Çap 150 mm 4H-N 6 inç SiC alt tabaka Üretim ve deneme sınıfı

6 inçlik silisyum karbür MOSFET plakalarının başlıca özellikleri aşağıdaki gibidir;

Yüksek gerilim dayanımı: Silisyum karbürün yüksek bir kırılma elektrik alanı vardır, bu nedenle 6 inçlik silisyum karbür MOSFET plakaları yüksek gerilim dayanım kapasitesine sahiptir ve yüksek gerilim uygulama senaryoları için uygundur.

Yüksek akım yoğunluğu: Silisyum karbürün yüksek elektron hareketliliğine sahip olması, 6 inçlik silisyum karbür MOSFET plakalarının daha yüksek akıma dayanabilmesi için daha yüksek akım yoğunluğuna sahip olmasını sağlar.

Yüksek çalışma frekansı: Silisyum karbürün düşük taşıyıcı hareketliliğine sahip olması, 6 inçlik silisyum karbür MOSFET plakalarının yüksek çalışma frekansına sahip olmasını ve yüksek frekanslı uygulama senaryoları için uygun olmasını sağlar.

İyi termal kararlılık: Silisyum karbür yüksek termal iletkenliğe sahip olduğundan, 6 inçlik silisyum karbür MOSFET plakaları yüksek sıcaklık ortamlarında bile iyi performans göstermeye devam eder.

6 inçlik silisyum karbür MOSFET plakaları, transformatörler, doğrultucular, invertörler, güç amplifikatörleri vb. dahil olmak üzere güç elektroniği, güneş enerjisi invertörleri, yeni enerji araç şarjı, demiryolu taşımacılığı, yakıt hücresindeki yüksek hızlı hava kompresörü, DC-DC dönüştürücü (DCDC), elektrikli araç motor sürücüsü ve veri merkezleri alanındaki dijitalleşme trendleri gibi geniş bir uygulama yelpazesine sahip diğer alanlarda yaygın olarak kullanılmaktadır.

4H-N 6 inç SiC alt tabaka ve farklı kalitede alt tabaka stok levhaları sağlayabiliriz. Ayrıca ihtiyaçlarınıza göre özelleştirme de yapabiliriz. Sorularınız için bizimle iletişime geçebilirsiniz!