GaAs yüksek güçlü epitaksiyel gofret altlık, galyum arsenit gofret, lazer tıbbi tedavisi için 905nm dalga boylu lazer gücü.
GaAs lazer epitaksiyel tabakasının temel özellikleri şunlardır:
1. Yüksek elektron hareketliliği: Galyum arsenit (GaAs), yüksek elektron hareketliliğine sahiptir; bu da GaAs lazer epitaksiyel levhaların yüksek frekanslı cihazlarda ve yüksek hızlı elektronik cihazlarda iyi uygulamalara sahip olmasını sağlar.
2. Doğrudan bant aralığı geçişli lüminesans: Doğrudan bant aralığına sahip bir malzeme olan galyum arsenit, optoelektronik cihazlarda elektrik enerjisini verimli bir şekilde ışık enerjisine dönüştürebilir; bu da onu lazer üretimi için ideal kılar.
3. Dalgaboyu: GaAs 905 lazerler tipik olarak 905 nm'de çalışır ve bu da onları biyotıp dahil birçok uygulama için uygun hale getirir.
4. Yüksek verimlilik: Yüksek fotoelektrik dönüşüm verimliliği sayesinde, elektrik enerjisini etkili bir şekilde lazer çıkışına dönüştürebilir.
5. Yüksek güç çıkışı: Yüksek güç çıkışı sağlayabilir ve güçlü bir ışık kaynağı gerektiren uygulama senaryoları için uygundur.
6. İyi termal performans: GaAs malzemesi iyi termal iletkenliğe sahiptir, bu da lazerin çalışma sıcaklığını düşürmeye ve kararlılığını artırmaya yardımcı olur.
7. Geniş ayarlanabilirlik: Çıkış gücü, farklı uygulama gereksinimlerine uyum sağlamak için sürücü akımı değiştirilerek ayarlanabilir.
GaAs lazer epitaksiyel tabletlerin başlıca uygulama alanları şunlardır:
1. Optik fiber iletişim: GaAs lazer epitaksiyel levha, yüksek hızlı ve uzun mesafeli optik sinyal iletimi sağlamak için optik fiber iletişimde lazerlerin üretiminde kullanılabilir.
2. Endüstriyel uygulamalar: Endüstriyel alanda, GaAs lazer epitaksiyel levhalar lazer mesafe ölçümü, lazer markalama ve diğer uygulamalar için kullanılabilir.
3. VCSEL: Dikey boşluklu yüzeyden yayılan lazer (VCSEL), optik iletişim, optik depolama ve optik algılama alanlarında yaygın olarak kullanılan GaAs lazer epitaksiyel levhasının önemli bir uygulama alanıdır.
4. Kızılötesi ve nokta alanı: GaAs lazer epitaksiyel levha, kızılötesi lazerler, nokta jeneratörleri ve diğer cihazların üretiminde de kullanılabilir ve kızılötesi algılama, ışık gösterimi ve diğer alanlarda önemli bir rol oynar.
GaAs lazer epitaksiyel levhalarının hazırlanması esas olarak metal-organik kimyasal buhar biriktirme (MOCVD), moleküler ışın epitaksiyel (MBE) ve diğer yöntemler de dahil olmak üzere epitaksiyel büyüme teknolojisine bağlıdır. Bu teknikler, yüksek kaliteli GaAs lazer epitaksiyel levhaları elde etmek için epitaksiyel katmanın kalınlığını, bileşimini ve kristal yapısını hassas bir şekilde kontrol edebilir.
XKH, optik iletişim, VCSEL, kızılötesi ve ışık noktası alanlarında geniş bir uygulama yelpazesini kapsayan, farklı yapı ve kalınlıklarda GaAs epitaksiyel levhaların özelleştirilmesini sunmaktadır. XKH ürünleri, yüksek performans ve güvenilirlik sağlamak için gelişmiş MOCVD ekipmanlarıyla üretilmektedir. Lojistik açısından, XKH, sipariş sayısını esnek bir şekilde karşılayabilen ve rafine etme ve alt bölümlere ayırma gibi katma değerli hizmetler sunabilen geniş bir uluslararası kaynak kanalına sahiptir. Verimli teslimat süreçleri, zamanında teslimatı sağlar ve müşterilerin kalite ve teslimat sürelerine ilişkin gereksinimlerini karşılar. Müşteriler, ürünün sorunsuz bir şekilde kullanıma alınmasını sağlamak için teslimattan sonra kapsamlı teknik destek ve satış sonrası hizmet alabilirler.
Ayrıntılı Diyagram



