundur.
Bu levhalar epitaksiyel büyüme için kullanılabilir mi?
Evet, bu plakalar epitaksiyel kaplama için hazırdır ve MOCVD, HVPE veya MBE için optimize edilmiştir; üstün epitaksiyel katman kalitesini sağlamak için yüzey işlemleri ve kusur kontrolü uygulanmıştır.
Gofretlerin temizliğini nasıl sağlıyorsunuz?
Sınıf 100 temiz oda işlemi, çok aşamalı ultrasonik temizleme ve nitrojenle kapatılmış ambalajlama, yonga levhalarının kirleticilerden, kalıntılardan ve mikro çiziklerden arındırılmış olmasını garanti eder.
Siparişlerin teslim süresi ne kadar?
Numuneler genellikle 7-10 iş günü içinde gönderilirken, üretim siparişleri, özel wafer boyutuna ve özel özelliklere bağlı olarak genellikle 4-6 hafta içinde teslim edilir.
Özel şekiller sağlayabilir misiniz?
Evet, düzlemsel pencereler, V oluklar, küresel mercekler ve daha fazlası gibi çeşitli şekillerde özel alt tabakalar üretebiliriz.

Hakkımızda

XKH, özel optik cam ve yeni kristal malzemelerin yüksek teknoloji geliştirme, üretim ve satışında uzmanlaşmıştır. Ürünlerimiz optik elektronik, tüketici elektroniği ve askeri sektörlere hizmet vermektedir. Safir optik bileşenler, cep telefonu lens kapakları, seramik, LT, silisyum karbür (SIC), kuvars ve yarı iletken kristal levhalar sunuyoruz. Nitelikli uzmanlığımız ve son teknoloji ekipmanlarımızla, standart dışı ürün işleme konusunda mükemmelliğe ulaşmayı ve önde gelen bir optoelektronik malzeme yüksek teknoloji kuruluşu olmayı hedefliyoruz.