Silikon gofret üzerinde galyum nitrür, 4 inç ve 6 inç ebatlarında, özel olarak tasarlanmış Si alt tabaka, yönlendirme, özdirenç ve N tipi/P tipi seçenekleri.
Özellikler
●Geniş Bant Aralığı:GaN (3,4 eV), geleneksel silikona kıyasla yüksek frekans, yüksek güç ve yüksek sıcaklık performansında önemli bir iyileşme sağlayarak güç cihazları ve RF amplifikatörleri için ideal bir malzeme haline gelmektedir.
●Özelleştirilebilir Si Alt Tabaka Yönlendirmesi:Belirli cihaz gereksinimlerine uygun olarak <111>, <100> ve diğerleri gibi farklı Si alt tabaka yönelimleri arasından seçim yapın.
●Özelleştirilebilir Direnç:Cihaz performansını optimize etmek için yarı iletken, yüksek dirençli ve düşük dirençli gibi farklı Si direnç seçenekleri arasından seçim yapın.
●Doping Türü:Güç cihazlarının, RF transistörlerinin veya LED'lerin gereksinimlerini karşılamak üzere N tipi veya P tipi katkılama seçenekleriyle mevcuttur.
●Yüksek Arıza Gerilimi:GaN-on-Si levhalar yüksek kırılma gerilimine (1200V'a kadar) sahip olduklarından yüksek voltajlı uygulamaları kaldırabilirler.
●Daha Hızlı Geçiş Hızları:GaN, silikona göre daha yüksek elektron hareketliliğine ve daha düşük anahtarlama kayıplarına sahip olduğundan, GaN-on-Si levhalar yüksek hızlı devreler için idealdir.
●Geliştirilmiş Termal Performans:Silikonun düşük termal iletkenliğine rağmen, GaN-on-Si, geleneksel silikon cihazlara kıyasla daha iyi ısı dağılımı ile üstün termal kararlılık sunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
| Gofret Boyutu | 4 inç, 6 inç |
| Si Alt Tabaka Yönlendirmesi | <111>, <100>, özel |
| Si Direnci | Yüksek dirençli, Yarı yalıtkan, Düşük dirençli |
| Doping Türü | N tipi, P tipi |
| GaN Katman Kalınlığı | 100 nm – 5000 nm (özelleştirilebilir) |
| AlGaN Bariyer Katmanı | %24 – %28 Al (tipik 10-20 nm) |
| Arıza Gerilimi | 600V – 1200V |
| Elektron Hareketliliği | 2000 cm²/V·s |
| Anahtarlama Frekansı | 18 GHz'e kadar |
| Yonga Yüzey Pürüzlülüğü | RMS ~0,25 nm (AFM) |
| GaN Levha Direnci | 437,9 Ω·cm² |
| Toplam Gofret Çarpıklığı | < 25 µm (maksimum) |
| Isı İletkenliği | 1,3 – 2,1 W/cm·K |
Uygulamalar
Güç ElektroniğiGaN-on-Si, yenilenebilir enerji sistemlerinde, elektrikli araçlarda (EV'ler) ve endüstriyel ekipmanlarda kullanılan güç amplifikatörleri, dönüştürücüler ve invertörler gibi güç elektroniği uygulamaları için idealdir. Yüksek kırılma gerilimi ve düşük açık direnci, yüksek güçlü uygulamalarda bile verimli güç dönüşümü sağlar.
RF ve Mikrodalga İletişimiGaN-on-Si levhalar, yüksek frekans yetenekleri sunarak RF güç amplifikatörleri, uydu iletişimi, radar sistemleri ve 5G teknolojileri için mükemmel birer çözüm haline geliyor. Daha yüksek anahtarlama hızları ve daha yüksek frekanslarda (1000 MHz'e kadar) çalışabilme özelliği ile öne çıkıyorlar.18 GHzGaN cihazları bu uygulamalarda üstün performans sunmaktadır.
Otomotiv ElektroniğiGaN-on-Si, otomotiv güç sistemlerinde kullanılmaktadır, bunlar arasında şunlar yer almaktadır:araç içi şarj cihazları (OBC'ler)VeDC-DC dönüştürücülerDaha yüksek sıcaklıklarda çalışabilme ve daha yüksek voltaj seviyelerine dayanabilme özelliği, onu sağlam güç dönüşümü gerektiren elektrikli araç uygulamaları için uygun hale getiriyor.
LED ve OptoelektronikGaN, tercih edilen malzemedir. mavi ve beyaz LED'lerGaN-on-Si levhalar, aydınlatma, ekran teknolojileri ve optik iletişimde mükemmel performans sağlayan yüksek verimli LED aydınlatma sistemlerinin üretiminde kullanılmaktadır.
Soru-Cevap
S1: Elektronik cihazlarda GaN'nin silikona göre avantajı nedir?
A1:GaN'nin bir özelliği var.daha geniş bant aralığı (3,4 eV)Silikondan (1,1 eV) daha yüksek bir enerjiye sahip olması, GaN'ın daha yüksek voltajlara ve sıcaklıklara dayanmasını sağlar. Bu özellik, GaN'ın yüksek güçlü uygulamaları daha verimli bir şekilde yönetmesini, güç kaybını azaltmasını ve sistem performansını artırmasını mümkün kılar. GaN ayrıca, RF amplifikatörleri ve güç dönüştürücüler gibi yüksek frekanslı cihazlar için çok önemli olan daha hızlı anahtarlama hızları sunar.
S2: Uygulamam için Si alt tabakanın yönünü özelleştirebilir miyim?
A2:Evet, sunuyoruz.özelleştirilebilir Si alt tabaka yönelimleriörneğin<111>, <100>ve cihazınızın gereksinimlerine bağlı olarak diğer yönelimler. Si alt tabakasının yönelimi, elektriksel özellikler, termal davranış ve mekanik kararlılık dahil olmak üzere cihaz performansında önemli bir rol oynar.
S3: Yüksek frekanslı uygulamalar için GaN-on-Si levhaların kullanılmasının avantajları nelerdir?
A3:GaN-on-Si levhalar üstün özellikler sunmaktadır.geçiş hızlarıBu sayede silikona kıyasla daha yüksek frekanslarda daha hızlı çalışma imkanı sağlanır. Bu da onları ideal hale getirir.RFVemikrodalgauygulamalar ve yüksek frekanslıgüç cihazlarıörneğinHEMT'ler(Yüksek Elektron Hareketliliğine Sahip Transistörler) veRF amplifikatörleriGaN'nin daha yüksek elektron hareketliliği, daha düşük anahtarlama kayıplarına ve daha yüksek verimliliğe de yol açar.
S4: GaN-on-Si levhalar için hangi katkılama seçenekleri mevcuttur?
A4:İkisini de sunuyoruz.N tipiVeP tipiÇeşitli yarı iletken cihaz türlerinde yaygın olarak kullanılan katkılama seçenekleri.N tipi katkılamaidealdirgüç transistörleriVeRF amplifikatörleri, sırasındaP tipi katkılamaGenellikle LED'ler gibi optoelektronik cihazlarda kullanılır.
Çözüm
Özelleştirilmiş Silikon Üzerine Galyum Nitrür (GaN-on-Si) Plakalarımız, yüksek frekanslı, yüksek güçlü ve yüksek sıcaklık uygulamaları için ideal çözümü sunar. Özelleştirilebilir Si alt tabaka yönelimleri, direnç ve N tipi/P tipi doping ile bu plakalar, güç elektroniği ve otomotiv sistemlerinden RF iletişimi ve LED teknolojilerine kadar uzanan sektörlerin özel ihtiyaçlarını karşılamak üzere tasarlanmıştır. GaN'nin üstün özelliklerinden ve silikonun ölçeklenebilirliğinden yararlanan bu plakalar, yeni nesil cihazlar için gelişmiş performans, verimlilik ve geleceğe yönelik uyumluluk sunar.
Ayrıntılı Diyagram
